位于相邻两行像素单元之间，在栅线与第二公共电极线的交叠区域处，在第二公共电极线上形成过孔，通过过孔及其上覆盖的导电层(如像素电极等)，跨过栅线实现第二公共电极线的连接，使得栅线和第二公共电极线绝缘。
[0110]需要说明的是，本发明实施例中提供的像素结构的制作方法，只是以公共电极和像素电极不同层设置为较佳实施例进行详细描述。对于公共电极和像素电极同层设置的像素结构，本发明实施例提供的方法同样适用，此处不再赘述。
[0111]为了更加详细地说明本发明实施例提供的像素结构的制作方法，下面通过具体实施例进行描述。
[0112]下面以双栅极的像素结构为例，介绍一种像素结构的制作方法，该方法包括:
[0113]步骤一、在玻璃基板上，采用掩膜版图形曝光显影等工艺形成如图14所示的公共电极21 ；
[0114]步骤二、在图14的基础上形成栅极层53、栅线52、第一公共电极线211和第二公共电极线212，其中第一公共电极线211、第二公共电极线212分别与公共电极21交叠电性相连，参见图15 ；
[0115]步骤三、形成栅绝缘、有源层和源漏电极层，形成薄膜晶体管54，参见图16 ;
[0116]步骤四、形成钝化层，并采用干刻工艺形成在钝化层上过孔55，通过该过孔55使源极与像素电极电性连接，同时形成过孔56，通过该过孔56上覆盖的导电层(如像素电极等)，跨过栅极线实现不同像素单元的第二公共电极线的连接，参见图17 ;
[0117]步骤五、形成像素电极22，且像素电极22为梳状电极结构，与公共电极21在衬底基板上的投影无重叠区域，参见图18。
[0118]需要说明的是，本发明实施例提供的像素结构的制作方法，仅是以双栅极结构为例进行描述的，单栅极的像素结构同样适用，且本发明实施例提供的像素结构中梳状电极的延伸方向仅是以相邻两个像素单元的梳状电极呈“米”字型排布的结构为例进行描述的，其他延伸方向的梳状电极的制作方法同样适用。
[0119]通过本发明实施例提供的像素结构的制作方法，首先采用构图工艺在衬底基板上形成公共电极，其次，形成像素电极，且像素电极与公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域，使得形成的像素电极和公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域，从而减小了像素电极和公共电极之间的存储电容，提高了像素的充电率。
[0120]综上所述，本发明实施例提供的像素结构中，将异层设置的像素电极和公共电极设计为在衬底基板上的投影无重叠区域，从而减小公共电极和像素电极之间的存储电容，提高像素的充电率。具体地，将像素电极和公共电极设计为梳状电极，且呈插指结构排布，使得像素电极和公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域；每一像素单元中包括由沿着同一方向延伸的梳状电极组成的第一显示区域和由沿着另一方向延伸的梳状电极组成的第二显示区域，从而增加了像素单元的显示视角，以及改善色偏；另外，在像素结构中还包括位于第一显示区域和第二显示区域交界处的，连接第一显示区域和第二显示区域中的公共电极的第一公共电极线，使得第一公共电极线遮挡了显示弱区，并将第一公共电极线设计在交界处，相比于将第一公共电极设计在像素边缘位置，节省了栅线与第一公共电极线之间的距离，从而增大了像素的开口率。
[0121]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种像素结构，包括呈矩阵排布的多个像素单元，每一像素单元包括位于衬底基板上异层设置的公共电极和像素电极，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极在衬底基板上的投影无重叠区域。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极和公共电极为梳状电极结构，且所述像素电极和公共电极呈插指结构排布。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，每一像素单元分为第一显示区域和第二显示区域； 在第一显示区域中的像素电极和公共电极的梳状电极均沿同一延伸方向排布，在第二显示区域中的像素电极和公共电极的梳状电极均沿同一延伸方向排布； 在第一显示区域的梳状电极的延伸方向与第二显示区域的梳状电极的延伸方向不同。4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，各第一显示区域中的梳状电极的延伸方向均相同，各第二显示区域中的梳状电极的延伸方向均相同。5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，各像素单元中的第一显示区域中的梳状电极与第二显示区域中的梳状电极以该第一显示区域和第二显示区域的交界处为对称轴对称分布。6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，每相邻两列像素单元中的梳状电极以该两列像素单元之间的空隙为对称轴对称分布。7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括位于第一显示区域和第二显示区域交界处的第一公共电极线，所述第一公共电极线连接相邻的第一显示区域和第二显示区域中的公共电极。8.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，以每相邻的两列像素单元为一像素单元组，且每一像素单元组中包括的像素单元不同，其中每一像素单元组共用一根数据线，每相邻两组像素单元组之间还包括第二公共电极线，所述第二公共电极线连接相邻的两组像素单元中的公共电极。9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述第二公共电极线与栅线同层设置，且所述第二公共电极线在与所述栅线的交叠区域处，通过过孔连接。10.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-9任一权项所述的像素结构。11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求10所述的阵列基板。12.—种权利要求1-9任一权项所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该方法包括: 采用构图工艺在衬底基板上形成公共电极； 形成像素电极，且所述像素电极与所述公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，采用构图工艺在衬底基板上形成公共电极，包括: 采用掩膜版图形通过曝光显影等工艺，形成公共电极，所述公共电极为梳状电极结构。14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成像素电极，且所述像素电极与所述公共电极在衬底基板上的投影无重叠区域，包括: 采用掩膜版图形通过曝光显影等工艺，形成像素电极，所述像素电极为梳状电极结构，且所述像素电极与所述公共电极呈插指结构排布。15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述掩膜版为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在形成公共电极后，且形成像素电极之前，该方法还包括: 在所述公共电极上形成第一公共电极线。17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在形成第一公共电极线的同时，形成第二公共电极线。
【专利摘要】本发明公开了一种像素结构及其制作方法、阵列基板和显示面板，用以减小像素电极和公共电极之间的存储电容，增大像素的充电率。所述像素结构，包括呈矩阵排布的多个像素单元，每一像素单元包括位于衬底基板上异层设置的公共电极和像素电极，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极在衬底基板上的投影无重叠区域。
【IPC分类】G02F1/1362, G02F1/1343
【公开号】CN105278180
【申请号】CN201510745031
【发明人】贾纬华, 马小叶, 杨海鹏, 尹傛俊
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年11月5日