半导体装置的制造方法及半导体装置的制造方法
【专利说明】半导体装置的制造方法及半导体装置
[0001][相关申请案]
[0002]本申请案享受将日本专利申请案2013-258704号(申请日:2013年12月13日)作为基础申请案的优先权。本申请案是通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
[0003]实施方式的发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。
【背景技术】
[0004]对于用于通信设备等的半导体装置，为了抑制EMI (Electro MagneticInterference,电磁干扰)等电磁波干扰，而使用利用屏蔽层覆盖密封树脂层的表面的构造。为了利用所述构造获得充分的屏蔽效果，优选将屏蔽层电性连接在接地配线，使电磁波噪声经由接地配线而逸散到外部。
[0005]在半导体装置中，屏蔽层与密封树脂层的密接性高的一方可靠性方面佳。另外，从屏蔽效果的观点来说，屏蔽层与接地配线之间的电阻率优选为低。为了对屏蔽层与密封树脂层之间提高密接性，例如对设置不锈钢(例如SUS304等)的缓冲层(基底层)的构造进行研究。然而，不锈钢的电阻率为72Χ10_8Ωπι左右，高于例如使用铜或银的屏蔽层的电阻率。
【发明内容】
[0006]实施方式的发明要解决的问题在于提高屏蔽层与密封树脂层的密接性。
[0007]实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤:将半导体芯片搭载在配线基板；以将半导体芯片密封的方式，形成含有无机填充材料的密封树脂层；通过干式蚀刻去除密封树脂层的一部分，直至无机填充材料的一部分露出为止；以及以至少覆盖密封树脂层的方式形成屏蔽层。
【附图说明】
[0008]图1是表示半导体装置的制造方法例的流程图。
[0009]图2(A)?(C)是用来说明半导体装置的制造方法例的剖视图。
[0010]图3(A)及(B)是表示半导体装置的构造例的立体图。
[0011]图4是表示半导体装置的构造例的剖视图。
[0012]图5是表示半导体装置的构造例的剖视图。
[0013]图6是表示半导体装置的构造例的剖视图。
[0014]图7是表示半导体装置的密接性试验的结果的图。
【具体实施方式】
[0015]以下，参照附图对实施方式的半导体装置进行说明。
[0016]图1是表示本实施方式的半导体装置的制造方法例的流程图。图1所示的半导体装置的制造方法例包括基板准备步骤(SI)、元件搭载步骤(S2)、树脂密封步骤(S3)、分离步骤(S4)、标记步骤(S5)、蚀刻步骤(S6)及屏蔽层形成步骤(S7)。此外，本实施方式的半导体装置的制造方法例的步骤内容及步骤顺序未必限定于图1所示的步骤。
[0017]基板准备步骤(SI)是准备配线基板的步骤。此处，作为一例，制作多个配线基板呈矩阵状连续设置的构造的集合基板。
[0018]元件搭载步骤(S2)是将半导体芯片搭载在配线基板的步骤。此外，在元件搭载步骤(S2)中，也可以进行经由接合线(bonding wire)将设置在配线基板的信号配线及接地配线等配线与半导体芯片连接的接合。
[0019]树脂密封步骤(S3)是以将半导体芯片密封的方式形成密封树脂层的步骤。例如可以使用转移成型法、压缩成型法、射出成型法等成型法形成密封树脂层。密封树脂层含有无机填充材料(例如S12),且例如将该无机填充材料与有机树脂等混合而形成。无机填充材料例如为粒状，且具有调整密封树脂层的粘度或硬度等的功能。密封树脂层中的无机填充材料的含量例如为80%?90%。
[0020]分离步骤(S4)是针对每个半导体装置进行基板的切割，分离成各个半导体装置的步骤。对于切割，例如可以使用金刚石刀片(diamond blade)等刀片。
[0021]标记步骤(S5)是例如通过包括YAG (Yttrium Aluminum Garnet,乾招石槽石)激光等的激光标记装置，对配线基板上的密封树脂层的上表面刻印制品名、制品编号、制造年周、制造工厂等制品信息的步骤。此外，也可以在标记步骤(S5)之后进行热处理。
[0022]蚀刻步骤(S6)是通过干式蚀刻等去除密封树脂层的一部分的步骤。例如可以通过溅射蚀刻而去除密封树脂层的一部分。所谓溅射蚀刻是指在惰性气体等环境下施加电压而产生等离子，使惰性气体的离子碰撞被处理基板而将基板表面的氧化物等物质以离子的形式撞飞的处理。作为惰性气体，例如使用氩气等。
[0023]屏蔽层形成步骤(S7)是在已进行标记的半导体装置中，以至少覆盖密封树脂层的方式形成屏蔽层的步骤。
[0024]如此，本实施方式的半导体装置的制造方法例至少包括如下步骤:将半导体芯片搭载在配线基板；以将半导体芯片密封的方式，形成含有无机填充材料的密封树脂层；通过蚀刻而去除密封树脂层的一部分；以及以至少覆盖密封树脂层的方式形成屏蔽层。
[0025]进而，参照图2对蚀刻步骤(S6)及屏蔽层形成步骤(S7)进行说明。图2是用来说明本实施方式的半导体装置的制造方法例的剖视图。
[0026]经过基板准备步骤(SI)至标记步骤(S5)而形成的半导体装置的一例是如图2 (A)中作为半导体装置I表示般，包括:配线基板2，具有第I面及第2面；半导体芯片3，具有电极垫，且设置在配线基板2的第I面上；密封树脂层5，以将半导体芯片3密封的方式设置在配线基板2的第I面上；以及接合线8。此外，配线基板2的第I面相当于图2(A)中的配线基板2的上表面，第2面相当于图2(A)中的配线基板2的下表面，且配线基板2的第I面及第2面相互对向。
[0027]配线基板2包括:绝缘层21，设置在第I面与第2面之间；配线层22，设置在第I面；配线层23，设置在第2面；通孔24，贯通绝缘层21而设置；阻焊层28，设置在配线层22上；以及阻焊层29，设置在配线层23上。
[0028]当在蚀刻步骤(S6)中使用溅射蚀刻时，一般来说，溅射蚀刻是为了去除附着在表面的氧化物或污物等而进行，但在本实施方式中，如图2(A)所示，通过溅射蚀刻使离子31碰撞密封树脂层5,将密封树脂层5的一部分以离子32的形式撞飞，由此将密封树脂层5的一部分去除。此外，尚子32也可以为分子单位。
[0029]在蚀刻步骤(S6)中，优选的是将密封树脂层5的一部分去除，直至无机填充材料30的一部分露出为止。具体来说，优选的是将密封树脂层5的一部分从表面去除至2.5nm以上且小于7.5nm的深度为止。例如可以通过控制蚀刻条件而调整所去除的密封树脂层5的深度，在溅射蚀刻的情况下，可以通过控制溅射蚀刻的时间或惰性气体的流量等而调整所去除的密封树脂层5的深度。另外，优选的是如图2(A)所示对于密封树脂层5的侧面也同样地使无机填充材料30的一部分露出。
[0030]关于通过树脂密封步骤(S3)而形成的密封树脂层5的表面，凹凸相对少且光滑。因此，认为密封树脂层5与通过屏蔽层形成步骤(S7)而形成的屏蔽层的密接性差。对此，可以通过进行溅射蚀刻等而提高屏蔽层与密封树脂层5的密接性。认为这是因为利用密封树脂层5的表面积的增大或露出的无机填充材料30的微细的凹凸所得的固着效果(anchoreffect)等。
[0031]此外，因为由溅射蚀刻而导致密封树脂层5的表面整体灰化，密接性反而变差，所以优选的是在密封树脂层5的表面整体灰化之前的范围