还覆盖有第二金属层。该第二金属层可W作为扫描线的一部分，增加扫描线的厚度，进而增 加扫描线的横截面积，W降低扫描线的电阻。或者，该第二金属层也可W作为公共电极线的 一部分，增加公共电极线的厚度，进而增加公共电极线的横截面积，W降低公共电极线的电 阻。
[0107] 本实施例中，第二金属层同时兼具上述两种用途。如图7、图8和图9所示，扫描线 还包括位于第二金属层的第S金属线140,第S金属线140形成于连接电极105上，且位于 第一金属线120正上方。同时，公共电极线还包括位于第二金属层的第四金属线150,第四 金属线150形成于公共电极103上，且位于第二金属线130正上方。另外，本实施例中，栅 极1014上方也覆盖有第二金属层。
[0108] 本发明实施例提供的阵列基板的制造方法也只需四次构图工艺，其中第一次构图 工艺至第=次构图工艺与实施例一相同。
[0109] 本实施例提供的阵列基板的制造方法，在第四次构图工艺中，还形成第=金属线 和第四金属线。具体包括：
[0110] S401 ;在栅极绝缘层上依次形成第二透明电极层和第二金属层。
[0111] 第二透明电极层的材料、厚度可W与第一透明电极层相同。第二金属层的材料、厚 度可W与第一金属层相同。
[0112] S402;在第二金属层上涂敷光刻胶，并利用半色调掩膜版进行曝光。
[0113] 曝光后，栅极、第S金属线（连接电极与第S金属线的图案相同）和第四金属线对 应区域的光刻胶全部保留，公共电极对应区域的光刻胶被部分去除，其余区域的光刻胶被 全部去除。
[0114] S403;对第二金属层和第二透明电极层进行蚀刻，形成栅极、连接电极、第S金属 线和第四金属线。
[0115] 其中，栅极上方覆盖有第二金属层，连接电极通过第一过孔与第一金属线相连。第 S金属线位于第一金属线、连接电极的正上方，并且与连接电极的图案相同。第四金属线位 于第二金属线的正上方，并且与公共电极部分重合。另外，此时公共电极的形状也已形成， 但公共电极上仍覆盖有第二金属层。
[0116] S404;对光刻胶进行灰化。
[0117] 利用灰化工艺，将公共电极对应区域的光刻胶全部去除。同时，栅极、第=金属线 和第四金属线对应区域的光刻胶也会被部分去除。
[0118] S405;对第二金属层进行蚀刻，形成公共电极。
[0119] 将公共电极上覆盖的第二金属层蚀刻掉，即可形成公共电极。
[0120] S406;剥离剩余的光刻胶。
[0121] 如图7所示，经过上述第四次构图工艺，即可形成本发明实施例提供的阵列基板。
[0122] 本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法中，通过四次构图工艺就能够制成阵 列基板，从而解决了现有的阵列基板的制造工艺过于复杂的技术问题。此外，本实施例中还 利用第二金属层，增加了扫描线和公共电极线的厚度，进而增加了扫描线和公共电极线的 横截面积。因此，相比于实施例一，本实施例中扫描线和公共电极线的电阻更低，其电信号 的传输效果更好。
[0123] 虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采 用的实施方式，并非用W限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本 发明所公开的精神和范围的前提下，可W在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化， 但本发明的专利保护范围，仍须W所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1. 一种阵列基板，其特征在于，包括形成于衬底基板上的多个子像素单元，每个所述子 像素单元中包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极； 所述像素电极形成于所述衬底基板上； 所述薄膜晶体管的漏极形成于所述像素电极上，所述薄膜晶体管的源极与所述漏极位 于同一图层； 所述薄膜晶体管的半导体层形成于所述源极和所述漏极上； 所述像素电极、所述源极、所述漏极和所述半导体层上覆盖有栅极绝缘层； 所述薄膜晶体管的栅极和所述公共电极形成于所述栅极绝缘层上，其中，所述栅极为 透明电极，且与所述公共电极位于同一图层。2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层为氧化物半导体材料。3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括扫描线和数据线； 所述数据线与所述源极、所述漏极位于同一图层； 所述扫描线包括第一金属线和连接电极； 所述第一金属线与所述数据线位于同一图层，所述连接电极与所述栅极位于同一图 层； 所述栅极绝缘层开设有第一过孔，所述连接电极通过所述第一过孔与所述第一金属线 相连。4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极线，所述公共电极线 包括第二金属线，所述第二金属线与所述数据线位于同一图层； 所述栅极绝缘层开设有第二过孔，所述公共电极通过所述第二过孔与所述第二金属线 相连。5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线还包括第三金属线； 所述第三金属线形成于所述连接电极上，且位于所述第一金属线正上方。6. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线还包括第四金属线； 所述第四金属线形成于所述公共电极上，且位于所述第二金属线正上方。7. -种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括： 第一次构图工艺：利用半色调掩膜版进行构图，形成像素电极，以及源极、漏极、数据 线、第一金属线和第二金属线； 第二次构图工艺：利用掩膜版进行构图，形成半导体层； 第三次构图工艺：利用掩膜版进行构图，形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层开设有第一 过孔和第二过孔； 第四次构图工艺：利用掩膜版进行构图，形成栅极、公共电极和连接电极，所述连接电 极通过所述第一过孔与所述第一金属线相连，所述公共电极通过所述第二过孔与所述第二 金属线相连。8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一次构图工艺，具体包括： 在衬底基板上依次形成第一透明电极层和第一金属层； 在所述第一金属层上涂敷光刻胶，并利用半色调掩膜版进行曝光； 对所述第一金属层和所述第一透明电极层进行蚀刻，形成源极、漏极、数据线、第一金 属线和第二金属线； 对光刻胶进行灰化； 对所述第一金属层进行蚀刻，形成像素电极； 剥离剩余的光刻胶。9. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第四次构图工艺中，还形成第三金 属线和第四金属线； 所述第三金属线形成于所述连接电极上，且位于所述第一金属线正上方； 所述第四金属线形成于所述公共电极上，且位于所述第二金属线正上方。10. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第四次构图工艺，具体包括： 在栅极绝缘层上依次形成第二透明电极层和第二金属层； 在所述第二金属层上涂敷光刻胶，并利用半色调掩膜版进行曝光； 对所述第二金属层和所述第二透明电极层进行蚀刻，形成栅极、连接电极、第三金属线 和第四金属线； 对光刻胶进行灰化； 对所述第二金属层进行蚀刻，形成公共电极； 剥离剩余的光刻胶。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域，解决了现有的制造工艺过于复杂的技术问题。该阵列基板包括形成于衬底基板上的多个子像素单元，每个子像素单元中包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极；薄膜晶体管的源极、漏极、半导体层及像素电极上覆盖有栅极绝缘层；薄膜晶体管的栅极和公共电极形成于栅极绝缘层上，其中，栅极为透明电极，且与公共电极位于同一图层。
【IPC分类】H01L27/12, G02F1/1343, H01L21/77, G02F1/1362
【公开号】CN104916649
【申请号】CN201510334313
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年6月16日