挠性电路基板及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种晓性电路基板（Flexible Printed Circuit, FPC)，详细而言，设 及一种折叠收纳于电子设备的壳体内而使用的晓性电路基板及电子设备。
【背景技术】
[0002] 近年来，手机、笔记本电脑、数码相机（digital camera)、游戏机等所代表的电子 设备急速发展小型化、薄型化、轻量化，从而对于它们所使用的材料，期望在小空间内也能 够收纳零件的高密度且高性能的材料。晓性电路基板中，随着智能手机（smart地one)等高 性能小型电子设备的普及，零件收纳的高密度化也有所发展，所W较目前为止更需要在更 窄的壳体内收纳晓性电路基板。因此，对于作为晓性电路基板的材料的晓性覆铜层叠板，也 需求从材料方面提高耐弯折性。W下，本说明书中，有将W FPC的上表面侧大致翻转180°C 而成为下表面侧的方式进行弯折的情况称为"卷边"的情况。
[0003] 作为意图应用于运种用途的技术，专利文献1中提出有如下技术：通过对晓性覆 铜层叠板中所使用的聚酷亚胺基底膜或覆盖膜（cover film)的弹性模量进行控制，使晓性 电路基板的总刚度（StifTness)降低，由此，使耐弯折性提高。然而，仅对聚酷亚胺或覆盖 膜的特性进行控制，对于折叠收纳于电子设备内的严格的弯曲模式（mode)而言并不充分， 无法提供充分的耐弯折性优异的晓性电路基板。
[0004] 另外，专利文献2中，就在电子设备内高密度化的观点而言，从铜锥侧进行研究， 提出有着眼于铜锥的结晶粒径尺寸而抑制耐回弹（springback)性的热处理用铜锥。本技 术为如下技术：使用在铜锥中添加各种适当的添加剂而成的漉社铜锥，施加足W使晶粒肥 大化的热量，由此，使结晶粒径大幅成长，而欲改良铜锥的耐回弹性。 阳〇化]然而，对于智能手机所代表的小型电子设备，要求在狭窄的壳体内更高密度地收 纳FPC。因此，仅利用所述现有技术难W应对更高密度化的要求。
[0006][现有技术文献] 阳007][专利文献]
[0008] [专利文献1]日本专利特开2007-208087号公报
[0009] [专利文献2]日本专利特开2010-280191号公报
【发明内容】
[0010] [发明所要解决的问题]
[0011] 本发明是鉴于所述课题而完成，目的在于提供一种即便在狭窄的壳体内也能够防 止布线电路的断线或开裂、且具有优异的耐弯折性的晓性电路基板及电子设备。
[0012] [解决问题的技术手段]
[0013] 本发明人为了解决所述课题而进行努力研究，结果发现，通过着眼于构成晓性 电路基板的聚酷亚胺绝缘层的厚度、构成电路布线层的铜布线的厚度及容积比率（cube rate)、W及晓性电路基板整体的等效抗弯刚度（equivalent flexural rigidity)的关系， 可提供能够解决所述课题的晓性电路基板，从而完成本发明。
[0014] 本发明的晓性电路基板包括：聚酷亚胺绝缘层（A);电路布线层度），设于所述聚 酷亚胺绝缘层（A)的至少其中一面；W及覆盖层（cover lay) (C)，层叠于所述电路布线层 度）上。而且，本发明的晓性电路基板的特征在于具有W下的a~C的构成： 阳01引 a)所述聚酷亚胺绝缘层（A)的厚度在IOym~14 ym的范围内、或者在23 ym~ 27 Jim的范围内；
[0016] b)构成所述电路布线层做的铜布线的厚度在IOym~14 ym的范围内，且所述 铜布线的容积比率为85% W上；W及
[0017] C)当所述聚酷亚胺绝缘层（A)的厚度在10 y m~14 y m的范围内时，将所述覆盖 层似设为内侧而进行弯折时的等效抗弯刚度在0. 03N ? m2~0. 04N ? 范围内，
[0018] 当所述聚酷亚胺绝缘层（A)的厚度在23 ym~27 ym的范围内时，将所述覆盖层 似设为内侧而进行弯折时的等效抗弯刚度在0. 07N ? m2~0.1 ON ? m2的范围内。
[0019] 本发明的晓性电路基板能W将所述覆盖层（C)设为内侧而折叠的状态收纳于电 子设备的壳体内而使用。
[0020] 本发明的电子设备是将所述晓性电路基板W将所述覆盖层（C)设为内侧而折叠 的状态收纳于壳体内。 阳OW [发明的效果]
[0022] 本发明的晓性电路基板因为能够显现出布线基板所要求的高耐弯折性，所W在电 子设备内弯折的状态下的连接可靠性优异。因此，本发明的晓性电路基板可W尤其适合用 于智能手机等的要求小型液晶周围的弯折部分等的耐弯折性的电子零件。
【附图说明】
[0023] 图1是表示实施例中所使用的试验电路基板片的铜布线的情况的平面说明图。
[0024] 图2是表示弯折试验中的试样台（stage)与试验电路基板片的情况的侧面说明图 (在试样台上固定有试验电路基板片的状态图）。
[0025] 图3是表示弯折试验中的试样台与试验电路基板片的情况的侧面说明图（将要利 用漉（roller)按压试验电路基板片的弯折部位之前的状态图）。
[0026] 图4是表示弯折试验中的试样台与试验电路基板片的情况的侧面说明图（利用漉 按压试验电路基板片的弯折部位的状态图）。
[0027] 图5是表示弯折试验中的试样台与试验电路基板片的情况的侧面说明图（打开弯 折部位而使试验片恢复平坦的状态的状态图）。
[002引图6是表示弯折试验中的试样台与试验电路基板片的情况的侧面说明图（利用漉 按压弯折部位的折痕部分使之平整的状态图）。
[0029] 图7是晓性电路基板的剖面说明图（一部分）。
[0030] [符号的说明]
[0031] 20、21 :试样台
[0032] 22 :漉
[0033] 40 :试验片
[0034] 40C:试验片的弯折部位 W35] 51 :铜布线
[0036] 52:铜布线的U字部
[0037] 曰1:第i层的上表面与中立面的距离 阳0測 B :层叠体的宽度
[0039] bi:第i层的下表面与中立面的距离 W40] 心第i层的中央面与基准面的距离 LW:线宽
[0042] NP:中立面
[0043] [NP]:中立面位置
[0044] SP :基准面 W45] SW:线间宽度
[0046] ti:第i层的厚度
[0047] X、Y:水平方向 W4引 Z :垂直方向
【具体实施方式】
[0049] W下，对本发明的实施方式进行说明。
[0050] <晓性电路基板〉
[0051] 本实施方式的晓性电路基板具备：聚酷亚胺绝缘层（A);电路布线层度)，设于聚 酷亚胺绝缘层（A)的单面或两面；W及覆盖层（C)，层叠于电路布线层度）上。该晓性电路 基板例如通过如下方式制作：对具备聚酷亚胺绝缘层（A)与铜锥层的晓性覆铜层叠板的铜 锥层进行蚀刻（etching)等而加工布线电路，形成铜布线，且贴附覆盖层（C)。另外，晓性电 路基板中，当在聚酷亚胺绝缘层（A)的两面设有电路布线层度）时，弯折时成为内侧的电路 布线层具备后述的构成b即可。运时，覆盖弯折时成为内侧的电路布线层的覆盖层相当于 后述的构成C的覆盖层（C)。
[0052] <聚酷亚胺绝缘层（A)〉
[0053] 聚酷亚胺绝缘层（A)的厚度在IOym~14 ym的范围内、或者在23 ym~27 ym 的范围内（构成a)。如果聚酷亚胺绝缘层（A)的厚度小于10 ym，则晓性电路基板的等效 抗弯刚度下降，其耐卷边性下降，如果超过27 y m，则使晓性电路基板弯折时会对铜布线进 一步施加应力，从而有导致其耐卷边性下降的倾向。
[0054] 聚酷亚胺绝缘层（A)也可W直接使用市售的聚酷亚胺膜，就绝缘层的厚度或物性 的控制容易度而言，优选为通过将聚酷胺酸溶液直接涂布于铜锥上之后，利用热处理进行 干燥、硬化的所谓流延（涂布）法而获得。另外，聚酷亚胺绝缘层（A)可W仅由单层形成， 但如果考虑聚酷亚胺绝缘层（A)与电路布线层度）的粘合性等，则优选包含多层。当将聚 酷亚胺绝缘层（A)设为多层时，可W在包含不同构成成分的聚酷胺酸溶液上依次涂布其他 聚酷胺酸溶液而形成。当聚酷亚胺绝缘层（A)包含多层时，也可W将同一构成的聚酷亚胺 前体树脂使用两次W上。 阳化5] 对聚酷亚胺绝缘层（A)更详细地进行说明。如上所述，聚酷亚胺绝缘层（A)优选 设为多层，作为其具体例，优选将聚酷亚胺绝缘层（A)设为如下层叠构造，即，包含热膨胀 系数小于30 X10 Vk的低热膨胀性的聚酷亚胺层（i)与热膨胀系数为30 X10 Vk W上的高 热膨胀性的聚酷亚胺层（ii)。更优选将聚酷亚胺绝缘层（A)设为在低热膨胀性的聚酷亚胺 层（i)的至少其中一侧、优选为两侧，具有高热膨胀性的聚酷亚胺层（ii)的层叠构造，且使 高热膨胀性的聚酷亚胺层（ii)直接与电路布线层度）相接。运里，所谓"低热膨胀性的聚 酷亚胺层（i)"，是指热膨胀系数小于30 X 10 ^K、优选为1 X 10 Vk~25 X 10 Vk的范围内、 尤其优选为3X 10 ~20X 10 的范围内的聚酷亚胺层。另外，所谓"高热膨胀性的聚 酷亚胺