有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在IT0玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层 低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。
[0003] 有机电致发光材料对氧气及水汽侵入特别敏感，一方面因为氧气是浑灭剂，会使 0L邸的发光量子效率显著下降，氧气对0L邸的氧化作用也会使0L邸的传输能力下降；另 一方面，水汽对0L邸的影响更显而易见，它的主要破坏方式是使对0L邸的有机化合物水 解，从而降低0L邸的稳定性和寿命。因而，有效抑制0L邸在长期工作过程中的退化和失效， W使0L邸稳定工作达到足够的寿命，该对封装材料的阻隔性提出了极高的要求，而起密封 保护作用的封装技术就成了解决0LED寿命问题的一个突破点。
[0004] 封装技术是通过形成结构致密的阻挡层，对封装区内的核也部件实现物理保护。 W无机材料（例如为氮化娃）作为有机电致发光器件的阻挡层的技术已相当成熟且广泛应 用于各式显示器中。
[0005] 柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前普遍存在寿命短，其封装的好 坏直接影响器件的寿命。然而，在制作柔性的机电致发光器件(亦称为可挽式机电致发光器 件）的制造工艺中，由于无机材料的可挽性不佳，W致有机发光装置在经过弯曲之后，阻挡 层会产生裂缝。如此一来，水汽会经由裂缝渗入而影响薄膜晶体管的电性。若W有机材料 作为纯化保护层，则可拥有较佳的可挽性。然而，有机材料的阻水能力较无机材料差，因此 水汽容易渗入有机发光装置而影响其电性。因此，如何提升柔性的有机电致发光器件的可 靠性实为目前亟欲解决的议题之一。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光 器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次包括：阳极导电基板、空穴注入层、 空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层W及所述阴极层上交替层叠的有机 阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层；
[0007] 其中：
[0008] 所述有机阻挡层的材质为娃碳氮化合物膜；
[0009] 所述第一无机阻挡层的材质为B203 : F、AI2O3: F、Ga2〇3: F、咕化:F或化化:F。
[0010] 所述第二无机阻挡层的材质为Ti化:F、Zr化:F或册化:尸。
[0011] 进一步地，所述娃碳氮化合物膜是使用甲基娃焼、N& W及&作为原材料并通过等 离子增强化学气相沉积方法而制得的。
[0012] 进一步地，所述第一无机阻挡层是使用H氣甲基物和水蒸气作为原材料并通过原 子层沉积方法而制得的，所述H氣甲基物为B (C&巧3、A1 (C&巧3、Ga(C&巧3、In (C&F) 3或 T1(CH巧 3。
[0013] 进一步地，所述第二无机阻挡层是使用胺基物和水蒸气作为原材料并通过原子层 沉积方法而制得的，所述胺基物为[1'1(^012巧2)4]、口^^012巧2)4]或出^^(：&巧2)4]。
[0014] 进一步地，所述有机阻挡层、所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层交替层 叠的层数为四、五或六。
[0015] 进一步地，所述有机阻挡层的厚度为lOOnm~150nm ;所述第一无机阻挡层和所述 第二无机阻挡层的厚度均为15皿~20皿。
[0016] 本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，其包括W下步骤：
[0017] (a)采用真空蒸锻方法在清洗干净的阳极导电基板上依次形成空穴注入层、空穴 传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
[0018] (b)在所述阴极层上，先使用甲基娃焼、N& W及&作为原材料并通过等离子增强 化学气相沉积方法而制得有机阻挡层；然后在所述有机阻挡层上使用H氣甲基物和水蒸气 作为原材料并通过原子层沉积方法而制得第一无机阻挡层；接着在所述第一无机阻挡层上 使用胺基物和水蒸气作为原材料并通过原子层沉积方法而制得第二无机阻挡层；最后，依 次交替层叠制备有机阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层；其中：
[0019] 所述有机阻挡层的材质为娃碳氮化合物膜；
[0020] 所述第一无机阻挡层的材质为B2化:F、Al2化:F、Ga2化:F、Iri2化:F或化化:F ;所述H 氣甲基物为B (邸2巧3、A1 (邸2巧3、Ga (邸2巧3、In (邸2巧3或T1 (邸2巧3。
[00川所述第二无机阻挡层的材质为Ti02:F、Zr02:F或Hf02:F ;所述胺基物为 [Ti(N(CH2巧 2)4]、口r(N(CH2巧 2)4]或出f(N(CH2巧 2)4];
[0022] 所述有机阻挡层、所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层交替层叠制备的次 数均为四、五或六。
[0023] 进一步地，所述步骤（b)中，采用等离子增强化学气相沉积方法制备所述有机阻挡 层时，所述&流量190~210sccm，所述甲基娃焼流量4~lOsccm，所述&与所述甲基娃焼 流量比值范围为20~30,所述有机阻挡层的厚度为lOOnm~150nm。
[0024] 进一步地，所述步骤（b)中，采用原子层沉积方法制备所述第一无机阻挡层时，注 入所述H氣甲基物和所述水蒸气时两者之间间隔5~10s的馬，所述H氣甲基物和所述水 蒸气的注入时间为10~20ms，流量均为10~20sccm，所述第一无机阻挡层的厚度15~ 20nm。
[00巧]进一步地，所述步骤（b)中，采用原子层沉积方法制备所述第二无机阻挡层时， 注入所述胺基物和所述水蒸气时两者之间间隔5~10s的馬，所述胺基物的注入时间为 0. 2~Is,所述水蒸气的注入时间为20~40ms，所述胺基物和所述水蒸气的流量均为10~ 20sccm,所述第二无机阻挡层的厚度15~20皿。
[0026] 与现有技术相比，本发明的有机电致发光器件具有W下的优点：
[0027] 第一，本发明有机电致发光器件的有机阻挡层为娃碳氮化合物（SiCxNy)，其具有 W下优良性能；1、有机阻挡层由于存在娃碳氮化合物的氮原子导致相对于第一无机阻挡层 的化学键力增加，从而使得第一无机阻挡层与有机阻挡层粘结性强，进而导致本发明的阻 挡层的粘合性增加；2、有机阻挡层均没有孔隙，边缘没有缺陷，平整度高，具有膜的致密性， 对氧气屏蔽能力强。3、娃碳氮化合物膜用作有机电致发光器件的保护膜时，可延长水氧路 径，即延长水从外面渗透到功能层的路径，防水能力大大提高。4、有机阻挡层采用等离子体 增强化学气相沉积制备，而等离子体增强化学气相沉积有助于膜层氨化碳氮化合物在不同 形状的基底上形成膜，从而有利于膜的挽性。另外，等离子体增强化学气相沉积可在室温下 使用，因此可具有宽范围的应用。
[0028] 第二，本发明有机电致发光器件的第一无机阻挡层和第二无机阻挡层膜层致密性 好，边缘没有缺陷，为低于20%的非结晶性物质。而第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的同 一层内，选取不同材质进行惨杂，可大大降低其内应力。
[0029] 第H，有机阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层之间呈交替重叠的结构，该 交替重叠的结构互补地利用了有机阻挡层的强挽性和第一无机阻挡层和第二无机阻挡层 的强阻水能力，从而避免现有技术中有机阻挡层的阻水能力差和无机阻挡层挽性差而产生 的问题。
[0030] 综上所述，本发明依次层叠的有机阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层，所 述有机阻挡层的材质为娃碳氮化合物膜，致密性高，防水氧能力强、抗腐蚀性并应力耐久性 强，而本发明的制备方法具有原料廉价、工艺简单W及易于大面积制备等特点。
【附图说明】
[0031] 图1是本发明实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。
[0032] 图2是本发明实施例2的有机电致发光器件的结构示意图。
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