氧化物，包括氧化铟锡(IT0)、掺铝氧化锌(AZ0)、掺铟氧化锌(IZO)或掺氟氧化锌(FTO)的任意一种，其基板的材质可为玻璃、塑料或金属，可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板。在实际应用中，可以在阳极导电基板上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板为现有技术，在此不再赘述。
[0043]所述空穴注入层材料采用三氧化钥(MoO3),还可采用三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),厚度为20-80nm，优选为MoO3,厚度为25nm。
[0044]所述空穴传输材料采用的是I, 1-二 [4_[N,N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4,，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(1'0^)、1^-(1-萘基)州州’-二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)。厚度为20-60nm，优选为TCTA，厚度为50nm。
[0045]所述发光层为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4,-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I'-联苯(BCzVBi )、8_羟基喹啉铝(Alq3)，厚度为5_40nm，优选为BCzVBi，厚度优选为24nm。
[0046]所述电子传输层采用4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI )，厚度为40-250nm，优选为Bphen，厚度为150nm。
[0047]所述阴极为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，厚度为80_250nm，优选为Ag，厚度为 150nm。
[0048]以下以实施例1?4对本发明的有机电致发光器件及其制备方法作具体说明:
[0049]实施例1
[0050]如图1所示，本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0051]玻璃/IZO的阳极导电基板101、MoO3材质的空穴注入层102、TAPC材质的空穴传输层103、ADN材质的发光层104、TPBI材质的电子传输层105、UGH2材质的有机娃小分子层106、Rb2CO3 = CsN3M质的铷化合物掺杂层107、二氧化钛层108以及Ag材质的阴极层109。有机硅小分子层106、铷化合物掺杂层107和二氧化钛层108组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂)
[0052]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0053]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0054]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板101。
[0055]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板101转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8X KT4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为25nm的空穴注入层102、材料为1，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烧且厚度为50nm的空穴传输层103、材料为9，10- 二 - β -亚萘基蒽且厚度为24nm的发光层104、材料为N-芳基苯并咪唑且厚度为150nm的电子传输层105。
[0056]4、然后在上述电子传输层105上依次制备有机硅小分子层106、铷化合物掺杂层107和二氧化钛层108:
[0057]首先采用热阻蒸镀制备有机硅小分子层106，，材料为UGH2，制得的厚度为20nm ；
[0058]接着在有机娃小分子层106上采用热阻蒸镀制备Rb2CO3 = CsN3材质的铷化合物掺杂层107，Rb2CO3与CuPc的掺杂质量比为4:1，制得的厚度为35nm ；
[0059]然后在铷化合物掺杂层107上采用电子束制备二氧化钛层108，厚度为30nm。T12粒径为25nm。电子束蒸镀的能量密度为60W/cm2。
[0060]5、最后蒸镀制备金属阴极层109,蒸镀速率为2nm/s,所用材质为银,厚度为80nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0061]图2为本实施例1的有机电致发光器件与一般器件的电流密度与电流效率的关系图。
[0062]测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0063]所述一般器件的结构为普通玻璃/IT0/Mo03/TCTA/BCzVBi/Bphen/CsF/Ag。图2中，横坐标为电流密度的大小，纵坐标为流明效率的大小，曲线I为实施例1有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系曲线，曲线2为对比例器件的电流密度与流明效率的关系曲线。
[0064]从图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，最大的电流效率效率为12.48cd/A，而对比例的仅为9.96cd/A，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明本发明专利的电子注入层可加强光的散射，提高出光效率，加强电子的传输速率，提高膜层稳定性，使向两侧发射的光可以回到中间底部出射。这种方法有利于提高器件的发光效率。
[0065]实施例2
[0066]以下实施例2-4的有机电致发光器件的层状结构与实施例1的层状结构基本相同，故在此不再加图示说明。
[0067]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0068]玻璃/1ZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、NPB材质的空穴传输层、DCJTB材质的发光层、TPBI材质的电子传输层、UGHl材质的有机娃小分子层、RbCl: CsF材质的铷化合物掺杂层、二氧化钛层以及Pt材质的阴极层。有机硅小分子层、铷化合物掺杂层和二氧化钛层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂)
[0069]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0070]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0071]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为300V的加速电压、50G的磁场以及40W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为AZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0072]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为10nm/S的蒸镀速率和2X10_3Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板依次蒸镀材料为V2O5,厚度为40nm的空穴注入层、材料为NPB，厚度为45nm的空穴传输层、材料为DCJTB，厚度为Snm的发光层、材料为TPBi，厚度为65nm的电子传输层。
[0073]4、然后在上述电子传输层上依次制备有机硅小分子层、铷化合物掺杂层和二氧化钛层:
[0074]首先采用热阻蒸镀制备有机硅小分子层，材料为UGH1，制得的厚度为1nm ；
[0075]接着在有机硅小分子层上采用热阻蒸镀制备RbCl:CsF材质的铷化合物掺杂层，RbCl与CsF的掺杂质量比为1:1，制得的厚度为50nm ；
[0076]然后在铷化合物掺杂层上采用电子束制备二氧化钛层，厚度为50nm。T12粒径为25nm。电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2。
[0077]5、最后蒸镀制备金属阴极层,蒸镀速率为10nm/s,所用材质为银,厚度为80nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0078]实施例3
[0079]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0080]玻璃/ITO的阳极导电基板、WO3材质的空穴注入层、TAPC材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、TPBI材质的电子传输层、UGH3材质的有机娃小分子层、RbNO3 = Cs2CO3材质的铷化合物掺杂层、二氧化钛层以及Au材质的阴极层。有机硅小分子层、铷化合物掺杂层和二氧化钛层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂)
[0081]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0082]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0083]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为800V的加速电压、200G的磁场以及lW/cm2的功率密度，使用磁控溅射设