。本发明所提供的检测方法可用以检测主动元件阵列基板上的缺陷。参考图1，主动元件阵列基板100包括显示区110、多个像素结构120、驱动电路130、多条信号线140以及控制线150。像素结构120例如排列成二维阵列，且配置于显示区110内，并通过信号线140以控制。信号线140电性连接到驱动电路130与相应的像素结构120。信号线140可为数据线或扫描线，在此以扫描线为例。驱动电路130可为栅极电路(Gate circuit)或源极电路(Source circuit)，且配置于显示区110之外，在此以栅极电路为例。控制线150位于驱动电路130与显示区110之间，并与信号线140相互交错且相互绝缘。
[0057]应理解的是，本发明仅以传统的主动元件阵列基板为例，而并不限定于此结构的主动元件阵列基板。此外，本发明仅绘示出一主动元件阵列基板100，然而，本领域技术人员应理解通常是对一较大的母板上的多个主动元件阵列进行检测。待检测完成后，才会在后续的工艺中切割母板，以形成独立的多个主动元件阵列基板。
[0058]图2是本发明的检测方法流程图。图3是本发明所应用的电压映像机台示意图。请参考图2，首先，本发明的检测方法如步骤SlO所示，须先对主动元件阵列基板100进行整体检测，而进行整体检测的方式可为光学式外观检查法或电压映像(Voltage imaging)测定法。
[0059]光学式外观检查法为通过将光投射在薄膜晶体管上，经感测器检测反射光后，再通过影像处理技术而将邻接的像素图案加以比对，以检查图案是否相异，进而可得知缺陷所对应的待测信号线140A(参考图5A)。
[0060]电压映像测定法是一种非接触方式检查技术。请参考图3，电压映像机台30包括感光元件31、光源32、调变元件(modulator) 33、液晶结构34以及反射元件35。电压映像测定法的原理为利用感光元件31擷取反射元件35上的画面以获取不同像素结构120的电场数据。更具体而言，感光元件31举例为高解析度镜头，电压映像机台30利用调变元件33控制其与主动元件阵列基板100之间的空气间隙。具有缺陷的像素结构120会产生与其他正常的像素结构120不同的电场，在对应具缺陷的像素结构的区域，影响液晶结构34中的液晶有不同的转向。接下来，在反射元件35反射光线后，感光元件31便接收到不同的亮度。最后，影像处理器40针对该些不同的亮度数据进行处理而在监控器50上产生监控画面。藉此便可发现点缺线、线缺线及不匀(mura)等缺陷所对应的像素结构120，进而可得知缺陷所对应的待测信号线140A(参考图5A)。
[0061]经由前述光学式外观检查法或电压映像测定法等方法对主动元件阵列基板进行整体检测之后，即可得知缺陷所对应的待测信号线140A(参考图5A)。如步骤S20所示，选定前述具有缺陷的待测信号线140(参考图5A)后，再如步骤S30所示，将进行待测信号线140A(参考图5A)上的缺陷位置的检测。缺陷位置的检测方法将于下文中说明。
[0062]图4是本发明一实施例的缺陷位置检测方法流程图。图5A至图5C是进行本发明一实施例的一种主动元件阵列基板的检测方法的相应结构的局部放大图。请同时参考图4以及图5A，判断出缺陷所对应的待测信号线140A之后，再进行待测信号线140A上的缺陷位置的检测。本发明于此为清楚表示而仅绘示出三个像素结构120及三条信号线140。如图4的步骤S31以及图5A所示，进行缺陷位置的检测时，需先于控制线150与待测信号线140A的交错处导通控制线150与待测信号线140A。导通控制线150与待测信号线140A的方式可为气焊、电阻焊、电弧焊、感应焊接或激光焊接等方式。本实施例例如是通过激光来熔接控制线150与待测信号线140A的交错处，以形成连接控制线150与待测信号线140A的熔接点W，然而，本发明并不以此为限。
[0063]接着，如图4的步骤S32所示，导通控制线150与待测信号线140A后，再由控制线150输入测试信号S至待测信号线140A，以判定缺陷在图面中行方向(column)像素结构上的位置。换言之，如图5A所示，测试信号S流经图中最右侧的信号线140时，由于最右侧的信号线140与控制线150并没有导通，因此，测试信号S并不会流入最右侧的信号线140。此外，测试信号S流至待测信号线140A时，因为待测信号线140A与控制线150已通过形成熔接点W而导通，因此，测试信号S会流入待测信号线140A，进而可进入显示区110内，以判定出缺陷在图面中行方向(column)像素结构上的位置。判定缺陷位置的方法为对主动元件阵列基板进行热成像，利用具有缺陷的待测信号线140A容易因短路或断路等原因而发热的特性，来检测出待测信号线140A中缺陷所在的位置。本实施例例如是进行红外线热影像检测(Infrared Thermography Detect1n)，以通过获得的红外线热影像数据来判断缺陷的位置。
[0064]接着，如图4的步骤S33a以及图5B所示，在判定缺陷的位置之后，再绝缘控制线150与待测信号线140A。方法为移除连接于熔接点W的相对两侧的待测信号线140A的一部分，以形成第一信号线段141A、第二信号线段142A以及第三信号线段143A。第一信号线段141A电性连接驱动电路130，第二信号线段142A电性连接像素结构120，第一信号线段141A和第二信号线段142A均不具有熔接点W，第三信号线段143A具有熔接点W，且分别与第一信号线段141A以及第二信号线段142A之间具有一间隙d以相互绝缘。通过移除连接于熔接点W相对两侧的待测信号线140A的一部分，可使控制线150与待测信号线140A解除如图4A所示的导通状态。换言之，如前述所述移除待测信号线140A的一部分后，当测试信号S自控制线150流至待测信号线140A后，测试信号S将不会流入第一信号线段141A或第二信号线段142A。应注意的是，第三信号线段143A与第一信号线段141A以及第二信号线段142A之间的两间隙d可为相同值或不同值。
[0065]最后，如图4的步骤S34a以及图5C所示，再于主动元件阵列基板上形成电性连接第一信号线段141A与第二信号线段142A的连接线160，且连接线160与第三信号线段143A相互绝缘。形成连接线160的方式为利用激光化学气相沉积的方式以形成连接线160，并可将前述相互绝缘的第一信号线段141A以及第二信号线段142A的信号补回。更具体而言，本发明可利用热解激光化学气相沉积(Pyrolytic Laser Chemical Vapor Deposit1n)或光解激光化学气相沉积(Photolytic Laser Chemical Vapor Deposit1n)的方式，利用聚焦的激光光束照射在指定表面上，再形成欲沉积物于前述指定表面，而达到连接第一信号线段141A以及第二信号线段142A的目的。简言之，通过连接线160而可将原先绝缘的第一信号线段141A以及第二信号线段142A恢复导通状态，进而使连接驱动电路130的第一信号线段141A可再将信号传递至连接像素结构120的第二信号线段142A。
[0066]图6是本发明另一实施例的缺陷位置检测方法流程图。图7A及图7B是进行本发明另一实施例的一种主动元件阵列基板的检测方法的相应结构的局部放大图。依据本实施例的主动元件阵列基板如图7A所示，包括显示区110、多个像素结构120、驱动电路130、控制线150以及多条信号线140。本实施例与前述实施例的主要差异在于，信号线140的一侧具有突出的至少一第一延伸部144，控制线150的一侧具有突出的至少一第二延伸部151，其中各个第一延伸部144中的至少一个与相应的第二延伸部151相互交错，且交错的位置可形成前述所提及的激光熔接后的熔接点W。本发明附图中的第一延伸部144皆自信号线140的同一方向延伸(如图7A中所示，第一延伸部144皆自信号线140的左侧延伸)，然而，本发明并不以此为限，第一延伸部144可自各个信号线140的不同侧延伸，且延伸方向可为横向或斜向等。
[0067]此外，为厘清第一延伸部144以及第二延伸部151的设计是否会影响GOA形式的主动元件阵列基板，因此，进行了实验如下:边长约14μπι的单条信号线140的电容值约为630pF，假设第一延伸部144以及第二延伸部151所形成的焊接处的区域边长为8 μπι，则产生的电容值约为0.0lpF，相较于前述单条信号线140的电容值，第一延伸部144以及第二延伸部151所增加的电容值的增幅比例约为0.001%，此增幅比例远小于化学气相沉积膜所带来的变异(约±15% )。因此，由以上实验数据可得知第一延伸部144以及第二延伸部151的设计实质上并不会影响GOA形式的主动元件阵列基板。
[0068]以下将说明依据本实施例的主动元件阵列基板的检测方法。请同时参