底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形，或者，对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形；这样，通过在碳纳米管材料中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，从而可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求。
[0120]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种电极结构的制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜； 采用改性材料对所述碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形；或者，对所述碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对所述碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成包括第一电极的图形之后，还包括: 在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜； 对所述保护层薄膜进行构图工艺，形成包括与所述第一电极的图形一一对应的第二电极的图形；其中，所述第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体包括: 在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上涂布聚3，4_乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料、聚对苯撑乙烯材料、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理之后，在对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺之前，还包括: 在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜； 对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括: 对所述保护层薄膜和所述经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极和第二电极的图形；其中，所述第二电极的图形与所述第一电极的图形一一对应，且所述第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体包括: 在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上涂布聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料、聚对苯撑乙烯材料、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。
6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体包括: 在衬底基板上涂布碳纳米管分散液； 对涂布的碳纳米管分散液进行干燥处理。
7.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体包括: 在衬底基板上涂布固化材料； 采用拉膜工艺在所述固化材料上形成碳纳米管膜层薄膜； 对形成有所述碳纳米管膜层薄膜的衬底基板进行固化处理。
8.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体包括: 将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长； 从所述改性溶液中取出所述衬底基板，采用去离子水对所述衬底基板进行清洗； 对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理； 对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，具体包括: 将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长； 从所述改性溶液中取出所述衬底基板，采用去离子水对经过所述衬底基板进行清洗； 对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体包括: 将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种溶液中，放置5min_30min ； 将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体包括: 将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种溶液中，放置5min_30mino
10.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体包括: 在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液； 采用去离子水对喷淋有所述改性溶液的衬底基板进行清洗； 对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理； 对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，具体包括: 在预设时间内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋改性溶液； 采用去离子水对喷淋有所述改性溶液的衬底基板进行清洗； 对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液，具体包括: 在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种； 在预设时间内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋改性溶液，具体包括: 在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种。
12.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括: 对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行激光烧灼工艺； 对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括:对碳纳米管膜层薄膜进行激光烧灼工艺。
13.一种电极结构，其特征在于，采用如权利要求1-12任一项所述的方法制作。
14.一种显示基板，其特征在于，包括:如权利要求13所述的电极结构。
15.一种显示装置，其特征在于，包括:如权利要求14所述的显示基板。
【专利摘要】本发明公开了一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置，该电极结构的制作方法包括：在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形，或者，对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形；这样，通过在碳纳米管材料中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，从而可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求。
【IPC分类】H01L21-02, H01L21-48, H01L23-48
【公开号】CN104576321
【申请号】CN201510051430
【发明人】杨久霞, 白峰
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月30日