一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件技术领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制 备方法。
【背景技术】
[0002] 目前，有机电致发光器件（0LED)存在寿命较短的问题，该主要是由于侵入的氧气 及水汽造成的。一方面，氧气是浑灭剂，会使发光量子效率显著下降，同时，氧气会与发光 层发生氧化作用，生成的撰基化合物也是有效的浑灭剂；另一方面，水汽的影响更显而易 见，它的主要破坏方式是使得器件内的有机化合物发生水解作用，同时也会与金属阴极发 生反应，使其稳定性大大下降，从而导致器件失效，降低使用寿命。因此，为了有效抑制 有机电致发光器件（0LED)在长期工作过程中的退化和失效，W使稳定工作达到足够的寿 命，起密封保护作用的封装技术就成了解决有机电致发光器件（0LED)寿命问题的一个突 破点，同时，该对封装材料的阻隔性提出了极高的要求。
[0003] 常用的有机电致发光器件（0LED)的封装技术是在基底上采用盖板封装，盖板封装 还需用密封胶对盖板和基底进行密封。密封胶的多孔性使得氧气和水汽很容易渗入器件内 部，因此采用该种封装方式时一般还需要在器件内加入干燥剂。随着器件内的干燥剂吸附 大量的氧气和水汽，使得干燥剂在短时间内失去了吸收能力，导致器件内逐渐积聚氧气和 水汽，从而使得器件的寿命显著下降；其中通常采用的玻璃盖板或金属盖板为脆性材料，易 产生裂纹，制得器件会显得十分厚重，不适用于柔性器件。因此，如何减少氧气和水汽对器 件的渗透，提高器件的寿命，尤其是提高柔性器件的寿命已成为当今技术人员所要急切解 决的问题之一。
【发明内容】
[0004] 为解决上述问题，本发明第一方面提供了一种有机电致发光器件，即在阴极 表面上设置封装层；本发明提供的封装层具有很高的致密性，防水性能(WVTR)达到了 4. 75X l(T5g/m2 'day左右，有效地减少了外部的氧气、水汽等活性物质对有机电致发光器件 内的有机化合物及电极的侵蚀，从而对器件形成了有效的保护，提高了器件的寿命，尤其是 柔性器件的寿命，使得器件的寿命达到了 9800小时W上（T70@1000cd/m2);本发明第二方面 还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，本制备方法工艺简单，易大面积制备，制成的 膜的厚度、致密性和均匀性好，同时避免了有害物质的污染。
[0005] 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括阳极导电基底W及在所述 阳极导电基底的表面上依次层叠设置的有机发光功能层、阴极和封装层；所述封装层包括 在所述阴极的表面上依次层叠设置的无机阻挡层和有机阻挡层；所述无机阻挡层的材质为 氯惨杂的氧化测（B2化:C1)、氯惨杂的氧化铅（AI2化:C1)、氯惨杂的氧化嫁（Ga2化:C1)、氯惨 杂的氧化钢（In2化:C1)或氯惨杂的氧化佗（T12化:C1);所述有机阻挡层的材质为直链烷基 嫁，所述直链烷基嫁的结构式如P所示：
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，包括阳极导电基底以及在所述阳极导电基底的表面 上依次层叠设置的有机发光功能层、阴极和封装层，其特征在于，所述封装层包括在所 述阴极的表面上依次层叠设置的无机阻挡层和有机阻挡层；所述无机阻挡层的材质 为氯掺杂的氧化硼、氯掺杂的氧化铝、氯掺杂的氧化镓、氯掺杂的氧化铟或氯掺杂的 氧化铊；所述有机阻挡层的材质为直链烷基镓，所述直链烷基镓的结构式如P所示：
其中K是1~4的整数。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为 15nm~20nm ;所述有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层和所述有 机阻挡层形成一个封装单元，所述封装层由4~6个所述封装单元层叠而成。
4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极导电基底为导电 玻璃基底、导电金属基底或导电塑料基底。
5. 根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电玻璃基底的材质 为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物； 所述导电塑料基底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚砜醚、聚对萘二甲酸乙二醇酯 或聚酰亚胺。
6. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机发光功能层包括 发光层，以及包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
7. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (1) 首先在洁净的导电基底的表面上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电 基底，然后采用真空蒸镀的方法在所述阳极导电基底的表面上依次层叠制备有机发光功能 层和阴极； (2) 在所述阴极的表面上制备封装层，所述封装层包括在所述阴极的表面上依次层叠 设置的无机阻挡层和有机阻挡层，制备方法如下： a) 无机阻挡层的制备：采用原子层沉积法在所述阴极的表面上制备无机阻挡层，所述 原子层沉积的工作压强为IOPa~50Pa，温度为40°C~60°C ;所述无机阻挡层的材质为氯 掺杂的氧化硼、氯掺杂的氧化铝、氯掺杂的氧化镓、氯掺杂的氧化铟或氯掺杂的氧化铊，所 述沉积无机阻挡层的过程中采用的前驱体为三氯甲基硼、三氯甲基铝、三氯甲基镓、三氯甲 基铟或三氯甲基铊中的一种三氯甲基物和水蒸气；所述三氯甲基物和所述水蒸气的注入时 间均为IOms~20ms，注入所述三氯甲基物与注入所述水蒸气之间间隔5s~IOs注入氮气 作为净化气体；所述三氯甲基物、所述水蒸气和所述氮气的流量均为IOsccm~20sccm ; b) 有机阻挡层的制备：采用磁控溅射的方法在所述无机阻挡层的表面上制备有机阻 挡层，所述磁控溅射的真空度为1X10 ^5Pa~1X10 -3Pa,加速电压为300V~800V，磁场 为50G~200G，功率密度为lW/cm2~40W/cm 2 ;所述有机阻挡层的材质为直链烷基镓，所述 直链烷基镓的结构式如P所示：<
:中K是1~4的 整数。
8. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡 层的厚度为15nm~20nm;所述有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
9. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡 层和所述有机阻挡层形成一个封装单元，依次按步骤（a)、（b)顺序交替重复步骤（2) 4~6 次，制备得到由4~6个所述封装单元重复形成的封装层。
10. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阳极导电 基底为导电玻璃基底、导电金属基底或导电塑料基底。
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极导电基底、有机发光功能层、阴极和封装层；封装层包括在阴极表面上依次层叠设置的无机阻挡层和有机阻挡层；无机阻挡层的材质为B2O3:Cl，Al2O3:Cl，Ga2O3:Cl，In2O3:Cl或Tl2O3:Cl；有机阻挡层的材质为直链烷基镓，结构式为P：K是1～4的整数。本发明公开的封装层具有很高的致密性，有效地减少了氧气、水汽等物质对有机电致发光器件内的有机化合物及电极的侵蚀，从而提高了器件尤其是柔性器件的寿命，使器件寿命达到了9800小时以上；本发明第二方面还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51-52, H01L51-56, H01L51-54
【公开号】CN104638158
【申请号】CN201310560609
【发明人】周明杰, 钟铁涛, 王平, 冯小明
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月12日