度，形成的过孔侧壁平缓，有利于材料的沉积，进一步保证了栅线引线与 线路板连接的连接特性。
[0081] 优选的，如图6所示，绝缘层还包括位于第二子层132上、且与第二子层132接触 的第三子层133 ;其中，第三子层133的致密度大于第二子层132的致密度，第三子层133位 于栅极11的上面。如图6所示，过孔未贯穿第三子层133。
[0082] 第三子层的致密度大于第二子层的致密度。由于第三子层与有源层接触，有源层 一般为高致密度层，则第三子层和有源层均为高密度层可改善第三子层和有源层接触界面 的质量，降低界面缺陷态密度，提高薄膜晶体管的性能。
[0083] 本发明实施例中，栅绝缘层中，第二子层和第三子层的厚度之和优选为栅绝缘层 总厚度的15%~30%。其中，第三子层的厚度可以为栅绝缘层总厚度的6%-12%。例 如，栅绝缘层的总厚度为4000 A,第二子层和第三子层的厚度之后为600 A-1200人，第 一子层的厚度为忽A -Md) A，第三子层的厚度为240 A-480 A,则第二子层的厚度为 12() A-960 A。
[0084] 具体栅绝缘层的厚度也不局限上述实施例，本发明仅以栅绝缘层总厚度为 400() A为例进行说明。
[0085] 可选的，形成第三栅绝缘薄膜的材料为a-SiNx。其中，第一绝缘薄膜和第二绝缘薄 膜的材料可以与第三绝缘薄膜的材料相同，也可以与第三绝缘薄膜的材料不同，只要为绝 缘材料均可。
[0086] 可选的，图6所示，阵列基板还包括：位于第三子层133上的有源层14。且进一步 的，第三子层133和有源层14的图案相同。即第三子层和有源层通过同一次构图形成。可 选的，形成有源层的材料为a-Si。
[0087] 如图7所示，阵列基板还包括位于有源层14上的源漏金属层，源漏金属层包括源 极15、漏极16以及覆盖过孔的连接电极17,连接电极17在过孔处与栅线引线12直接接 触。栅线引线通过连接电极与线路板连接，连接电极与源漏极通过一次构图形成，减少基板 上的构图次数。
[0088] 本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的阵列基板。所述显 示装置可以为液晶显示器、电子纸、〇LED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极 管）显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具 有显示功能的产品或者部件。
[0089] 本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在栅金属层上形成栅绝缘 层，其中，如图8、图9所示，栅金属层包括栅极11和栅线引线12 ;如图10所示，形成栅绝缘 层13具体包括：
[0090] 步骤101、如图8所示，在栅金属层（栅极11和栅线引线12所在层）上依次形成 第一栅绝缘薄膜21和第二栅绝缘薄膜22 ;其中，第一栅绝缘薄膜21的致密度大于第二栅 绝缘薄膜22的致密度。
[0091] 优选的，本发明实施例中，第二栅绝缘薄膜的厚度不小于ΙΟ? A。示例的，栅绝 缘层总厚度为400Q Λ，第一栅绝缘薄膜的厚度为UOG Λ，第二栅绝缘薄膜的厚度为 240 A0
[0092] 步骤102、如图9所示，在第一栅绝缘薄膜21和第二栅绝缘薄膜22对应栅线引线 12的同一位置处一次刻蚀形成过孔，以形成第一子层131和第二子层132。
[0093] 第一栅绝缘薄膜的致密度大于第二栅绝缘薄膜的致密度，则第二栅绝缘薄膜的刻 蚀速率快，第一栅绝缘薄膜的刻蚀速率较慢，则第二栅绝缘薄膜的过孔宽度大于第一栅绝 缘薄膜的过孔宽度，即形成的过孔为倒梯形，过孔的侧壁平缓，有利于其他材料在过孔侧壁 上的沉积。
[0094] 可选的，在上述步骤102之前，如图11所示，所述方法还包括：步骤103、如图12所 示，在第二栅绝缘薄膜22上形成第三栅绝缘薄膜23。其中，第三栅绝缘薄膜的致密度大于 第二栅绝缘层的致密度。
[0095] 具体的，第三栅绝缘薄膜和第二栅绝缘薄膜的厚度之和为栅绝缘层总厚度的 15%~30%。示例的，栅绝缘层总厚度为4000 A，第三栅绝缘薄膜的厚度为360 A。
[0096] 可选的，在栅金属层上依次形成第一栅绝缘薄膜和第二栅绝缘薄膜以及在第二栅 绝缘薄膜上形成第三栅绝缘薄膜具体包括：
[0097] 采用第一速率沉积绝缘材料，以形成第一栅绝缘薄膜；
[0098] 采用第二速率沉积绝缘材料，以形成第二栅绝缘薄膜；
[0099] 采用第三速率沉积绝缘材料，以形成第三栅绝缘薄膜；其中，第一速率小于第二速 率，第三速率小于第二速率。则第三栅绝缘薄膜的致密度大于第二栅绝缘薄膜的致密度，而 第一栅绝缘薄膜的致密度大于第二栅绝缘薄膜的致密度，此处，第一栅绝缘薄膜的致密度 可以是大于第三栅绝缘薄膜的致密度，也可是小于第三栅绝缘薄膜的致密度，还可以是等 于第三栅绝缘薄膜的致密度
[0100] 进一步优选的，第三速率小于第一速率。即在第一栅绝缘薄膜、第二栅绝缘薄膜和 第三栅绝缘薄膜中，第三栅绝缘薄膜的致密度最大，第一栅绝缘薄膜的致密度次之，第二栅 绝缘薄膜的致密度最小。
[0101] 可选的，形成第三栅绝缘薄膜的材料为a-SiNx。
[0102] 步骤104、如图13所示，对第三栅绝缘薄膜23构图，形成第三子层133。之后，在 第一栅绝缘薄膜和第二栅绝缘薄膜对应栅线引线的位置处形成过孔，如图14所示，形成第 一栅绝缘子层131和第二栅绝缘子层132。
[0103] 可选的，如图15所示，在上述步骤104之前，制作方法还包括：
[0104] 步骤105、在第三栅绝缘薄膜上形成有源层。可选的，形成有源层的材料为a-Si。
[0105] 则步骤104具体包括：以有源层为掩膜，对第三栅绝缘薄膜构图。
[0106] 具体的，如图16所示，在衬底基板上形成有源层，以有源层为掩膜，对第三栅绝缘 薄膜构图具体包括：
[0107] 步骤201、如图17所示，在第三栅绝缘薄23上沉积半导体材料，以形成半导体薄膜 24。
[0108] 步骤201、如图17所示，在半导体薄膜24上形成光刻胶25。
[0109] 步骤201、如图18所示，对光刻胶25进行曝光、显影，显影后部分光刻胶25被去 除，形成光刻胶保留部分，其中，光刻胶25保留部分位于对应栅极11的位置处，光刻胶去除 部分至少位于对应栅线引线12的位置处。
[0110] 步骤201、如图19所示，依次刻蚀光刻胶去除部分的半导体薄膜24和第三栅绝缘 薄膜23,以形成有源层14和第三子层131。
[0111] 需要说明的是，可是第三栅绝缘薄膜可以是通过终点刻蚀检测机准确找到第三 栅绝缘薄膜的刻蚀终点，保证完全刻蚀第三栅绝缘薄膜。但由于工艺原因，在刻蚀第三栅绝 缘薄膜时，有可能会刻蚀到第二栅绝缘薄膜，则只要确定刻蚀第三栅绝缘薄膜之后，第二栅 绝缘薄膜的厚度不小于丨00 A。
[0112] 步骤201、如图20所示，将光刻胶25剥离。
[0113] 可选的，如图21所示，在步骤102之后，方法还包括：
[0114] 步骤106、如图7所示，形成源漏金属层，源漏金属层包括源极15、漏极16以及填 充在过孔位置处的连接电极17,连接电极17在过孔处与栅线引线12直接接触。
[0115] 下面，提供一具体实施例，详细说明本发明实施例中阵列基板的制作方法，如图22 所示，所述方法包括：<