基板的材质可为玻璃、塑料或金属，可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板。在实际应用中，可以在阳极导电基板上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板为现有技术，在此不再赘述。
[0042]所述空穴注入层材料采用三氧化钥(MoO3),还可采用三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),厚度为20-80nm，优选为MoO3,厚度为25nm。
[0043]所述空穴传输材料采用的是I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (1_萘基)州，N，-二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)。厚度为20-60nm，优选为TCTA，厚度为50nm。
[0044]所述发光层为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -联苯(BCzVBi )、8_羟基喹啉铝(Alq3),厚度为5_40nm，优选为BCzVBi，厚度优选为 24nm。
[0045]所述电子传输层采用4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI )，厚度为40-250nm，优选为Bphen，厚度为150nm。
[0046]所述阴极为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，厚度为80_250nm，优选为Ag，厚度为 150nm。
[0047]以下以实施例1?4对本发明的有机电致发光器件及其制备方法作具体说明:
[0048]实施例1
[0049]如图1所示，本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0050]玻璃/IZO的阳极导电基板1UMoO3材质的空穴注入层102、TAPC材质的空穴传输层103、ADN材质的发光层104、TPBI材质的电子传输层105、Si02材质的钝化层106、Rb2C03:CuPc材质的铷化合物掺杂层107以及Ag材质的阴极层108。钝化层106和铷化合物掺杂层107组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂)
[0051]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0052]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0053]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为300V的加速电压、50G的磁场以及40W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板101。
[0054]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板101转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为lOnm/s的蒸镀速率和3X10_3Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为25nm的空穴注入层102、材料为1，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烧且厚度为50nm的空穴传输层103、材料为9，10- 二 - β -亚萘基蒽且厚度为24nm的发光层104、材料为N-芳基苯并咪唑且厚度为150nm的电子传输层105。
[0055]4、然后在上述电子传输层105上依次制备钝化层106与铷化合物掺杂层107:
[0056]首先采用电子束制备钝化层106，所用电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2，材料为S12，制得的钝化层106厚度为5nm ；
[0057]接着在钝化层106上采用热阻蒸镀制备Rb2CO3 =CuPc材质的铷化合物掺杂层107，Rb2CO3与CuPc的掺杂质量比为0.5:1?4:1，采用热阻蒸镀，制得厚度为20nm的电子注入层。
[0058]5、最后蒸镀制备金属阴极层108,所用材质为银,厚度为20nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0059]图2为本实施例1的有机电致发光器件与一般器件的流明效率与电流密度的关系图。
[0060]测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0061]所述一般器件的结构为普通玻璃/ITO/MoO/TCTA/BCzVBi/Bphen/CsF/Ag。图2中，横坐标为电流密度的大小，纵坐标为流明效率的大小，曲线I为实施例1有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系曲线，曲线2为对比例器件的电流密度与流明效率的关系曲线。
[0062]从图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，最大的流明效率为151m/W，而对比例的仅为101m/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明本发明的有机电致发光器件中的电子注入层中，钝化层的材料可隔绝阴极的金属渗透到其他功能层中去，而铷化合物掺杂层有利于电子的注入，加强电子的传输速率，使光散射回到底部中间，从而提高出光效率。
[0063]实施例2
[0064]以下实施例2-4的有机电致发光器件的层状结构与实施例1的层状结构基本相同，故在此不再加图示说明。
[0065]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0066]玻璃/IZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、TCTA材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、材TPBi质的电子传输层、Al2O3材质的钝化层、RbCliZnPc材质的铷化合物掺杂层以及Pt材质的阴极层。钝化层和铷化合物掺杂层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表不层状结构，冒号“:”表不相互掺杂)
[0067]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0068]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0069]2、在上述步骤清洁后的玻璃基底置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为300V的加速电压、50G的磁场以及40W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃基底上制备材料为铟锌氧化物且厚度为SOnm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0070]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为lnm/s的蒸镀速率和2 X KT3Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板上依次蒸镀材料为V2O5，厚度为40nm的空穴注入层、材料为TCTA，厚度为45nm的空穴传输层、材料为ADN且厚度为8nm的发光层、材料为TPBi，厚度为65nm的电子传输层。
[0071]4、然后在上述电子传输层上依次制备钝化层与铷化合物掺杂层:
[0072]首先采用电子束制备钝化层，所用电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2，材料为Al2O3,制得的钝化层厚度为5nm ；
[0073]接着在钝化层上采用热阻蒸镀制备RbCl =ZnPc材质的铷化合物掺杂层，RbCl与ZnPc的掺杂质量比为0.5:1，采用热阻蒸镀，制得厚度为50nm的电子注入层。
[0074]5、最后蒸镀制备金属阴极层,所用材质为Pt,厚度为80nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0075]实施例3
[0076]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0077]玻璃/IZO的阳极导电基板、WO3材质的空穴注入层、TAPC材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、材TPBi质的电子传输层、N1材质的钝化层、RbNO3:MgPc材质的铷化合物掺杂层以及Au材质的阴极层。钝化层和铷化合物掺杂层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表不层状结构，冒号“:”表不相互掺杂)
[0078]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0079]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0080]2、在上述