止栅线与第一公共电极线之间导通，需要将第一公共电极线和栅线之间预留一段距离，使得每一像素单元不仅中间存在显示弱区，同时因为第一公共电极线与栅线之间的距离减小了像素单元的开口率。
[0081]因此，将第一公共电极线设置在第一公共电极线设置在第一显示区域和第二显示区域的交界处，可有效遮挡像素单元的显示弱区，相对第一公共电极线靠近栅线的设计还可提高像素单元的开口率。
[0082]具体地，为了更加清楚地了解第一公共电极线的位置，参见图11所示，在衬底基板11上依次包括公共电极21和第一公共电极线211，且第一公共电极线位于相邻两个公共电极21之间，以及位于相邻两个公共电极21之上，用于连接该相邻的两个公共电极21。其中，位于公共电极21和像素电极22之间还包括绝缘层13。其中图11为第一显示区域和第二显示区域交界处的截面图。
[0083]较佳地，参见图12，以每相邻的两列像素单元41为一像素单元组50，且每一像素单元组中包括的像素单元不同，其中每一像素单元组共用一根数据线51，每相邻两组像素单元组之间还包括第二公共电极线212，第二公共电极线212连接相邻的两组像素单元中的公共电极21。
[0084]—般地，像素结构分为单栅极排布的像素结构和双栅极排布的像素结构，具体地，像素结构中包括位于每一像素单元之间的数据线和栅线，其中栅线位于每相邻两行像素单元之间，数据线位于每相邻两列像素单元之间，当每相邻两列像素单元之间均包括数据线，该结构为单栅极结构，且每一数据线用于给相邻的一个像素单元提供电压信号，该结构的像素结构中仅包括第一公共电极线，例如图10中所示，在每一像素单元中的第一显示区域和第二显示区域之间的交界处存在第一公共电极线；如图12所示，当每一像素单元组50共用一根数据线51，该结构为双栅极结构，且每一数据线51用于输入给该数据线相邻的两列像素单元41电压信号，但每组像素单元组中的两个像素单元之间不存在数据线，为了能够减小每一像素单元组中的公共电极的阻值，可以通过第二公共电极线212将相邻两个像素单元组中的公共电极连接，从而减小公共电极的阻值。
[0085]较佳地，第二公共电极线与栅线同层设置，且第二公共电极线在与栅线的交叠区域处，通过过孔连接。
[0086]其中，当竖向排布的第二公共电极线与横向设置的栅线存在交叉时，为了防止两者之间导通，在第二公共电极线上设置过孔，通过过孔及其上覆盖的导电层(如像素电极等)，跨过栅线实现第二公共电极线的连接。
[0087]综上所述，本发明实施例提供的像素结构中，将异层设置的像素电极和公共电极设计为在衬底基板上的投影无重叠区域，从而减小公共电极和像素电极之间的存储电容，提高像素的充电率。具体地，将像素电极和公共电极设计为梳状电极，且呈插指结构排布，使得像素电极和公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域；每一像素单元中包括由沿着同一方向延伸的梳状电极组成的第一显示区域和由沿着另一方向延伸的梳状电极组成的第二显示区域，从而增加了像素单元的显示视角，以及改善色偏；另外，在像素结构中还包括位于第一显示区域和第二显示区域交界处的，连接第一显示区域和第二显示区域中的公共电极的第一公共电极线，使得第一公共电极线遮挡了显示弱区，并将第一公共电极线设计在交界处，相比于将第一公共电极设计在像素边缘位置，节省了栅线与第一公共电极线之间的距离，从而增大了像素的开口率。
[0088]需要说明的是，当像素电极和公共电极同层设置时，可以将像素电极和公共电极设计为本发明实施例提供的梳状电极，且像素电极和公共电极呈插指结构排布。具体地，每一像素单元中包括沿同一方向延伸的梳状电极组成的第一显示区域和由沿着另一方向延伸的梳状电极组成的第二显示区域，从而增加像素单元的显示视角，以及改善色偏，达到多畴显示的效果；另外，在像素结构中还包括位于第一显示区域和第二显示区域交界处的，连接第一显示区域和第二显示区域中的公共电极的第一公共电极线，使得第一公共电极线遮挡了显示弱区，并将第一公共电极线设计在交界处，相比于将第一公共电极设计在像素边缘位置，节省了栅线与第一公共电极线之间的距离，从而增大了像素的开口率。
[0089]本发明实施例提供的一种阵列基板，包括本发明实施例提供的像素结构。
[0090]需要说明的是，本发明实施例中的阵列基板，也包括同层设置的像素电极和公共电极的像素结构。
[0091]本发明实施例提供的一种显示面板，包括本发明实施例提供的阵列基板。
[0092]实施例2
[0093]下面详细描述一下如何制作实施例1中提供的像素结构。
[0094]参见图13，本发明实施例提供的一种本发明提供的像素结构的制作方法，该方法包括:
[0095]S1301、采用构图工艺在衬底基板上形成公共电极；
[0096]S1302、形成像素电极，且像素电极与公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域。
[0097]需要说明的是，在衬底基板上依次形成公共电极和像素电极，且像素电极和公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域，意味着在公共电极和像素电极形成之后，两者之间的存储电容减小，从而提高像素的充电率。
[0098]较佳地，S1301中采用构图工艺在衬底基板上形成公共电极，包括:
[0099]采用掩膜版图形通过曝光显影等工艺，形成公共电极，公共电极为梳状电极结构。
[0100]本发明实施例中提供的公共电极的结构与实施例1中描述的公共电极结构相同，均为梳状电极结构，且公共电极中梳状电极的延伸方向可以同实施例1中所述按照不同方向排布，且形成公共电极的方法与现有技术相同，均是按照曝光显影等工艺完成，此处不再赘述。只是用于形成本发明实施例提供的公共电极的掩膜版图形是与梳状结构相同的掩膜版图形。
[0101]较佳地，S1302中形成像素电极，且像素电极与公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域，包括:
[0102]采用掩膜版图形通过曝光显影等工艺，形成像素电极，像素电极为梳状电极结构，且像素电极与公共电极呈插指结构排布。
[0103]本发明实施例中提供的像素电极的结构与实施例1中描述的像素电极结构相同，均为梳状电极结构，且像素电极中梳状电极的延伸方向可以同实施例1中所述按照不同方向排布，且形成像素电极的方法与现有技术相同，均是按照曝光显影等工艺完成，此处不再赘述。只是用于形成本发明实施例提供的像素电极的掩膜版图形是与梳状结构相同的掩膜版图形。
[0104]较佳地，掩膜版为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。
[0105]较佳地，在形成公共电极后，且形成像素电极之前，该方法还包括:
[0106]在公共电极上形成第一公共电极线。
[0107]需要说明的是，在公共电极形成之后，沿着两个不同方向延伸的梳状电极结构的公共电极存在交界处，为了防止公共电极在交界处产生较大的电阻，设置第一公共电极线连接不同方向延伸的公共电极，且该第一公共电极线位于公共电极之上。其中形成第一公共电极线的材料和方法与形成公共电极的材料和方法相同，此处不再赘述。
[0108]较佳地，在形成第一公共电极线的同时，形成第二公共电极线。
[0109]需要说明的是，对于双栅极的像素结构，需要设置第二公共电极线连接相邻的两列像素单元中的公共电极，在形成第一公共电极线的同时，形成第二公共电极线。且第二公共电极线与第一公共电极线同层设置，因为在形成公共电极后形成栅线，所以第二公共电极线与栅线同层设置。第二公共电极线位于相邻两列像素单元之间，栅线