显示基板及其制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 液晶显示器由于零辐射、低功耗、散热小、体积小、图像还原精确、字符显示锐利等 优点，已广泛替代了传统CRT显示装置。
[0003] 液晶显示器主要包括彩膜基板、阵列基板以及夹设于二者之间液晶，为了维持液 晶显示器中彩膜基板与阵列基板之间的盒厚，通常需要设置隔垫物。如图1所示，液晶显示 器在彩膜基板20设置柱形的主隔垫物4和副隔垫物5,在阵列基板10的上形成与上述主、 副隔垫物相对应的第一凹槽14和第二凹槽15,用以防止两基板间的滑移以免产生漏光、色 不均等不良，但该方案中形成上述凹槽（第一凹槽14和第二凹槽15)需要额外增加一次有 机膜11及保护膜12的光刻工序（包括镀膜、曝光、显影以及有机膜灰化等工序），增加了生 产成本以及工艺时间；此外，上述凹槽位置的高度低于像素区高度，一旦外力较大时，隔垫 物容易滑移出凹槽，划伤阵列基板侧的配向膜，导致局部配向异常，引起显示异常（mura)。
【发明内容】
[0004] 本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，解决了现有隔垫物 容易滑移出凹槽引发显示不良的问题，并且不会因此额外增加工序。
[0005] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0006] -方面，本发明的实施例提供一种显示基板，所述显示基板上还设置有：与隔垫物 对应用于嵌套隔垫物的凹槽，所述凹槽由光刻胶形成，且所述凹槽的底面高出所述显示基 板上像素区的高度。
[0007] 优选地，所述凹槽利用所述显示基板制作过程中最后一道光刻工序中使用的光刻 胶形成。
[0008] 可选地，所述显示基板为阵列基板，所述凹槽位于阵列基板的最上一层透明导电 层之上，用于嵌套彩膜基板上的隔垫物。
[0009] 可选地，所述显示基板为彩膜基板，所述凹槽位于彩膜基板的最上一层彩色滤光 层之上，用于嵌套阵列基板上的隔垫物。
[0010] 可选地，所述隔垫物包括多种隔垫物，所述凹槽至少与其中一种隔垫物相对应。
[0011] 可选地，所述隔垫物包括：用以维持盒厚的主隔垫物，所述凹槽包括与所述主隔垫 物对应的第一凹槽。
[0012] 可选地，所述第一凹槽位于阵列基板上栅线的分布区域，且所述第一凹槽内设置 有隔垫物枕。
[0013] 可选地，所述隔垫物还包括：副隔垫物，所述凹槽包括与所述副隔垫物对应的第二 凹槽。
[0014] 可选地，所述第二凹槽位于阵列基板上栅线的分布区域以及薄膜晶体管的对应区 域。
[0015] 可选地，所述主隔垫物的高度等于所述副隔垫物的高度，所述第一凹槽的深度小 于所述第二凹槽的深度；或者，所述主隔垫物的高度大于所述副隔垫物的高度，所述第一凹 槽的深度等于所述第二凹槽的深度。
[0016] 优选地，所述隔垫物为下宽上窄的柱状结构，与所述隔垫物对应的所述凹槽为上 宽下窄的结构。
[0017] 本发明实施例还提供一种显示装置，包括：上述任一项所述的显示基板。
[0018] 另一方面，本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：利用光刻工序中 使用的光刻胶形成与隔垫物对应用于嵌套隔垫物的凹槽，所述凹槽的底面高出所述显示基 板上像素区的高度。
[0019] 可选地，所述利用光刻工序中使用的光刻胶形成与隔垫物对应的凹槽，具体为：在 显示基板的最后一道光刻工序中，利用所述光刻工序中使用的光刻胶同步形成与隔垫物对 应的凹槽。
[0020] 优选地，所述显示基板为阵列基板，在阵列基板的最后一道形成透明电极的光刻 工序中，通过半透膜掩膜工艺、灰化工艺，利用光刻胶同步形成与隔垫物对应的凹槽。
[0021] 进一步地，所述制备方法，还包括：形成所述凹槽后，对形成的所述凹槽进行固化。
[0022] 本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，在显示基板上设置有与隔垫 物对应的凹槽，显示基板与相对的基板对盒后隔垫物置于该凹槽内，可有效防止两基板间 发生滑移而产生的不良；并且，凹槽的底面高出显示基板上像素区的高度，即便外力较大隔 垫物滑移出凹槽也不会划伤配向膜，避免了因此导致的局部配向异常；另外，可通过在凹槽 预设位置保留显示基板光刻工序中使用的光刻胶来同步形成凹槽，无需额外增加工艺。
【附图说明】
[0023] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的 附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领 域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附 图。
[0024] 图1为现有技术中液晶显示器的截面结构示意图；
[0025] 图2为本发明实施例提供的显示基板的截面结构示意图；
[0026] 图3为本发明实施例提供的ADS阵列基板及彩膜基板的截面结构示意图；
[0027] 图4为本发明实施例提供的ADS阵列基板上凹槽的设计平面图；
[0028] 图5 (a)~图5 (c)分别为本发明实施例提供的另外三种隔垫物及凹槽设置位置的 截面示意图；
[0029] 图6为本发明实施例中涉及的彩膜基板的制备流程图；
[0030] 图7为本发明实施例中ADS阵列基板的制备流程图；
[0031] 图8为本发明实施例ADS阵列基板制备流程中第二透明导电层的曝光示意图。
[0032] 附图标记
[0033] 20-彩膜基板，4-主隔垫物，5-副隔垫物，10-阵列基板，11-有机膜，
[0034] 12-保护膜，13-基板，14-第一凹槽，15-第二凹槽；30-显示基板，31-凹槽；
[0035] 21-基板，220-黑矩阵，23-平坦层，16-栅金属层，17-栅绝缘层，18-有源层，
[0036] 19-源漏金属层，24-钝化层，25-第二透明导电层，26-隔垫物枕，
[0037] 51-副隔垫物，52-副隔垫物，151-第二凹槽，152-第二凹槽，40-掩模板。
【具体实施方式】
[0038] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0039] 本发明的实施例提供一种显示基板30,如图2所示，显示基板30上还设置有：与 隔垫物对应用于嵌套隔垫物的凹槽31，凹槽31由光刻胶形成，且凹槽31的底面高出显示基 板上像素区的高度。
[0040] 本实施例提供显示基板30,其上设置有与隔垫物对应的凹槽31，而隔垫物一般设 置于与显示基板30对盒的另一基板上，或者隔垫物也可独立于基板设置。对盒后，隔垫物 卡入凹槽31内，可有效防止两基板间发生滑移而产生的不良。且凹槽31的底面高出显示 基板上像素区的高度，由于凹槽31的高度，即便外力较大隔垫物滑移出凹槽31，也不会对 配向膜产生大的划伤，避免了因此导致的局部配向异常。凹槽31由光刻胶形成，优选显示 基板30制作过程中某一工序使用的光刻胶，例如可将光刻工序使用的光刻胶予与保留，用 来制作上述凹槽。优选在上述光刻工序中的曝光工序同步在隔垫物对应位置制作出凹槽图 形，在上述光刻工序中的刻蚀工序对上述凹槽图形进行刻蚀，形成与隔垫物对应的凹槽31， 无需额外增加工序。但需要注意的是，具体到实际使用时，需要注意确保因凹槽31处光刻 胶的存在而同时额外保留的其它膜层不会对显示基板有影响。
[0041] 对液晶显示装置而言，所述显示基板30可以是彩膜基板或阵列基板；对OLED显示 装置而言，所述显示基板30可以是OLED背板或与之对盒的保护基板，因此本实施例对显示 基板30不做限定，凡是需要设置隔垫物维持显示面板盒厚的情况，均可适用本实施例方案
[0042] 优选地，凹槽31利用显示基板制作过程中最后一道光刻工序中使用的光刻胶形 成，可以避免凹槽31因上方层叠太多膜层而导致凹槽31的深度及宽度不足以容纳隔垫 物。对于TN(Twist Nematic，扭曲向列液晶）模式的阵列基板，最后一道光刻工序为形 成钝化层的工序，可以在形成钝化层过孔时同步形成凹槽31 ;对于ADS(Advanced-Super Dimensional Switching，高级超维场开关技术）模式的阵列基板，最后一道光刻工序为形 成第二层透明导电层（2nd ΙΤ0)的工序，可以在形成最上一层透明电极（第二透明电极像素 电极或公共电极）时同步形成凹槽31，即凹槽31位于阵列基板的最上一层透明导电层之 上，具体形成方法将在后面详细叙述。
[0043] 可选地，上述隔垫物包括多种隔垫物，对应地，上述凹槽31至少与其中一种隔垫 物的至少一个或全部相对应。例如，上述隔垫物包括用以维持盒厚的主隔垫物，以及副隔垫 物，副隔垫物通常情