阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，具体的说，设及一种阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。
[0003] 平面转换（In-Plane Switching,简称IP巧技术及边缘场开关（Rringe Field Switching,简称FF巧技术均W水平方向的电场驱动液晶，具有宽视角，高亮度，高对比度， 快速响应等优点。随着当前液晶显示器的分辨率、刷新率不断提高，每个子像素单元中的薄 膜晶体管（Thin Film Transistor,简称TFT)的开启时间也在不断减少。W传统的非晶娃 作为薄膜晶体管的有源层，将不能保证子像素单元在短时间内充入足够的电压。
[0004] 非晶金属氧化物半导体相比于非晶娃半导体，具有更高的迁移率，其迁移率可达 到lOcmVV ?SW上，因此被广泛应用于高分辨率、高刷新率的显示装置中。但是，目前采用 氧化物薄膜晶体管的阵列基板的制造过程中通常需要六次构图工艺，因此现有技术存在制 造工艺过于复杂的技术问题。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法，W解决现有的制造工艺过于 复杂的技术问题。
[0006] 本发明提供一种阵列基板，包括形成于衬底基板上的多个子像素单元，每个所述 子像素单元中包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极；
[0007] 所述像素电极形成于所述衬底基板上；
[000引所述薄膜晶体管的漏极形成于所述像素电极上，所述薄膜晶体管的源极与所述漏 极位于同一图层；
[0009] 所述薄膜晶体管的半导体层形成于所述源极和所述漏极上；
[0010] 所述像素电极、所述源极、所述漏极和所述半导体层上覆盖有栅极绝缘层；
[0011] 所述薄膜晶体管的栅极和所述公共电极形成于所述栅极绝缘层上，其中，所述栅 极为透明电极，且与所述公共电极位于同一图层。
[0012] 优选的是，所述半导体层为氧化物半导体材料。
[0013] 进一步的是，该阵列基板还包括扫描线和数据线；
[0014] 所述数据线与所述源极、所述漏极位于同一图层；
[0015] 所述扫描线包括第一金属线和连接电极；
[0016] 所述第一金属线与所述数据线位于同一图层，所述连接电极与所述栅极位于同一 图层；
[0017] 所述栅极绝缘层开设有第一过孔，所述连接电极通过所述第一过孔与所述第一金 属线相连。
[0018] 进一步的是，该阵列基板还包括公共电极线，所述公共电极线包括第二金属线，所 述第二金属线与所述数据线位于同一图层；
[0019] 所述栅极绝缘层开设有第二过孔，所述公共电极通过所述第二过孔与所述第二金 属线相连。
[0020] 进一步的是，所述扫描线还包括第=金属线；
[0021] 所述第=金属线形成于所述连接电极上，且位于所述第一金属线正上方。
[0022] 进一步的是，所述公共电极线还包括第四金属线；
[0023] 所述第四金属线形成于所述公共电极上，且位于所述第二金属线正上方。
[0024] 本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括：
[0025] 第一次构图工艺；利用半色调掩膜版进行构图，形成像素电极，W及源极、漏极、数 据线、第一金属线和第二金属线；
[0026] 第二次构图工艺；利用掩膜版进行构图，形成半导体层；
[0027] 第=次构图工艺；利用掩膜版进行构图，形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层开设有 第一过孔和第二过孔；
[002引第四次构图工艺；利用掩膜版进行构图，形成栅极、公共电极和连接电极，所述连 接电极通过所述第一过孔与所述第一金属线相连，所述公共电极通过所述第二过孔与所述 第二金属线相连。
[0029] 优选的是，所述第一次构图工艺，具体包括：
[0030] 在衬底基板上依次形成第一透明电极层和第一金属层；
[0031] 在所述第一金属层上涂敷光刻胶，并利用半色调掩膜版进行曝光；
[0032] 对所述第一金属层和所述第一透明电极层进行蚀刻，形成源极、漏极、数据线、第 一金属线和第二金属线；
[0033] 对光刻胶进行灰化；
[0034] 对所述第一金属层进行蚀刻，形成像素电极；
[0035] 剥离剩余的光刻胶。
[0036] 进一步的是，在所述第四次构图工艺中，还形成第S金属线和第四金属线；
[0037] 所述第=金属线形成于所述连接电极上，且位于所述第一金属线正上方；
[003引所述第四金属线形成于所述公共电极上，且位于所述第二金属线正上方。
[0039] 优选的是，所述第四次构图工艺，具体包括：
[0040] 在栅极绝缘层上依次形成第二透明电极层和第二金属层；
[0041] 在所述第二金属层上涂敷光刻胶，并利用半色调掩膜版进行曝光；
[0042] 对所述第二金属层和所述第二透明电极层进行蚀刻，形成栅极、连接电极、第=金 属线和第四金属线；
[0043] 对光刻胶进行灰化；
[0044] 对所述第二金属层进行蚀刻，形成公共电极；
[0045] 剥离剩余的光刻胶。
[0046] 本发明带来了 W下有益效果；本发明提供的阵列基板中，薄膜晶体管的栅极为透 明电极，并且与公共电极位于同一图层，使栅极和公共电极可W在同一次构图工艺中同步 形成。另外，该阵列基板中的像素电极和薄膜晶体管的源极、漏极也可W利用半色调掩膜 版，在同一次构图工艺中依次形成。因此本发明提供的技术方案中，通过四次构图工艺就能 够制成阵列基板，从而解决了现有的阵列基板的制造工艺过于复杂的技术问题。
[0047] 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利 要求书W及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0048] 为了更清楚的说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的 附图做简单的介绍：
[0049] 图1是本发明实施例一提供的阵列基板的平面示意图；
[0050] 图2是图1中沿A-A线的剖面图；
[0化1] 图3是图1中沿B-B线的剖面图；
[0化2] 图4是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中经第一次构图工艺后的平面 不意图；
[0化3] 图5是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中经第二次构图工艺后的平面 不意图；
[0化4]图6是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中经第=次构图工艺后的平面 不意图；
[0055] 图7是本发明实施例二提供的阵列基板的平面示意图；
[0056] 图8是图7中沿A-A线的剖面图；
[0057] 图9是图7中沿B-B线的剖面图。
【具体实施方式】
[0化引 W下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用 技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据W实施。需要说明 的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例W及各实施例中的各个特征可W相互结合， 所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[005引 连施例一:
[0060] 本发明实施例提供一种阵列基板，可应用于高分辨率、高刷新率的液晶显示装置。 该阵列基板包括形成于衬底基板上的多个子像素单元，如图1、图2和图3所示，每个