层薄膜进行激光烧灼工艺。当然，此处的构图工艺并非局限于采用激光烧灼工艺，还可以为诸如光刻等方式，在此不做限定。
[0089]实例二:本发明实施例提供的电极结构的制作方法，如图2所示，具体包括如下步骤:
[0090]S201、在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；
[0091]S202、对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形；
[0092]S203、采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形。
[0093]本发明实例二提供的上述方法，通过在碳纳米管电极的图形中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，因此，采用本发明实例二提供的上述方法制作的第一电极可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求。
[0094]在具体实施时，由于第一电极的材料为掺有改性材料的碳纳米管材料，其稳定性较差，因此，在执行本发明实例二中的步骤S203，形成包括第一电极的图形之后，如图2所示，还可以包括如下步骤:
[0095]S204、在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
[0096]S205、对保护层薄膜进行构图工艺，形成包括与第一电极的图形一一对应的第二电极的图形；其中，第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面；即第二电极可以仅覆盖对应的第一电极的上表面，或者，第二电极也可以覆盖对应的第一电极的上表面和侧面，在此不做限定；这样，第二电极可以保护第一电极，使第一电极具有良好的稳定性。
[0097]在具体实施时，本发明实例二中的步骤S201在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜的具体实施与实例一中步骤SlOl在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜的具体实施类似，在此不做赘述。
[0098]在具体实施时，本发明实例二中的步骤S202对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺的具体实施与实例一中步骤S103对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺的具体实施类似，在此不做赘述。
[0099]在具体实施时，本发明实例二中的步骤S203采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理的具体实施与实例一中步骤S102采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理的具体实施类似，在此不做赘述。
[0100]在具体实施时，本发明实例二中的步骤S204在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜的具体实施与实例一中步骤S104在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜的具体实施类似，在此不做赘述。
[0101]实例三:本发明实施例提供的电极结构的制作方法，如图3所示，具体包括如下步骤:
[0102]S301、在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；
[0103]S302、采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理；
[0104]S303、在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
[0105]S304、对保护层薄膜和经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极和第二电极的图形；其中，第二电极的图形与第一电极的图形一一对应，且第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面；即第二电极可以仅覆盖对应的第一电极的上表面，或者，第二电极也可以覆盖对应的第一电极的上表面和侧面，在此不做限定；这样，第二电极可以保护第一电极，使第一电极具有良好的稳定性。
[0106]本发明实例三提供的上述方法，通过在碳纳米管膜层薄膜中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，并且，第一电极上方的第二电极可以保护第一电极以使第一电极具有良好的稳定性，因此，采用本发明实例三提供的上述方法制作的电极不仅可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求，还可以满足柔性显示对柔性电极的长期稳定性的要求。
[0107]在具体实施时，本发明实例三中的步骤S301在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜的具体实施与实例一中步骤SlOl在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜的具体实施类似，在此不做赘述。
[0108]在具体实施时，本发明实例三中的步骤S302采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理的具体实施与实例一中步骤S102采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理的具体实施类似，在此不做赘述。
[0109]在具体实施时，本发明实例三中的步骤S303在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜的具体实施与实例一中的步骤S104在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜的具体实施类似，在此不做赘述。
[0110]在具体实施时，本发明实例二中的步骤S304对保护层薄膜和经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺的具体实施与实例一中步骤S103对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺的具体实施类似，在此不做赘述。
[0111]通过实验测试，采用本发明实施例提供的上述方法制作的电极结构的电导率可以到达12000s/cm-90000s/cm，方阻值可以达到10 Ω/ □，可以满足柔性显示对电极的柔韧性和导电性的要求。
[0112]需要说明的是，采用本发明实施例提供的上述方法形成的包括第一电极的图形具体可以为一个整体的结构，例如:液晶显示面板中整层设置的公共电极的图形；或者，也可以为多个独立的结构，例如:液晶显示面板中可以独立显示的多个像素电极的图形，在此不做限定。
[0113]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板，包括本发明实施例提供的上述电极结构，该显示基板的实施可以参见上述电极结构的实施例，重复之处不再赘述。
[0114]具体地，本发明实施例提供的上述显示基板可以应用于高级超维场开关(Advanced Super Dimens1n Switch, ADS)型液晶显不面板或平面内开关(In-PlaneSwitch, IPS)型液晶显不面板，本发明实施例提供的上述显不基板可以为ADS型液晶显不面板或IPS型液晶显示面板中的阵列基板，本发明实施例提供的上述电极结构可以为阵列基板一侧的像素电极或公共电极。本发明实施例提供的上述显示基板也可以应用于扭转向列(Twisted Nematic, TN)型液晶显示面板，本发明实施例提供的上述显示基板可以为TN型液晶显示面板中的阵列基板，本发明实施例提供的上述电极结构可以为阵列基板一侧的像素电极；或者，本发明实施例提供的上述显示基板也可以为TN型液晶显示面板中的彩膜基板，本发明实施例提供的上述电极结构可以为彩膜基板一侧的公共电极；在此不做限定。
[0115]具体地，本发明实施例提供的上述显示基板还可以应用于有机电致发光显示面板(Organic Electroluminesecent Display, OLED)，本发明实施例提供的上述电极结构可以为OLED中的阵列基板一侧的阳极或阴极，在此不做限定。
[0116]当然，本发明实施例提供的上述显示基板还可以应用于电子纸等显示装置，在此不做限定。
[0117]需要说明的是，本发明实施例提供的上述显示基板的其他部件和现有的结构大致相同，在此不作详述。
[0118]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板，该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
[0119]本发明实施例提供的一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置，该电极结构的制作方法包括:在衬