专利名称:双板有机电致发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明的实施例涉及有机电致发光器件，更具体地说，涉及双板有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术：
在平板显示器件的领域中，由于有机电致发光器件(此后称为“有机EL器件”)是自发光显示器件，所以与液晶显示(LCD)器件相比，它们具有宽视角和大对比度。此外，由于有机EL器件不需要任何背光组件，所以它们能够实现轻重量并具有薄外形。此外，有机EL器件比LCD器件的功耗低。
可以在低DC驱动电压来驱动有机EL器件，并且有机EL器件具有高响应速度。由于有机EL器件的所有部件都由固体材料形成，所以EL器件对外部碰撞有抵抗力。有机EL器件也可以在很宽的温度范围内使用，并且仍然可以廉价地制造。例如，可以使用淀积和封装设备来制造有机EL器件。因此，有机EL器件的制造方法非常简单。
在按使用设置在各像素区的薄膜晶体管作为各像素的开关器件的有源矩阵型来驱动有机EL器件的情况下，即使施加低电流也能获得均匀的亮度。因此，有机EL器件具有功耗低、清晰度高以及画面尺寸大的优点。有机EL器件通过使用诸如电子和空穴的载流子来激发荧光材料从而显示视频图像。
另一方面，也可以采用不具有薄膜晶体管来进行像素开关的无源矩阵型来驱动有机EL器件。然而，无源矩阵型有机EL器件具有技术局限性，例如功耗增大以及寿命缩短。因此，已经进行了与有源矩阵型有机EL器件相关联的各种研究，以制造满足高清晰度大画面显示的需求的下一代显示器件。
基于发光层设置在下基板上还是上基板上，有机EL器件可以分为底部发光型和顶部发光型。在顶部发光有机EL器件被实现为有源矩阵型的情况下，各个薄膜晶体管设置在下基板上，发光层设置在上基板上。具有此结构的有机EL器件常常称为“双板有机电致发光器件(DOD)”。
图1是例示出现有技术的双板有机电致发光器件的结构的剖面图。如图1所示，DOD包括被形成为彼此间隔开的第一基板10和第二基板20。现有技术的DOD还包括薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列具有分别形成在第一基板10上的与子像素对应的区域中的多个薄膜晶体管(TFT)。现有技术的DOD还包括有机电致发光二极管，其形成在第二基板20上；和密封图案30，其形成在第一基板10和第二基板20的边缘上。为了向各个有机电致发光二极管提供电流，形成有导电间隔物17和透明电极16以将第二电极25连接到相关联子像素的TFT。
在各个子像素中，有机电致发光二极管包括用作公共电极的第一电极21、以及第一电极21上的位于相邻子像素之间的边界处的阻挡脊(barrier rib)26。有机电致发光二极管还包括有机电致发光层22、23和24，所述有机电致发光层22、23和24顺序地与第二电极25一起设置在由相关联阻挡脊26限定的区域中(即，设置在相关联子像素中)，同时形成为与其他子像素的有机电致发光层和第二电极相分离的图案的形式。
有机电致发光层包括按顺序层叠的第一载流子传输层22、发光层23以及第二载流子传输层24。第一载流子传输层22和第二载流子传输层24用于向发光层23注入并传输电子或者空穴。第一载流子传输层22和第二载流子传输层24的结构取决于阳极和阴极的设置。例如，发光层23可以由高分子量的材料形成，第一载流子传输层22和第二载流子传输层24可以分别定义为阳极和阴极。在此情况下，接触第一电极21的第一载流子传输层22具有其中空穴注入层和空穴传输层顺序层叠在第一电极21上的结构。此外，接触第二电极25的第二载流子传输层24具有其中电子注入层和电子传输层顺序层叠在第二电极25上的结构。
第一载流子传输层22和第二载流子传输层24以及发光层23可以由低分子量的材料或者高分子量的材料形成。当使用低分子量的材料时，通过汽相淀积法来形成这些层22、23和24。当使用高分子量的材料时，通过喷墨法来形成这些层22、23和24。
导电间隔物17的主要功能不是保持单元间隙。相反，与液晶显示(LCD)器件的常规间隔物不同，导电间隔物17的功能是电连接两个基板。因此，导电间隔物17在两个基板之间限定的空间内具有特定的三维形状。
连接到相关联有机电致发光二极管的各个TFT是驱动薄膜晶体管。TFT包括栅极11，其形成在第一基板10上的预定部分处；半导体层13，形成为岛形以覆盖栅极11；以及源极14a和漏极14b，它们形成在半导体层13的相对侧。在各个子像素中，在第一基板10的整个上表面上在栅极11与半导体层13之间形成有栅绝缘膜12。在栅绝缘膜12(包括源极14a和漏极14b)上形成有钝化膜15。漏极14b通过设置在钝化膜15中的孔而电连接到形成在钝化膜15上的透明电极16。导电间隔物17接触透明电极16的顶部。
导电间隔物17用于将设置在第一基板10上的相关联子像素处的TFT的漏极14b电连接到设置在第二基板20上的第二电极25。导电间隔物17是由有机绝缘材料等形成的镀金属柱状间隔物。当第一基板10的对应于子像素的部分与第二基板20的对应部分相接合时，导电间隔物17使得电流可以在相关联子像素中的漏极14b与第二电极25之间流动。
导电间隔物17的外部由导电金属材料形成。在此情况下，使用延展度高的金属。此外，该金属应该具有低电阻率。
第一电极21由透明材料制成。第二电极25由遮光金属层形成。第一电极21与第二电极25之间的空间填充有惰性气体或者绝缘液体。
虽然在图1中未示出，但是在第一基板10上形成有存储电容器、扫描线、与扫描线交叉的信号线和电源线。
DOD包括形成在由具有高电阻率的透明材料制成的第一电极21上的具有网格结构的总线。该总线用于防止第一电极21中的电压降。以下将参照图2和3对此进行说明。
图2是例示出现有技术的双板有机电致发光器件的总线的平面图。图3是例示出图2的一个单位像素中的总线和阻挡脊的平面图。参照图2和图3，如图2所示，现有技术的DOD还包括在第一电极21上的除了像素区之外的区域中的形成为网格形式的总线50。第一电极21由透明材料制成以防止孔径比缩小。然而，当向第一电极21施加电压时，由于透明电极材料的高电阻率，在显示区域的中央部分可能发生所施加电压的下降。为了防止这种电压降，在现有技术的DOD中进一步设置具有低电阻率的总线50。
阻挡脊55恰形成在总线50的外部(即，除了像素区之外的区域)，并且还具有底切结构地在总线50上突出，以限定要形成有机电致发光层的区域。在电致发光层上形成第二电极的过程中，这种底切结构使得阻挡脊55可以防止第二电极与总线之间的短路。换言之，阻挡脊55的底切结构保持第二电极与总线之间的绝缘分离。
图4是例示出其中在由图3中的有圆圈标号指示的区域中阻挡脊的底切崩塌的状态的SEM图。图5是例示出图3中的除了有圆圈标号指示的区域之外的其他区域中的阻挡脊的底切的正常状态的SEM图。如图4所示，阻挡脊的底切的角部(如有圆圈标号所示)部分地与总线交叠。在这些区域中，阻挡脊的底部不在总线上，并且阻挡脊具有与总线交叠的凸起。因此，厚度很小的底切的凸起可能向总线崩塌。
另一方面，在底切的其余部分中，由于阻挡脊形成在总线的外侧部分上，所以其位于总线没有台阶的区域中，如图5所示。因此，在此区域中，阻挡脊底切的凸起不与下方的总线相接触。如图4所示，当阻挡脊的凸起向总线崩塌时，第二电极不仅形成在有机发光层(包括阻挡脊)上，而且形成在总线的与崩塌的底切相接触的部分上。因此，第一电极和第一电极会发生短路。由此，无法在发生了底切崩塌的区域中实现正常操作。
当阻挡脊具有底切结构时，阻挡脊的底切的角部(例如由有圆圈标号指示的区域)形成在总线上。因此，厚度很小的底切的凸起可能向总线崩塌。在此情况下，第二电极不是形成在包括阻挡脊的有机发光层上，而是形成总线的与崩塌的底切相接触的部分上。因此，第一电极和第二电极会短路。由此，在总线上已发生底切崩塌的区域中无法实现正常操作。具体来说，存在底切结构的区域与总线的台阶相交叉，凸起可以比位于不存在与总线交叉的台阶的其他区域中的底切凸起大三倍。底切的较大凸起变得较细，从而可能发生底切崩塌。
发明内容因此，本发明的实施例旨在提供一种双板有机电致发光器件及其制造方法，其本质上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或者更多个问题。
本发明的目的是提供一种防止底切向总线崩塌的双板有机电致发光器件及其制造方法。
本发明的其他优点、目的以及特征的一部分将在随后的说明中进行阐述，而一部分在由本领域普通技术人员研究了下面的内容后会变得清楚，或者可以通过实施本发明而获得。本发明的上述目的和其他优点可以由在说明书及其权利要求
书以及附图中具体指出的结构而实现并获得。
为了实现这些目的和其他优点，并且根据本文中所具体体现和广泛描述的发明宗旨，一种双板有机电致发光器件包括具有多个像素区的第一基板和第二基板，其中第一基板和第二基板彼此面对；薄膜晶体管，其位于第一基板上的各个像素区中；第二基板上的第一电极；总线，其位于第一电极上除了像素区之外的区域中，使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状；阻挡脊，其位于总线的外侧部分以包围各个像素区；有机电致发光层，其在各个像素区中位于第一电极上；第二电极，其在各个像素区中形成在阻挡脊和有机电致发光层上；以及连接图案，其连接薄膜晶体管和第二电极。
在另一方面，一种双板有机电致发光器件的制造方法包括如下步骤在第一基板上限定多个像素区；在第一基板上的各个像素区中形成薄膜晶体管；在第二基板的整个表面上淀积第一电极；在第一基板上的除了像素区之外的区域上形成总线，使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状；在总线的外侧部分形成阻挡脊以包围各个像素区；在各个像素区中在第一电极上形成有机电致发光层；在各个像素区中在阻挡脊和有机电致发光层上形成第二电极；以及在第一基板和第二基板的外部形成密封图案，并在薄膜晶体管与第二电极之间按使得第二电极电连接到薄膜晶体管的方式插入导电间隔物以接合第一基板和第二基板。
应当理解，上文对本发明的概述与下文对本发明的详述都是示例性和解释性的，旨在提供对如权利要求
所述发明的进一步解释。
附图被包括进来以提供对本发明的进一步的理解并被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施例，并且与说明一起用于说明本发明的原理。在附图中图1是例示出现有技术的双板有机电致发光器件的结构的剖面图；图2是例示出现有技术的双板有机电致发光器件的总线的平面图；图3是例示出图2的一个单位像素中的总线和阻挡脊的平面图；图4是例示出其中在图3的由有圆圈标号指示的区域中阻挡脊的底切发生崩塌的状态的SEM图；图5是例示出在图3的除了由有圆圈标号指示的区域之外的区域中阻挡脊的底切的正常状态的SEM图；图6是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的上基板的平面图；图7是沿着图6的线I-I’截取的剖面图；图8是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的总线的平面图；图9是例示出一个单位像素中的总线和阻挡脊的平面图；图10A到10F是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的制造方法的剖面图；图11是例示出在图9的由有圆圈标号指示的区域中的阻挡脊的底切的SEM图；以及图12是例示出在图9的除了由有圆圈标号指示的区域之外的区域中的阻挡脊的底切的SEM图。
具体实施方式现在详细描述与双板有机电致发光器件(DOD)和双板有机电致发光器件的制造方法相关联的本发明的优选实施例，其示例在附图中示出。只要可能，就在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分。
图6是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的上基板的平面图。图7是沿着图6的线I-I’截取的剖面图。如图6和7所示，双板有机电致发光器件的上基板(即第二基板)401限定了排列成矩阵形式的多个像素区P。在包括像素区P的上基板401的整个上表面上形成有第一电极层402。第一电极层402是向各个像素区的有机发光层406注入空穴的空穴注入电极。
在第一电极层402上形成有多个阻挡脊405。各个阻挡脊405是第一电极层402，使其包围各个像素区并分离相邻的像素区P。由于阻挡脊405彼此间隔开，所以在相邻的阻挡脊405之间存在特定的空间409。各个像素区P形成为角部为圆形的拉长矩形的形式。总线403形成在除了像素区P之外的区域的阻挡脊405中。与现有技术的网格结构相比，总线403具有角部朝向像素区P变圆的蜂窝形状。
阻挡脊405形成在总线403的边界上，外伸部(overhang)进一步与总线403交叠。更具体地说，各个阻挡脊405具有底切(所述底切被定义为部分地去除了其内下部的结构)，所述底切在总线403上方的外部部分内具有凸起415。与阻挡脊405整体形成的凸起415向相邻阻挡脊405之间的空间409突起。因此，阻挡脊405的凸起415形成“”形横截面。由于相邻阻挡脊405的凸起415按使其彼此面对的方式朝着相关联空间409突出，所以空间409部分地被凸起415遮蔽。
第一电极402是透明电极。第一电极402由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者氧化铟锡锌(ITZO)制成。总线403由导电率较高(具体地说，高于第一电极402的导电率)的遮光金属制成。遮光金属可以包括钛(Ti)、钼(Mo)、钙(Ca)、钾(K)、镁(Mg)、钡(Ba)、铜(Cu)以及铝(Al)中的至少一种。
在各个空间409中，在总线403的边缘与各个凸起415之间的相关空间409内形成有哑层404。各个空间409中的彼此面对的哑层404之间的距离大于彼此面对的凸起415之间的距离。就是说，由凸起415遮蔽的总线403的面积大于由哑层404遮蔽的总线403的面积。换言之，与哑层404在总线403上的覆盖相比，凸起415向总线403的中央部分突出得更多。于是，凸起415形成在哑层404的台阶上。哑层404使得能够用更均匀和稳定的底切结构来形成阻挡脊405。在稍后的刻蚀过程中可以完全去除哑层404。另选的是，如图6和7所示，可以在刻蚀剂没有到达的区域内保留哑层404。
在各个像素区P中，在第一电极402上形成有机发光层406。在有机发光层406上分别形成第二电极407。作为电子注入电极，第二电极407用于将电子注入各个有机发光层406。第一载流子传输层和第二载流子传输层(未示出)分别设置在有机发光层406的上部和下部。第一载流子传输层和第二载流子传输层用于从第一电极402和第二电极407向有机发光层406注入并传输电子和空穴。
由于形成在哑层404与凸起415之间的台阶，使得相邻像素区中的第二电极407不连接在其各个哑层404与其各个凸起415之间。因此，第二电极407以彼此分离的方式形成在各个像素区中。如图7所示，由于阻挡脊405的台阶而使得层407a与相关联的第二电极407分离。
虽然未示出，但根据本发明的DOD进一步包括面对第二基板401(上基板)的第一基板(下基板)。在面对上基板401的下基板上限定有多个像素区。下基板在各个像素区中包括TFT(开关器件或者驱动器件)。上基板401和下基板通过密封剂接合在一起。设置在下基板上的驱动器件的漏极与上基板401上的相关联第二电极层407相接触。
在各个像素区上，TFT包括形成在下基板的预定部分上的栅极；被形成为覆盖栅极的栅绝缘膜；栅绝缘膜上的半导体层；以及分别形成在半导体层的相对侧的源极和漏极。漏极通过连接图案连接到相关联的第二电极407，从而漏极将由TFT驱动的信号施加到第二电极407。另一连接图案包括电连接到TFT的像素电极(透明电极)。导电间隔物连接到像素电极，并且支承相关联的第二电极407。
图8是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的总线的平面图。图9是例示出一个单位像素中的总线和阻挡脊的平面图。如图9所示，DOD的总线403在除了像素区以外的区域中呈蜂窝形状。更具体地说，总线403按角部为圆形的拉长矩形的形式形成在第一电极402上。
阻挡脊405按具有位于总线403的外部边缘上的侧壁以及位于总线403的内部上方的凸起的方式形成在总线403上。阻挡脊405形成在不存在台阶的水平总线403上。于是，能够防止由于总线403的台阶而导致阻挡脊405的底切崩塌。
图10A到10F是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的制造方法的剖面图。
形成包括排列为矩形形状的多个像素区P的基板401。如图10A所示，在包括像素区P的上基板401的整个表面上淀积氧化铟锡(ITO)(透明导电金属)，以形成第一电极层402。
接着，如图10B所示，在包括第一电极层402的基板401的整个表面上淀积诸如铜的具有高导电率的金属。通过光刻和刻蚀处理对得到的结构进行构图，以在第一电极层402上形成总线403。在第一电极层402上的除了像素区P之外的区域上形成总线403。总线403具有网格形状。
如图10C所示，在包括总线403的基板401的上表面上淀积二氧化硅(SiO2)。通过光刻和刻蚀处理对得到的结构进行构图，以形成哑层404。此时，将各个哑层404形成为与总线403部分地交叠。就是说，将哑层404形成为具有比相关联总线403的宽度小的宽度。
随后，如图10D所示，在包括哑层404的上基板401的整个表面上淀积聚酰亚胺。通过光刻和刻蚀处理对得到的结构进行构图，以在第一电极402上形成阻挡脊405。同时，从各个阻挡脊405的一侧形成突出的凸起415。在第一电极层402上形成各个阻挡脊405以使其包围相关联像素区P。将从阻挡脊405的侧面突出的凸起415形成为覆盖哑层404的边缘，以使得各个哑层404的仅仅中央部分暴露出来。如上所述，将阻挡脊405形成为包围总线403。
接着，使用相关联的凸起415作为掩模对各个哑层404的露出的中央部分进行刻蚀处理。额外地执行刻蚀以使得从凸起415将哑层404底切。在完成了刻蚀处理之后，在彼此面对的相邻阻挡脊405之间形成暴露第一电极层402的空间409。
使用等离子气体通过干法刻蚀执行刻蚀处理。哑层404由氮化硅材料制成。因此，当使用等离子气体对哑层404进行刻蚀处理时，从凸起415下方起对哑层404进行底切。还将用于对哑层404进行刻蚀的等离子气体施加到第一电极402、总线403以及阻挡脊405的表面，从而对第一电极层402、总线403和阻挡脊405的表面进行亲水处理。由此，可以同时进行刻蚀和表面处理工艺。
接着，如图10E所示，使用喷墨涂敷器(未示出)将发光溶液涂敷到各个像素区P中的第一电极402，以形成有机发光层406。发光溶液的颜色为红色(R)、绿色(G)或者蓝色(B)。各个有机发光层406包括分别设置在其上部和下部的第一载流子传输层和第二载流子传输层(未示出)。第一载流子传输层和第二载流子传输层用于向有机发光层406注入并传输第一电极402和第二电极407的空穴和电子。
由于通过等离子体对第一电极层402的表面进行了亲水处理，所以改善了第一电极层402与发光溶液之间的粘着性。此外，由于通过等离子体对各个阻挡脊405的表面进行了疏水处理，所以减小了阻挡脊405的表面与发光溶液之间的粘着性以及总线403的表面与发光溶液之间的粘着性。因此，在各个像素区P中，可以仅在第一电极层402上选择性地形成有机发光层406。
如图10F所示，在包括发光层406的上基板401的整个上表面上淀积诸如钛(Ti)、钼(Mo)、钙(Ca)、钾(K)、镁(Mg)、钡(Ba)、铜(Cu)以及铝(Al)的金属，以形成作为阴极电极的第二电极层407。相邻像素区P中的第二电极407不相连接。就是说，由于形成在各哑层404与各凸起415之间的台阶，由形成在彼此面对的相邻阻挡脊405之间的空间409而使得各个第二电极407不相连接。因此，各个像素区P包括独立的第二电极层407。
图11是例示出在图9的由有圆圈标号指示的区域中的阻挡脊的底切的SEM图，图12是例示出在图9的除了由有圆圈标号指示的区域之外的区域中的阻挡脊的底切的SEM图。如图11和12所示，在各个像素区的角部以及其余部分中，阻挡脊形成在总线上。更具体地说，阻挡脊位于没有交叉台阶的水平表面上。由此，阻挡脊的凸起没有增加。因此，由于底切的凸起的厚度的减小，所以本发明实施例中的凸起不会向总线崩塌。因此，能够防止由于凸起崩塌而导致第一电极与第二电极之间短路。
本领域的技术人员很清楚，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，对实施例进行各种修改和变型。因此，如果本发明的修改和变型落在所附权利要求
及其等同物的范围内，则本发明的实施例亦涵盖这些修改和变型。
权利要求
1.一种双板有机电致发光器件，所述双板有机电致发光器件包括具有多个像素区的第一基板和第二基板，其中第一基板和第二基板彼此面对；第一基板上的各个像素区中的薄膜晶体管；第二基板上的第一电极；总线，其位于第一电极上的除了像素区之外的区域中，使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状；位于总线的外侧部分上以包围各个像素区的阻挡脊；在各个像素区中位于第一电极上的有机电致发光层；在各个像素区中形成在阻挡脊和有机电致发光层上的第二电极；以及连接薄膜晶体管和第二电极的连接图案。
2.根据权利要求
1所述的双板有机电致发光器件，其中，阻挡脊具有包括在总线上方突出的凸起的底切结构。
3.根据权利要求
2所述的双板有机电致发光器件，该双板有机电致发光器件还包括位于总线上的哑层，其中凸起与哑层交叠。
4.根据权利要求
1所述的双板有机电致发光器件，其中，总线包围像素区。
5.根据权利要求
1所述的双板有机电致发光器件，其中，总线呈圆角的拉长矩形形状。
6.根据权利要求
1所述的双板有机电致发光器件，其中，总线呈蜂窝形状。
7.根据权利要求
1所述的双板有机电致发光器件，其中，连接图案包括电连接到薄膜晶体管的像素电极；以及连接第二电极和像素电极的导电间隔物。
8.根据权利要求
1所述的双板有机电致发光器件，其中，第一电极是透明电极。
9.根据权利要求
8所述的双板有机电致发光器件，其中，第一电极是氧化铟锡、氧化铟锌和氧化铟锡锌中的一种。
10.根据权利要求
1所述的双板有机电致发光器件，其中，总线由遮光金属制成。
11.根据权利要求
10所述的双板有机电致发光器件，其中，遮光金属是钛、钼、钙、钾、镁、钡、铜和铝中的一种。
12.一种双板有机电致发光器件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤在第一基板上限定多个像素区；在第一基板上的各个像素区中形成薄膜晶体管；在第二基板的整个表面上淀积第一电极；在第一基板上的除了像素区之外的区域中形成总线，使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状；在总线的外侧部分形成阻挡脊以包围各个像素区；在各个像素区中在第一电极上形成有机电致发光层；在各个像素区中在阻挡脊和有机电致发光层上形成第二电极；以及在第一基板和第二基板的外部形成密封图案，并在薄膜晶体管与第二电极之间按使得第二电极电连接到薄膜晶体管的方式插入导电间隔物以接合第一基板和第二基板。
13.根据权利要求
12所述的制造方法，其中，阻挡脊具有在总线上方突出的底切结构。
14.根据权利要求
12所述的制造方法，其中，总线具有蜂窝形状。
15.根据权利要求
12所述的制造方法，其中，形成阻挡脊的步骤包括以下步骤在总线上形成哑层；按使得阻挡脊与总线的外部和哑层交叠的方式形成阻挡脊；以及选择性地去除相邻阻挡脊之间的哑层。
16.根据权利要求
12所述的制造方法，其中，第一电极是透明电极。
17.根据权利要求
16所述的制造方法，其中，第一电极由氧化铟锡、氧化铟锌、和氧化铟锡锌中的一种制成。
18.根据权利要求
12所述的制造方法，其中，总线由遮光金属制成。
19.根据权利要求
18所述的制造方法，其中，遮光金属包括钛、钼、钾、钙、镁、钡、铜和铝中的至少一种。
20.根据权利要求
12所述的制造方法，其中，总线呈圆角的拉长矩形形状。
专利摘要
本发明提供双板有机电致发光器件及其制造方法。双板有机电致发光器件包括具有多个像素区的第一基板和第二基板，其中第一基板和第二基板彼此面对；第一基板上的各个像素区中的薄膜晶体管；第二基板上的第一电极；总线，其位于第一电极上的除了像素区之外的区域中，使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状；位于总线的外侧部分上以包围各个像素区的阻挡脊；在各个像素区中位于第一电极上的有机电致发光层；在各个像素区中形成在阻挡脊和有机电致发光层上的第二电极；以及连接薄膜晶体管和第二电极的连接图案。
文档编号H01L21/02GK1992333SQ200610156636
公开日2007年7月4日 申请日期2006年12月29日
发明者李在允, 李晙硕, 金英美 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan