使用任意的掩蔽材料。
[0178] 例如，掩蔽材料可以为在基材薄膜的一面层叠有由粘合剂形成的粘接层的掩蔽 带，也可以为包含合成树脂的掩蔽墨。但是，掩蔽材料的形成材料可以使用不溶解于后述的 处理液的材料。
[0179] 需要说明的是，使用掩蔽墨作为掩蔽材料时，在工序3前，必须将掩蔽墨干燥并固 化。另外，将掩蔽墨涂覆于第一和第二端子部时，有在两端子部以外附着掩蔽墨的担心。因 此，优选的是，使用掩蔽带作为掩蔽材料。通过使用掩蔽带，从而可以简便且可靠地覆盖第 一和第二端子部。
[0180] 工序3为通过使被掩蔽材料覆盖的带基板的层叠体IB接触处理液从而附着处理 液的工序。
[0181] 图8中，带基板的层叠体IB被搬入到装满处理液81的槽82 (处理槽8)，之后，从 处理槽8中提拉出来。如此，在处理槽8内处理液接触带基板的层叠体1B，从而可以得到附 着有处理液的带基板的层叠体1C。
[0182] 需要说明的是，使带基板的层叠体IB与处理液81接触的方法不限定于上述使用 处理槽8的方法（浸涂法），还可以采用喷涂法、辊涂法、流涂法、和凹版印刷法等任意的接 触方法。
[0183] 处理液包含绝缘性的无机物和溶剂。绝缘性的无机物与上述无机膜中所含的无机 物同样。
[0184] 溶剂只要使无机物溶解或分散即可，没有特别限定，可以使用任意的溶剂。
[0185] 作为这样的溶剂，例如可以使用：脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃等烃溶剂、卤代烃 溶剂、脂肪族醚、脂环式醚等醚类。
[0186] 需要说明的是，使用聚硅氮烷的硅烷转化物作为无机物时，溶剂不优选使用含有 与聚硅氮烷的反应性高的醇类、水分的物质。
[0187] 使用聚硅氮烷的硅烷转化物作为无机物时，溶剂可以优选使用：戊烷、己烷、环己 烷、甲苯、二甲苯、Solvesso[注册商标]、萜（萜烯）等烃；二氯甲烷、三氯乙烷等卤代烃； 二丁基醚、二噁烷、四氢呋喃等。
[0188] 另外，为了促进聚硅氮烷的硅烷转化反应，也可以在溶剂中添加各种催化剂。作为 这样的催化剂，例如可以举出：金、银、钯、铂、镍等金属催化剂、它们的羧酸络合物等。
[0189] 对处理液中的无机物的浓度没有特别限定，通常为0. 1质量％~40质量％。
[0190] 无机物的浓度小于0. 1质量％时，有无机膜的膜厚变薄、无法充分地确保防湿性 的担心。
[0191] 自处理槽8提拉出带基板的层叠体IC时，处理液附着于带基板的层叠体1C。从处 理槽8取出的带基板的层叠体IC具有前述附着的处理液的薄层。
[0192] 附着于带基板的层叠体IC的处理液的量可以通过处理液81的粘度和带基板的层 叠体IC的提拉速度（输送速度）来适当调整。
[0193] 工序4为使附着于带基板的层叠体的处理液固化从而形成无机膜的工序。
[0194] 本发明的有机EL器件的制造方法中，在工序3和工序4之间、或、工序4后，具有 由附着于带基板的层叠体的处理液形成无机膜的工序。
[0195] 无机膜的形成方法可以根据处理液中所含的无机物的种类而适当变更。例如，无 机物为金属或半金属时，通过使前述处理液的薄层中所含的溶剂挥发（使处理液干燥）从 而可以形成无机膜。处理液可以自然干燥，也可以利用干燥装置强制性地干燥，还可以组合 使用自然干燥和利用干燥装置的强制性干燥。
[0196] 需要说明的是，在输送带基板的层叠体IC的期间将前述处理液的薄层自然干燥 时，省略利用干燥装置的干燥。
[0197] 图8中，附着于带基板的层叠体IC的处理液81通过干燥装置9干燥。前述干燥 优选在前述处理液的薄层与辊等异物接触前进行。例如，如图8所示那样，干燥装置9配置 于自处理槽8的液面至旋转辊64之间。
[0198] 另外，处理液中所含的无机物为聚硅氮烷时，处理液除了上述干燥以外还经由聚 硅氮烷的二氧化硅转化处理来形成无机膜。
[0199] 聚硅氮烷的二氧化硅转化处理例如可以通过将处理液进行水蒸汽氧化处理和/ 或加热氧化处理来实现。通过聚硅氮烷的二氧化硅转化处理，处理液中所含的大部分的聚 硅氮烷转化为氧化硅，形成了包含二氧化硅转化物的无机膜。
[0200] 聚硅氮烷的二氧化硅转化处理优选为水蒸汽氧化处理。例如，通过将带基板的层 叠体在高温高湿槽（例如，60°C、90% RH)中以规定时间暴露于水蒸汽中，从而实施水蒸汽 氧化处理（未作图示）。
[0201] 工序5为自其外表面整个区域被无机膜覆盖的带基板的层叠体ID去除掩蔽材料 的工序。通过自带基板的层叠体ID去除掩蔽材料，从而被掩蔽材料覆盖的部分暴露，可以 得到有机EL器件。
[0202] 如上述那样，带基板的层叠体ID的至少第一端子部和第二端子部被掩蔽材料覆 盖。因此，通过去除掩蔽材料，从而可以得到至少第一和第二端子部不被无机膜覆盖（即， 第一和第二端子部暴露于外界空气）的有机EL器件。
[0203] 对于去除掩蔽材料的方法没有特别限定，可以根据掩蔽材料的种类而适当变更。 例如，使用掩蔽带作为掩蔽材料时，通过剥离掩蔽带，从而可以去除掩蔽材料。
[0204] 需要说明的是，上述本发明的有机EL器件的制造方法中，在工序4 (使附着于带基 板的层叠体的处理液固化的工序）后，经过工序5(去除掩蔽材料的工序）可以得到有机EL 器件。
[0205] 然而，本发明中，工序4和工序5未必一定依照该次序进行，也可以在工序5后经 由工序4得到有机EL器件。
[0206] 但是，在工序5后进行工序4时，有在由于去除掩蔽材料而暴露的部分附着未固化 的处理液的担心。因此，优选的是，在工序4后经由工序5得到有机EL器件。
[0207] 需要说明的是，本发明的有机EL器件、和其制造方法不限定于上述所示那样的实 施方式，可以在本发明的主旨的范围内适当设计变更。
[0208] 产业h的可利用件
[0209] 本发明的有机EL器件例如可以作为照明装置、图像显示装置等利用。
[0210] 附图标iP,说明
[0211] 1 有机EL器件
[0212] 2 基板
[0213] 3A层叠体
[0214] 3 有机EL元件
[0215] 31第一导电层
[0216] 311第一端子部
[0217] 32 有机 EL 层
[0218] 33第二导电层
[0219] 331第二端子部
[0220] 34保护膜
[0221] 35粘接层
[0222] 36密封板
[0223] 4 无机膜
[0224] 71掩蔽材料
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，其具备： 基板； 具有有机电致发光元件的层叠体，所述有机电致发光元件具备设置于所述基板上且具 有第一端子部的第一导电层、设置于所述第一导电层上的有机电致发光层、和设置于所述 有机电致发光层上且具有第二端子部的第二导电层；以及 绝缘性的无机膜，其覆盖除了所述第一端子部和所述第二端子部以外的所述层叠体。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述绝缘性的无机膜还覆盖所述 基板。3. 根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中，所述绝缘性的无机膜包含聚硅 氮烷的二氧化硅转化物。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述层叠体还具有： 设置于所述有机电致发光元件上的粘接层、和利用所述粘接层与所述有机电致发光元件粘 接的密封板。5. 根据权利要求1~3中任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述层叠体还具有： 设置于所述有机电致发光元件上的保护膜、设置于所述保护膜上的粘接层、和利用所述粘 接层与所述保护膜粘接的密封板。6. 根据权利要求4或5所述的有机电致发光器件，其中，所述密封板具有挠性。7. 根据权利要求1~6中任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述基板具有挠性。8. -种有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，其具备以下的工序： 在基板上形成具有有机电致发光元件的层叠体的工序，所述有机电致发光元件具备具 有第一端子部的第一导电层、有机电致发光层和具有第二端子部的第二导电层； 利用掩蔽材料覆盖所述第一端子部和第二端子部的工序； 使包含绝缘性的无机物的处理液接触所述层叠体的工序； 使所述处理液固化从而形成无机膜的工序；和 去除所述掩蔽材料的工序。9. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制造方法，其中， 所述处理液包含聚硅氮烷， 使所述处理液固化的工序包括所述聚硅氮烷的二氧化硅转化处理。
【专利摘要】本发明的有机电致发光器件(1)具备：基板(2)；具有有机电致发光元件(3)的层叠体(3A)，所述有机电致发光元件(3)具备设置于前述基板(2)上且具有第一端子部(311)的第一导电层(31)、设置于前述第一导电层(31)上的有机电致发光层(32)、和设置于前述有机电致发光层(32)上且具有第二端子部(331)的第二导电层(33)；以及绝缘性的无机膜(4)，其覆盖除了前述第一端子部(311)和前述第二端子部(331)以外的前述层叠体(3A)。
【IPC分类】H01L51/50, H05B33/10, H05B33/06, H05B33/04, H05B33/02
【公开号】CN105122941
【申请号】CN201480018994
【发明人】大崎启功
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年4月2日
【公告号】WO2014163104A1