内进行溅射蚀刻。
[0032]在屏蔽层形成步骤(S7)中，如图2(B)所示，在半导体装置I中，以至少覆盖密封树脂层5的方式形成屏蔽层7。例如通过所述蚀刻步骤(S6)进行溅射蚀刻，此后，在屏蔽层形成步骤(S7)中，通过溅镀铜或银等的导电膜而形成屏蔽层7，由此，可以不使被处理基板暴露在大气中而进行连续处理。
[0033]除溅镀以外，也可以通过利用例如转印法、丝网印刷法、喷雾涂布法、喷射点胶法、喷墨法、气溶胶(aerosol)法等涂布导电膏而形成屏蔽层7。导电膏优选为例如包含银或铜与树脂为主成分，且电阻率低。另外，也可以应用利用无电解电镀法或电解电镀法将铜或镍等成膜的方法，形成屏蔽层7。
[0034]进而，也可以如图2(C)所示，视需要以覆盖屏蔽层7的方式设置耐蚀性或耐迁移性优异的保护层9。另外，也可以在形成保护层9之前与蚀刻步骤(S6)同样地再次进行溅射蚀刻等蚀刻。由此，可以提高屏蔽层7与保护层9的密接性。
[0035]此后，在配线层23所具有的电极垫设置外部连接端子。并不限定于此，例如也可以在元件搭载步骤(S2)中设置外部连接端子。进而，也可以设定通过使用所制作的半导体装置的外部连接端子测定电阻值而检查是否为良品等的步骤。以上为本实施方式的半导体装置的制造方法例的说明。
[0036]其次，对可以通过本实施方式的半导体装置的制造方法例进行制造的半导体装置的构造例进行说明。
[0037]图3是表示半导体装置的构造例的立体图，图3(A)是上表面为正面侧的立体图，图3(B)是上表面为背面侧的立体图。图3(A)及图3(B)所示的半导体装置I包括配线基板2、半导体芯片3、覆盖半导体芯片3的屏蔽层7、及具有焊料球的外部连接端子6。此外，在图3(B)中，外部连接端子6的大小均匀，但各外部连接端子6的大小及位置并不限定于图3(B)。另外，在图3中，表示BGA(Ball Grid Array，球栅阵列)的半导体装置，但并不限定于此。
[0038]图4是表示图3 (A)及图3 (B)所示的半导体装置的构造例的剖视图。图4所示的半导体装置I包括:半导体芯片3，设置在配线基板2的第I面上；密封树脂层5，以将半导体芯片3密封的方式设置在配线基板2的第I面上；外部连接端子6，设置在第2面上；屏蔽层7，至少覆盖密封树脂层5 ;接合线8 ;以及保护层9，覆盖屏蔽层7。
[0039]此外，配线基板2的第I面相当于图4中的配线基板2的上表面，第2面相当于图4中的配线基板2的下表面，配线基板2的第I面及第2面相互对向。另外，对于图4中的半导体装置的各构成要素中的标注着与图2(A)至图2(C)相同的符号的构成要素，可以适当引用图2(A)至图2(C)的对应的各构成要素的说明。
[0040]配线基板2包括:绝缘层21，设置在第I面与第2面之间；配线层22，设置在第I面；配线层23，设置在第2面；通孔24，贯通绝缘层21而设置；阻焊层28，设置在配线层22上；以及阻焊层29，设置在配线层23上。
[0041]作为绝缘层21，例如可以使用硅基板或玻璃基板、陶瓷基板、玻璃环氧树脂等树脂基板等。
[0042]作为密封树脂层5，含有S12等无机填充材料，可以使用例如将无机填充材料与绝缘性的有机树脂材料等混合而成的密封树脂层，且可以使用例如与环氧树脂混合而成的密封树脂层。
[0043]在配线层22及配线层23，例如设置着信号配线、电源配线及接地配线等。配线层22及配线层23各自不限定于单层构造，也可以为使隔着绝缘层并经由绝缘层的开口部而电性连接的多个导电层积层而得的积层构造。对于配线层22及配线层23，例如使用铜或银或者包含它们的导电膏，也可以视需要对表面实施镀镍或镀金等。
[0044]通孔24是贯通绝缘层21而设置多个。通孔24例如具有设置在贯通绝缘层21的开口的内表面的导体层、以及填充在导体层的内侧的塞孔材料。对于导体层，例如使用铜或银或者包含它们的导电膏，也可以视需要对表面实施镀镍或镀金等。塞孔材料是例如使用绝缘性材料或导电性材料而形成。此外，并不限定于此，例如也可以通过利用镀敷等对贯通孔内填充金属材料(铜等)而形成通孔24。
[0045]作为外部连接端子6，例如设置着信号端子、电源端子及接地端子等。外部连接端子6是经由配线层23及通孔24而电性连接在配线层22。外部连接端子6具有焊料球4。焊料球4设置在配线层23的连接垫上。此外，也可以代替焊料球4而设置焊垫。
[0046]屏蔽层7与密封树脂层5的无机填充材料30相接。屏蔽层7具有遮断从半导体芯片3等放射的无用的电磁波，抑制该无用的电磁波向外部泄漏的功能。作为屏蔽层7，例如优选为使用电阻率低的金属层，且优选为使用例如包含铜、银、镍等的金属层。通过将电阻率低的金属层用于屏蔽层7，可以抑制经由半导体芯片3或配线基板2而放射的无用的电磁波的泄漏。
[0047]屏蔽层7的厚度优选为基于其电阻率而设定。例如优选为以将屏蔽层7的电阻率除以厚度而得的薄片电阻值成为小于等于0.5 Ω的方式，设定屏蔽层7的厚度。通过将屏蔽层7的薄片电阻值设为小于等于0.5 Ω，可以再现性良好地抑制来自密封树脂层5的无用的电磁波的泄漏。
[0048]接合线8电性连接在配线层22及半导体芯片3。例如，通过接合线8将半导体芯片3与信号配线或接地配线电性连接。
[0049]进而，也可以如图4所示设为如下构造:以覆盖配线基板2的侧面的至少一部分的方式形成屏蔽层，使配线层22所具有的配线22A的侧面在配线基板2的侧面露出，且配线22A的侧面与屏蔽层7相接。此时，配线22A具有作为接地配线的功能。可以通过使配线22A电性连接在屏蔽层7而使无用的电磁波经由接地配线逸散到外部。并不限定于此，也可以设为配线层23所具有的配线23A的侧面与屏蔽层7相接的构造。配线23A具有作为接地配线的功能。
[0050]另外，在配线层22所具有的配线22A中，也可以设置在配线基板2的侧面露出的多个露出部。由此，可以增加在配线基板2的侧面露出的配线22A的面积，所以可以使配线22A与屏蔽层7的连接电阻变低，且可以提高屏蔽效果。另外，在本实施方式的半导体装置中，通过沿着配线基板2的周缘配置接地配线，而可以使接地配线作为屏蔽层发挥功能，可以抑制经由半导体芯片3或配线基板2放射的无用的电磁波的泄漏。
[0051]作为保护层9，例如可以使用不锈钢(SUS304等)或聚酰亚胺树脂等。
[0052]进而，本实施方式的半导体装置的构造并不限定于所述构造。参照图5及图6对半导体装置的其他构造例进行说明。此外，在图5及图6所示的半导体装置中，对与图4所示的半导体装置相同的部分标注相同的符号，适当引用图4所示的半导体装置的说明。
[0053]图5所示的半导体装置I是代替图4所示的半导体装置I的绝缘层21而包括绝缘层21A及绝缘层21B，还包括设置在绝缘层21A与绝缘层21B之间的导电层15。此外，对于半导体芯片3、密封树脂层5、外部连接端子6、屏蔽层7、接合线8及保护层9等与图4为相同符号的构成要素，适当引用图4所示的半导体装置I的说明。
[0054]作为绝缘层21A及绝缘层21B,例如可以使用能够应用于绝缘层21的基板。
[0055]导电层15优选为与半导体芯片3的至少一部分重叠。导电层15具有作为接地配线的功能。导电层15例如优选为固体膜或网状膜。
[0056]导电层15是例如通过如下方式形成，即:使用光刻技术在