技术特征：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体晶粒，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及邻接在该第一表面和该第二表面之间的第三表面；重分布层结构，在该半导体晶粒的该第一表面上的并电耦接到该半导体晶粒；保护绝缘层，覆盖该重分布层结构、该半导体晶粒的该第二表面和该第三表面；以及导电结构，穿过该保护绝缘层并电耦接到该重分布层结构。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括钝化层，该钝化层位于该重分布层结构与该保护绝缘层之间，并由该保护绝缘层覆盖，其中，该导电结构穿过该钝化层。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括位于该半导体晶粒的该第一表面与该重分布层结构之间的钝化层，其中，该重分布层结构穿过该钝化层。4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：第一钝化层，在该半导体晶粒的第一表面和该重分布层结构之间，其中该重分布层结构穿过该第一钝化层；以及第二钝化层，位于该重分布层结构与该保护绝缘层之间，并由该保护绝缘层覆盖，其中，该导电结构穿过该第二钝化层。5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一钝化层包括与该第二钝化层的材料相同并且与该保护绝缘层的材料不同的材料。6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该导电结构包括凸块下金属层和该凸块下金属层上的焊料凸块，或该第一钝化层上的焊料凸块。7.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体晶粒，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及邻接在该第一表面和该第二表面之间的第三表面；第一保护绝缘层，覆盖该半导体晶粒的该第一表面和该第三表面；第一重分布层结构，在该半导体晶粒的该第一表面上并电耦接到该半导体晶粒，并延伸到该第一保护绝缘层的正上方；第一钝化层，覆盖该第一保护绝缘层和该第一该重分布层结构；以及导电结构，穿过该第一钝化层并电耦接到该第一该重分布层结构。8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括在该第一该重分布层结构与该半导体晶粒的该第一表面之间并且电耦接至该半导体晶粒的第二该重分布层结构。9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二该重分布层结构由该半导体晶粒的该第一表面上的该第一保护绝缘层围绕。10.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一该重分布层结构通过该第二该重分布层结构电耦接至该半导体晶粒。11.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括在该第二该重分布层结构与该半导体晶粒的该第一表面之间的第二钝化层，其中该第二该重分布层结构穿过该第二钝化层。12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二钝化层由在该半导体晶粒的该第一表面上的该第一保护绝缘层围绕。
13.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括位于该第一该重分布层结构和该第一保护绝缘层之间的第二钝化层，其中，该第一该重分布层结构穿过该第二钝化层。14.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括覆盖该半导体晶粒的第二表面的第二保护绝缘层。15.如权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一保护绝缘层和该第二保护绝缘层包括相同的材料。16.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体晶粒，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及邻接在该第一表面和该第二表面之间的第三表面；第一重分布层结构，在该半导体晶粒的该第一表面上并电耦接到该半导体晶粒；第一保护绝缘层，覆盖该半导体晶粒的该第一表面和该第三表面并围绕该第一该重分布层结构；第一钝化层，覆盖该第一保护绝缘层和该第一该重分布层结构；第二该重分布层结构，通过该第一该重分布层结构电连接至该半导体晶粒，其中该第二该重分布层结构从该第一该重分布层结构延伸至该第一保护绝缘层上方；第二钝化层，覆盖该第二该重分布层结构；以及导电结构，穿过该第二钝化层并电耦接到该第二该重分布层结构。17.如权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括覆盖该半导体晶粒的该第二表面的第二保护绝缘层。18.如权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括在该半导体晶粒的该第一表面与该第一该重分布层结构之间的第三钝化层，其中，该第一该重分布层结构穿过该第三钝化层。19.如权利要求18所述的半导体封装结构，其特征在于，该第三钝化层由该第一保护绝缘层围绕并覆盖。20.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体晶粒，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及邻接在该第一表面和该第二表面之间的第三表面；重分布层结构，在该半导体晶粒的该第一表面上的并电耦接到该半导体晶粒；保护绝缘层，覆盖该半导体晶粒的该第二表面和该第三表面；第一钝化层，覆盖该重分布层结构，并且与该保护绝缘层直接接触；以及导电结构，穿过该第一钝化层并电耦接到该重分布层结构。