一栅极信号SG1，并且处理接收的所述第一栅极信号SG1以形成第二栅极信号SG2，所述第二栅极信号SG2在所述关闭周期TC具有第一电平VL1。
[0029]控制元件104用以产生一控制信号SC，通过所述控制信号SC在所述开启周期T0开启所述栅极信号处理模块102或是在所述关闭周期T0内关闭所述栅极信号处理模块102，所述控制信号SC例如是周期性方波信号，方波信号的准位例如是3.3V或是0V，但是不限于此电压值。其中，当所述控制元件104在所述开启周期T0内开启所述栅极信号处理模块102时，所述栅极信号处理模块102形成一第一电阻值Ra，使所述栅极信号处理模块102通过所述第一电阻值Ra以调整接收的所述第一栅极信号SG1，所述第二栅极信号SG2在所述开启周期T0具有第二电平VL2，其中所述第二电平VL2小于所述第一电平VL1。栅极信号处理模块102是栅级驱动芯片集成于阵列基板(G0A)的电路。
[0030]具体来说，所述栅极信号处理模块102包括电阻元件106以及晶体管108，电阻元件106具有一第二电阻值，所述电阻元件106用以接收所述第一栅极信号SG1。晶体管108设有源极端S、栅极端G以及漏极端D，所述源极端S连接所述电阻元件106，所述栅极端G电性连接所述控制元件104以接收控制信号SC，所述漏极端D连接一接地端GND，所述源极端G与所述电阻元件104的电性连接处用以输出所述第二栅极信号SG2。所述晶体管108为N型金属氧化物半导体场效晶体管(NM0S)或是P型金属氧化物半导体场效晶体管。其中，所述控制信号SC用以控制所述晶体管108的开启与关闭的状态，当所述控制信号SC开启所述晶体管108时，所述晶体管108在所述源极端S与所述漏极端D之间形成所述第一电阻值Ra。本发明的栅极信号处理模块102经由一受周期性方波控制的晶体管108的漏极端D接地，以使栅极电压下降过程由一级变为至少两级，本发明以两级为例。
[0031]在一实施例中，所述控制信号SC包括周期性方波信号。所述电阻元件106的第二电阻值Rb等于所述驱动电路100的输出端与所述晶体管108的源极端S之间的阻抗值。所述第二栅极信号SG2在所述开启周期T0的第二电平VL2与所述第一电阻值Ra正相关，即，第一电阻值Ra越高，所述开启周期T0的第二电平VL2越高。
[0032]在一实施例中，当所述控制元件104在所述开启周期内开启所述晶体管108时，所述第二栅极信号SG2以下列公式表示，S_out = S_in* (Ra/ (Ra+Rb)，其中S_out表示所述第二栅极信号SG2，S_in表示所述第一栅极信号SGl，Ra表示所述第一电阻值，Rb表示所述第二电阻值。所述第一栅极信号SG1的电平等于所述第二栅极信号SG2在所述关闭周期TC的第一电平VL1。本发明的栅极信号处理模块102解决了现有技术中在阵列基板上处理栅极的电压输出而且所述印刷电路板(PCB)的栅极电压输出之电路较为复杂的问题。
[0033]本发明第二实施例中提供一种阵列基板，包括栅极驱动装置，其特征在于，所述栅极驱动装置包括上述的栅极驱动装置。
[0034]本发明之栅极驱动装置及其阵列基板，通过栅极信号处理模块实现栅极电压至少分成两级关启与关闭，使在单位时间内电压电平的变化减小，最终达到减少对基准电压影响的目的。
[0035]虽然本发明已用较佳实施例揭露如上，然其幷非用以限定本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求范围所界定者为准。
【主权项】
1.一种栅极驱动装置，设置于液晶面板的阵列基板上，其特征在于，所述栅极驱动装置包括: 一驱动电路，用以在一信号周期之内输出第一栅极信号，所述信号周期包括关闭周期以及邻接所述关闭周期的开启周期； 一栅极信号处理模块，电性连接所述驱动电路，用以在所述信号周期接收所述第一栅极信号，并且处理接收的所述第一栅极信号以形成一第二栅极信号，所述第二栅极信号在所述关闭周期具有第一电平； 一控制元件，电性连接所述栅极信号处理模块，用以产生一控制信号，通过所述控制信号在所述开启周期开启所述栅极信号处理模块或是在所述关闭周期内关闭所述栅极信号处理模块； 其中，当所述控制元件在所述开启周期内开启所述栅极信号处理模块时，所述栅极信号处理模块形成一第一电阻值，使所述栅极信号处理模块通过所述第一电阻值以调整接收的所述第一栅极信号，所述第二栅极信号在所述开启周期具有第二电平，其中所述第二电平小于所述第一电平。2.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述栅极信号处理模块包括: 一电阻元件，具有一第二电阻值，所述电阻元件用以接收所述第一栅极信号；以及 一晶体管，设有源极端、栅极端以及漏极端，所述源极端连接所述电阻元件，所述栅极端电性连接所述控制元件以接收控制信号，所述漏极端连接一接地端，所述源极端与所述电阻元件的电性连接处用以输出所述第二栅极信号。 其中，所述控制信号用以控制所述晶体管的开启与关闭的状态，当所述控制信号开启所述晶体管时，所述晶体管在所述源极端与所述漏极端之间形成所述第一电阻值。3.根据权利要求2所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述晶体管为N型金属氧化物半导体场效晶体管。4.根据权利要求2所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述控制信号包括周期性方波信号。5.根据权利要求2所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述电阻元件的第二电阻值等于所述驱动电路的输出端与所述晶体管的源极端之间的阻抗值。6.根据权利要求2所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述第二栅极信号在所述开启周期的第二电平与所述第一电阻值正相关。7.根据权利要求6所述的栅极驱动装置，其特征在于，当所述控制元件在所述开启周期内开启所述晶体管时，所述第二栅极信号以下列公式表示，S_out = S_in*(Rl/(Rl+R2)，其中S_out表示所述第二栅极信号，S_in表示所述第一栅极信号，R1表示所述第一电阻值，R2表示所述第二电阻值。8.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述第一栅极信号的电平等于所述第二栅极信号在所述关闭周期的第一电平。9.一种阵列基板，包括栅极驱动装置，其特征在于，所述栅极驱动装置采用权利要求1-8中任意一项所述的栅极驱动装置。
【专利摘要】本发明涉及一种栅极驱动装置及其阵列基板，包括驱动电路用以在信号周期之内输出第一栅极信号，信号周期包括关闭周期以及邻接关闭周期的开启周期；栅极信号处理模块用以在信号周期接收第一栅极信号，并且处理接收的第一栅极信号以形成第二栅极信号，第二栅极信号在关闭周期具有第一电平；控制元件用以产生控制信号，通过控制信号在开启周期开启栅极信号处理模块或是在关闭周期内关闭栅极信号处理模块；其中当控制元件在开启周期内开启栅极信号处理模块时，栅极信号处理模块形成第一电阻值，使栅极信号处理模块通过第一电阻值以调整接收的第一栅极信号，第二栅极信号在开启周期具有第二电平，其中第二电平小于第一电平。本发明减少对基准电压的影响。
【IPC分类】G09G3/36
【公开号】CN105405423
【申请号】CN201510934336
【发明人】黄笑宇
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年12月15日