后再通过金属进行反射，从而提高发光效率。
[0061]以下各个实施例制备的有机电致发光器件的电流效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的电流效率，在下面不再赘述。
[0062]实施例2
[0063]本实施例制备的结构为IZ0/V205/TAPC/DCJTB/TAZ/Rb2C03:Al/Mg:Ti02/Al 的有机电致发光器件。
[0064]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为ΙΖ0，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为V2O5，厚度为40nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TAPC，厚度为45nm ;蒸镀发光层:所选材料为DCJTB，厚度为8nm ;蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为65nm ;电子注入层包括铷的化合物掺杂层和金属掺杂层，采用电子束蒸镀铷的化合物掺杂层，材料为Rb2C03:Al，Rb2CO3与Al的质量比为1:1，厚度为5nm;在所述铷的化合物掺杂层表面通过电子束蒸镀方式制备金属掺杂层，所述金属掺杂层材料为Mg: T12, Mg与T12的质量比为20:1，T12粒径为20nm，厚度为50nm,蒸镀阴极,材料为Al,厚度为80nm。
[0065]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_3Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为4nm/s ；
[0066]磁控溅射工艺条件:工作压强为2 X 10?,蒸镀速率为lnm/s，磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。
[0067]实施例3
[0068]本实施例制备的结构为AZ0/W03/NPB/ADN/Bphen/RbN03:Ag/Sr:Ti02/Pt 的有机电致发光器件。
[0069]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为AZ0，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为MoO3，厚度为20nm ;蒸镀空穴传输层:材料为NPB，厚度为60nm ;蒸镀发光层:所选材料为ADN，厚度为1nm ;蒸镀电子传输层，材料为Bphen，厚度为200nm ;电子注入层包括铷的化合物掺杂层和金属掺杂层，采用电子束蒸镀铷的化合物掺杂层，材料为RbNO3: Ag，RbNO3与Ag的质量比为3:1，厚度为20nm ;在所述铷的化合物掺杂层表面通过电子束蒸镀方式制备金属掺杂层，所述金属掺杂层材料为Sr = T12, Sr与T12的质量比为5:1，T12粒径为40nm，厚度为80nm，蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为lOOnm。
[0070]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_3Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s ；
[0071]磁控溅射工艺条件:工作压强为2X 10_3Pa，蒸镀速率为lnm/s，磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为lW/cm2。
[0072]实施例4
[0073]本实施例制备的结构为AZ0/V205/TAPC/BCzVBi/TPBi/Rb2S04:Pt/Yb:Ti02/Al 的有机电致发光器件。
[0074]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为AZO，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为V2O5,厚度为SOnm ;蒸镀空穴传输层:材料为TAPC，厚度为60nm ;蒸镀发光层:所选材料为Alq3，厚度为40nm ;蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为35nm ;电子注入层包括铷的化合物掺杂层和金属掺杂层，采用电子束蒸镀铷的化合物掺杂层，材料为Rb2S04:Pt，Rb2SO4与Pt的质量比为1.5:1，厚度为13nm ;在所述铷的化合物掺杂层表面通过电子束蒸镀方式制备金属掺杂层，所述金属掺杂层材料为Yb = T12, Yb与T12的质量比为18:1，T12粒径为32nm，厚度为55nm，蒸镀阴极，材料为Al，厚度为250nm。
[0075]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_3Pa，电子束蒸镀的能量密度为80W/cm2，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s ；
[0076]磁控溅射工艺条件:工作压强为2 X 10_4Pa，蒸镀速率为6nm/s，磁控溅射的加速电压为600V，磁场为10G，功率密度为30W/cm2。
[0077]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由铷的化合物掺杂层和金属掺杂层组成，所述铷的化合物掺杂层包括铷的化合物材料和掺杂在所述铷的化合物材料中的第一金属材料，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述第一金属材料的功函数为-4.0eV?-5.5eV，所述金属掺杂层包括第二金属材料及掺杂在所述第二金属材料中的二氧化钛，所述第二金属材料的功函数为-2.0eV?-3.5eV。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷的化合物掺杂层中所述铷的化合物材料与第一金属材料的质量比为1:1?3:1，所述金属掺杂层中所述第二金属材料与所述二氧化钛的质量比为5:1?20:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷的化合物掺杂层厚度为5nm?20nm,所述金属掺杂层厚度为50nm?80nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一金属选自银、铝、钼及金中至少一种，所述第二金属选自镁、锶、钙及镱中至少一种。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层; 然后在电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层由铷的化合物掺杂层和金属掺杂层组成，所述电子注入层的制备方式为:在电子传输层表面通过电子束蒸镀的方法制备铷的化合物掺杂层，所述铷的化合物掺杂层包括铷的化合物材料和掺杂在所述铷的化合物材料中的第一金属材料，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述第一金属材料的功函数为-4.0eV?-5.5eV，然后在所述铷的化合物掺杂层表面通过电子束蒸镀方式制备金属掺杂层，所述金属掺杂层包括第二金属材料及掺杂在所述第二金属材料中的二氧化钛，所述第二金属材料的功函数为-2.0eV?-3.5eV，及， 在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述铷的化合物掺杂层中所述铷的化合物材料与第一金属材料的质量比为1:1?3:1，所述金属掺杂层中所述第二金属材料与所述二氧化钛的质量比为5:1?20:1。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述铷的化合物掺杂层厚度为5nm?20nm,所述金属掺杂层厚度为50nm?80nm。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述二氧化钛的粒径为20nm?40nm。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述电子束蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为1W/cm2?100W/cm2,有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为 lnm/s ?10nm/so
10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5X 10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为lW/cm2?40W/cm2。
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由铷的化合物掺杂层和金属掺杂层组成，所述铷的化合物掺杂层包括铷的化合物材料和掺杂在所述铷的化合物材料中的第一金属材料，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述第一金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV，所述金属掺杂层包括第二金属材料及掺杂在所述第二金属材料中的二氧化钛，所述第二金属材料的功函数为-2.0eV～-3.5eV。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51-56, H01L51-54, H01L51-52
【公开号】CN104659252
【申请号】CN201310586123
【发明人】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月19日