专利名称：一种钯栅场效应晶体管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种钯栅MOS器件的结构。
现有钯栅MOS器件的氢敏钯层是复盖在栅区氧化层上的金属栅极，由于钯层与氧化层的粘着不够牢固，往往会从栅区脱落，造成器件失效。
本实用新型的目的是为克服上述现有技术的缺陷，避免钯栅脱落，提高器件的可靠性。
本实用新型钯栅MOS器件结构的特征在于，在器件的漏、源两区金属电极(1，2)与栅区(3)之间的绝缘层(4)上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层(5)，并使金属栅钯层(6)的边缘扩展至此粘结层上，在栅外边缘处形成钯层一粘结层一绝缘层的牢固粘结结构。
由于钯栅的边缘与器件整体粘结牢固，就可以避免钯栅的脱落。与现有技术相比，本实用新型具有更高可靠性的积极效果。
附图为本实用新型钯栅MOS器件结构一项实施例的剖面示意图。其中1为漏区金属电极，2为源区金属电极，3为栅区，4为SiO2层，5为多晶硅层，6为金属栅钯层。
本实用新型钯栅MOS器件一项实施例的剖面结构示意于附图。该项实施例在器件的漏、源两区金属电极(1，2)与栅区(3)之间的绝缘层为SiO2层(4)，用多晶硅层(5)作为与SiO2层和钯层均能牢固粘着的粘结层。
权利要求1.一种钯栅MOS器件的结构，其特征在于，在器件的漏、源两区金属电极与栅区之间的绝缘层上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层，并使金属栅钯层的边缘扩展至此粘结层上，在栅外边缘形成钯层一粘结层一绝缘层的牢固粘结结构。
2.按照权利要求1所述钯栅MOS器件的结构，其特征在于，所述在器件的漏、源两区金属电极与栅区之间的绝缘层为SiO2层，所述一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层是多晶硅层。
专利摘要本实用新型公开了一种钯栅MOS器件的结构，它在钯栅的周边有“钯层—粘结层—绝缘层”的牢固粘结结构，避免了钯层从栅区脱落，提高了器件的可靠性。
文档编号H01L23/00GK2107066SQ91222970
公开日1992年6月10日 申请日期1991年12月11日 优先权日1991年12月11日
发明者徐永祥 申请人:中国科学院半导体研究所