栅极集成驱动电路、其修复方法、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤指一种栅极集成驱动电路、其修复方法、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，显示技术被广泛应用于电视、手机以及公共信息的显示，用于显示画面的显示面板也多种多样，而且可以显示丰富多彩的画面。越来越多的显示面板，例如薄膜晶体管液晶显不面板(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称 TFT-LCD)，有机发光显示面板(Organic Light Emitting D1de，简称OLED)等，都需要利用栅极集成驱动(Gate Driver on Array，简称G0A)技术，将栅极驱动电路集成在显示面板中的玻璃基板上，形成对显示面板的扫描驱动，从而可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本。
[0003]图1示出了现有的栅极集成驱动电路的排布示意图。由于栅极集成驱动电路中的移位寄存器都是由多个薄膜晶体管(Thin-film Transistor，简称TFT)和电容构成，而且是移位寄存的，实际生产过程中，当某个移位寄存器的一个TFT器件发生损坏时，例如沟道粘连，会带来该行移位寄存器的异常工作，根据GOA移位寄存的原理，发生损坏的该行移位寄存器会无法拉低上一行移位寄存器的输出，同样也无法给下一行移位寄存器充电，导致不良行及以下均不能正常输出，进而会使整个栅极集成驱动电路异常工作，如果沟道粘连发生在像素中，根据显示模式，像素会变成暗点或亮点，导致面板显示异常；另外，一些异物如灰尘颗粒，会导致TFT器件中的沟道区域发生静电击穿，静电击穿同样会导致面板显示异常。
[0004]因此，如何可以有效地修复栅极集成驱动电路，是本领域技术人员亟待解决的问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供一种栅极集成驱动电路、其修复方法、显示面板及显不装置，可以修复不良，提尚广品良率。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种栅极集成驱动电路，包括:级联设置的多个移位寄存器；
[0007]每个所述移位寄存器内部设置有至少一个修复薄膜晶体管；所述修复薄膜晶体管用于代替所述移位寄存器中出现缺陷的薄膜晶体管。
[0008]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路中，所述修复薄膜晶体管的栅极、源极和漏极中的一个或多个具有至少一个尖端结构。
[0009]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路中，所述源极和漏极呈梳状结构，所述源极和/或漏极的尖端结构位于所述梳状结构的梳柄末端。
[0010]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路中，每个所述移位寄存器内部设置有至少一对修复薄膜晶体管；
[0011]所述一对修复薄膜晶体管的栅极的尖端结构的尖端聚为一点；和/或
[0012]所述一对修复薄膜晶体管的源极的尖端结构的尖端聚为一点；和/或
[0013]所述一对修复薄膜晶体管的漏极的尖端结构的尖端聚为一点。
[0014]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路中，所述修复薄膜晶体管位于所述移位寄存器的中间位置。
[0015]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路中，每相邻的两个移位寄存器为一组，共用一条位于所述两个移位寄存器之间的低电平信号线。
[0016]本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路的修复方法，包括:
[0017]确定一移位寄存器中的薄膜晶体管出现缺陷；
[0018]通过激光切断所述出现缺陷的薄膜晶体管在所述移位寄存器中的连接处；
[0019]将位于所述移位寄存器内部的修复薄膜晶体管连接至所述移位寄存器中切断的所述连接处，来代替所述出现缺陷的薄膜晶体管进行工作。
[0020]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路的修复方法，还包括:
[0021]将与所述出现缺陷的薄膜晶体管的移位寄存器共用一条低电平信号线的另一移位寄存器内部的修复薄膜晶体管连接至所述移位寄存器中切断的所述连接处，来代替所述出现缺陷的薄膜晶体管进行工作。
[0022]本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路。
[0023]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。
[0024]本发明实施例的有益效果包括:
[0025]本发明实施例提供的一种栅极集成驱动电路、其修复方法、显示面板及显示装置，该栅极集成驱动电路包括:级联设置的多个移位寄存器；每个移位寄存器内部设置有至少一个修复薄膜晶体管；该修复薄膜晶体管用于代替移位寄存器中出现缺陷的薄膜晶体管。当移位寄存器中的薄膜晶体管出现缺陷时，本发明实施例中提供的修复薄膜晶体管可以有效地进行修复，代替出现缺陷的薄膜晶体管进行工作，因此，修复薄膜晶体管可以修复不良，进而提尚棚■极集成驱动电路的广品良率。
【附图说明】
[0026]图1为现有技术中栅极集成驱动电路的排布示意图；
[0027]图2为本发明实施例提供的栅极集成驱动电路的排布示意图之一；
[0028]图3为本发明实施例提供的修复薄膜晶体管的结构示意图；
[0029]图4为本发明实施例提供的一对修复薄膜晶体管的结构示意图；
[0030]图5为本发明实施例提供的栅极集成驱动电路的排布示意图之二；
[0031]图6a为本发明实施例提供的栅极集成驱动电路的排布示意图之三；
[0032]图6b为本发明实施例提供的栅极集成驱动电路的排布示意图之四；
[0033]图7a为本发明实施例提供的栅极集成驱动电路的修复方法的流程图之一；
[0034]图7b为本发明实施例提供的栅极集成驱动电路的修复方法的流程图之二。
【具体实施方式】
[0035]下面结合附图，对本发明实施例提供的栅极集成驱动电路、其修复方法、显示面板及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0036]本发明实施例提供了一种栅极集成驱动电路，如图2所示，包括:级联设置的多个移位寄存器I ;
[0037]每个移位寄存器I内部设置有至少一个修复薄膜晶体管2 ;该修复薄膜晶体管2用于代替移位寄存器I中出现缺陷的薄膜晶体管。
[0038]在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路，当移位寄存器中的薄膜晶体管出现缺陷时，本发明实施例中提供的在栅极集成驱动电路中设置的修复薄膜晶体管可以有效地进行修复，代替出现缺陷的薄膜晶体管进行工作，因此，修复薄膜晶体管可以修复不良，进而提尚棚■极集成驱动电路的广品良率。
[0039]需要说明的是，附图中移位寄存器都是用方框表示，目的只是示意说明本
【发明内容】
；在移位寄存器中的薄膜晶体管均正常工作时，修复薄膜晶体管的栅极、源极和漏极均悬空，不与移位寄存器中的任何器件相连。
[0040]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路中，当移位寄存器正常工作时，为了预防发生静电击穿，该修复薄膜晶体管的栅极、源极和漏极中的一个或多个可以具有至少一个尖端结构，图3示出了修复薄膜晶体管2的栅极21和源极22具有一个尖端结构(虚线圆圈标注处)，漏极23具有两个尖端结构(虚线圆圈标注处)，根据尖端放电的原理，该尖端结构可以使修复薄膜晶体管起到预防静电的作用，即当栅极集成驱动电路产生静电时，静电可以通过尖端结构的设计释放掉，可以有效地预防不良，不会造成静电击穿的问题。需要说明的是，本发明实施例提供的尖端结构的总数量可以根据实际情况而定，不限于本发明附图中涉及的总数量。
[0041]进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路中，该修复薄膜晶体管的源极和漏极可以呈梳状结构，源极和/或漏极的尖端结构可以设置在梳状结构的梳柄末端。如图3所示，该修复薄膜晶体管2的源极22和漏极23均设置为梳状结构，该源极22和漏极23的尖端结构均设置在梳状结构的梳柄末端(虚线圆圈标注处)。需要说明的是，本发明实施例提供的修复薄膜晶体管的具体结构可以是任何适合设置在移位寄存器中的薄膜晶体管的结构，对于修复薄膜晶体管的结构可以根据实际情况而定，不限于本发明附图中涉及的结构。
[0042]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述栅极集成驱动电路中，为了进一步