一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示
目.0
【背景技术】
[0002]目前，柔性显示技术发展迅速，柔性显示装置凭借其轻薄、耐用、可弯曲等特性，已经成为显示领域的重要发展方向。
[0003]柔性显示装置中的电极，例如像素电极，需要具有良好的机械强度和柔韧性，以满足柔性显示装置的可弯曲特性。由于诸如氧化铟锡(Indium Tin Oxides, ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxides, IZO)等透明导电氧化物材料的机械强度和柔韧性较差，因此，透明导电氧化物不适于制作柔性显示装置中的电极。现有的柔性显示装置一般采用碳材料制作电极，虽然采用碳材料可以满足柔性显示装置对机械强度和柔韧性的要求，但采用碳材料制作的电极的方阻较大，会增加柔性显示装置的功耗。
[0004]因此，如何制作具有较低方阻值的柔性电极，以适用于柔性显示中，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供了一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置，用以制作具有较低方阻值的柔性电极，以适用于柔性显示中。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种电极结构的制作方法，包括:
[0007]在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；
[0008]采用改性材料对所述碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形；或者，对所述碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对所述碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形。
[0009]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在形成包括第一电极的图形之后，还包括:
[0010]在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
[0011]对所述保护层薄膜进行构图工艺，形成包括与所述第一电极的图形一一对应的第二电极的图形；其中，所述第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面。
[0012]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体包括:
[0013]在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上涂布聚3，4_乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料、聚对苯撑乙烯材料、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。
[0014]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理之后，在对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺之前，还包括:
[0015]在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
[0016]对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括:
[0017]对所述保护层薄膜和所述经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极和第二电极的图形；其中，所述第二电极的图形与所述第一电极的图形一一对应，且所述第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面。
[0018]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体包括:
[0019]在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上涂布聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料、聚对苯撑乙烯材料、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。
[0020]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体包括:
[0021 ] 在衬底基板上涂布碳纳米管分散液；
[0022]对涂布的碳纳米管分散液进行干燥处理。
[0023]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体包括:
[0024]在衬底基板上涂布固化材料；
[0025]采用拉膜工艺在所述固化材料上形成碳纳米管膜层薄膜；
[0026]对形成有所述碳纳米管膜层薄膜的衬底基板进行固化处理。
[0027]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体包括:
[0028]将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长；
[0029]从所述改性溶液中取出所述衬底基板，采用去离子水对所述衬底基板进行清洗；
[0030]对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理；
[0031]对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，具体包括:
[0032]将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长；
[0033]从所述改性溶液中取出所述衬底基板，采用去离子水对经过所述衬底基板进行清洗；
[0034]对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。
[0035]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体包括:
[0036]将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种溶液中，放置5min_30min ；
[0037]将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体包括:
[0038]将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种溶液中，放置 5min_30mino
[0039]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体包括:
[0040]在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液；
[0041]采用去离子水对喷淋有所述改性溶液的衬底基板进行清洗；
[0042]对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理；
[0043]对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，具体包括:
[0044]在预设时间内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋改性溶液；
[0045]采用去离子水对喷淋有所述改性溶液的衬底基板进行清洗；
[0046]对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。
[0047]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液，具体包括:
[0048]在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种；
[0049]在预设时间内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋改性溶液，具体包括:
[0050]在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种。