电子照相设备用半导电部件的制作方法_2

文档序号:9769131阅读:来源:国知局
可列举硫或一硫化四甲基秋兰姆、二硫化四甲基秋兰姆、二硫化 四乙基秋兰姆、一硫化四下基秋兰姆、二硫化四下基秋兰姆、N,N'一二甲基一N,N'一二硫化 二苯基秋兰姆、一硫化双五亚甲基秋兰姆、二硫化双五亚甲基秋兰姆、四硫化双五亚甲基秋 兰姆、六硫化双五亚甲基秋兰姆等释放活性硫的化合物。
[0037] 作为过氧化物交联剂,可列举叔下基过氧化氨、对祗烧过氧化氨、过氧化二异丙 苯、过氧化叔下基、1,3 -二(叔下基过氧基异丙基)苯、2,5 -二甲基一2,5-二(叔下基过氧 基)己烧、过氧化苯甲酯、叔下基过氧化苯甲酸醋等。
[0038] 本发明的交联体,在利用共聚物中的(甲基)丙締酷基来交联的情况下,优选利用 热、紫外线、电子射线等的活性能量线来交联。在利用热来进行交联的情况下,在l〇〇°C~ 200°C的溫度条件下在3分钟~5小时内交联反应结束。另外,在利用紫外线、电子射线等的 活性能量线的情况下,一般使用增敏剂,通常在l〇°C~150°C的溫度条件下在0.1秒~1小时 内交联反应结束。
[0039] 本发明的交联体,在利用烷氧基甲娃烷基来交联的情况下,优选用热、蒸汽来交 联。在用热来交联的情况下,在l〇〇°C~200°C的溫度条件下在3分钟~1小时内交联反应结 束。另外,在利用蒸汽来交联的情况下,在5分钟~1小时内交联反应结束。
[0040] 在本发明的电子照相设备用半导电部件中,也可W含有在对具有(a)来自环氧面 丙烷的结构单元、(b)来自环氧烧的结构单元、(C)来自含(甲基)丙締酷基或烷氧基甲硅烷 基的环酸单体的结构单元的共聚物进行交联时使用的缚酸剂(acid acc巧ter)。
[0041] 作为在本发明中使用的缚酸剂,能够使用公知的缚酸剂,但优选为金属化合物和/ 或无机微孔晶体。作为金属化合物,可列举:元素周期表第II族(第2族和第12族)金属的氧 化物、氨氧化物、碳酸盐、簇酸盐、娃酸盐、棚酸盐、亚憐酸盐,周期表第III族(第3族和第13 族)金属的氧化物、氨氧化物、簇酸盐、娃酸盐、硫酸盐、硝酸盐、憐酸盐,周期表第IV族(第4 族和第14族)金属的氧化物、碱式碳酸盐、碱式簇酸盐、碱式亚憐酸盐、碱式亚硫酸盐、=碱 式硫酸盐等。
[0042] 作为所述金属化合物的具体例子,可列举:氧化儀、氨氧化儀、氨氧化侣、氨氧化 领、碳酸钢、碳酸儀、碳酸领、生石灰、熟石灰、碳酸巧、娃酸巧、硬脂酸巧、硬脂酸锋、邻苯二 甲酸巧、亚憐酸巧、锋白、氧化锡、一氧化铅、铅丹、铅白、二碱式邻苯二甲酸铅、二碱式碳酸 铅、硬脂酸锡、碱式亚憐酸铅、碱式亚憐酸锡、碱式亚硫酸铅、=碱式硫酸铅等,优选为碳酸 钢、氧化儀、氨氧化儀、生石灰、熟石灰、娃酸巧、锋白等。
[0043] 所述无机微孔晶体是指结晶性的多孔体,其能够与无定型的多孔体例如硅胶、氧 化侣等明显地区分开。作为运种无机微孔晶体的例子,可列举沸石类、憐酸侣型分子筛、层 状娃酸盐、合成水滑石、铁酸碱金属盐等。作为特别优选的缚酸剂,可列举合成水滑石等。
[0044] 所述沸石类,除了天然沸石W外,还有A型、X型、Y型的合成沸石、方钢石类、天然或 合成的丝光沸石、ZSM-5等各种沸石及其金属取代物,运些可W单独使用也可组合两种W 上来使用。另外,金属取代物的金属通常是钢。作为沸石类,优选为接受酸的能力大的,优选 为A型沸石。
[0045] 上述合成水滑石用下述通式(1)表示。
[0046] MgxaiyAlz(OH)W巧)+3z-2)C〇3 ? W出0 (1)
[0047] 试中,分别地,X和y各表示具有x+y = l~10的关系的0~10的实数,Z表示1~5的 实数,W表示0~10的实数。)
[004引作为上述通式(1)所表示的水滑石类的例子,可列举Mg4.日Al2(OH)i3C03 ? 3.5此0、 Mg4.日Al2(OH)i3C03、Mg4Al2(OH)i2C03 ? 3.5此0、Mg6Al2(OH)i6C03 ? 4出0、Mg日A12(OH)mC03 ? 4出0、Mg3Al2(OH)i0C03 ? 1.7出0、Mg3aiAl2(OH)i2C03 ? 3.5出0、Mg3aiAl2(OH)i2C03等。
[0049] 在本发明的电子照相设备用半导电部件中,可含有抗老化剂,能够使用公知的抗 老化剂。
[0050] 作为抗老化剂的例子,可列举:苯基一a-糞胺、对甲苯横酷胺一二苯胺、4,4-曰, a-二甲基苄基二苯胺、二苯胺与丙酬的高溫反应产物、二苯胺与丙酬的低溫反应产物、二 苯胺、苯胺、丙酬的低溫反应产物、二苯胺与二异下締的反应产物、辛基化二苯胺、取代二苯 胺、烷基化二苯胺、二苯胺衍生物、N,N' 一二苯基一对苯二胺、N-异丙基一N' 一苯基一对苯 二胺、N,N' 一二_2_糞基一对苯二胺、N-苯基_N' _3_甲基丙締酷氧基_2_径丙基对 苯二胺、N,N'一双1-甲基庚基一对苯二胺、N,N'一双1,4一二甲基戊基对苯二胺、N-l,3-二甲基下基一N'一苯基一对苯二胺、二締丙基一对苯二胺的混合物、苯基,辛基对苯二胺、 苯基一a -糞胺和二苯基对苯二胺的混合物、2,2,4 -=甲基一1,2 -二氨哇嘟的聚合物、 6-乙氧基_2,2,4_S甲基_1,2_二氨哇嘟、2,5_二叔戊基氨酿、2,5_二叔下基氨酿、 1 一氧基一3 -甲基一4一异丙基苯、2,6 -二叔下基一4一乙基苯酪、下基径基茵香酸、2,6 - 二叔下基一曰一二甲胺基一对甲酪、2,6 -二叔下基苯酪和2,4,6-=叔下基苯酪和邻叔下 基苯酪的混合物、苯乙締化苯酪、烷基化苯酪、烷基W及芳烷基取代的苯酪的混合物、苯酪 衍生物、2,2'一亚甲基双一4-甲基一6-叔下基苯酪、2,2'一亚甲基双一4-甲基一6-环 己基苯酪、2,2'一亚甲基双一4-乙基一6-叔下基苯酪、4,4一亚甲基一双一2,6-二叔下 基苯酪、亚甲基交联的多价烷基酪、烷基化双酪、对甲酪与二环戊二締的下基化反应产物、 聚下基化双酪A的混合物、4,4-硫代双一6-叔下基一3 -甲酪、4,4-亚下基双一3 -甲 基一6-叔下基苯酪、2,4一双辛基硫代甲基一邻甲酪、受阻酪、受阻双酪、2-琉基苯并咪 挫、2-琉基甲基苯并咪挫、2-琉基苯并咪挫的锋盐、2-琉基甲基苯并咪挫的锋盐、4-琉 基甲基苯并咪挫和5-琉基甲基苯并咪挫、4-琉基甲基苯并咪挫和5-琉基甲基苯并咪挫 的锋盐、双十八烷基二硫酸、二乙基二硫代氨基甲酸儀、二下基硫代氨基甲酸儀、1,3 -双二 甲基氨基丙基一 2 -硫脈、S下基硫脈、双一2 -甲基一4一3 -正烷基硫代丙酷氧基一5 -叔 下基苯基硫酸、双一3,5-二叔下基一4-径基苄基硫酸、混合月桂硬脂酸硫二丙酸醋(混合 弓。U瓜乂テ7Uシ予才公方口 才幸一H、环状缩醒、60 %聚合物多元醇和40 %氨化石英 化y化Ofined silica)的混合物、聚乙締和聚乙二醇的两种分子结构所产生的特殊聚乙二 醇加工物、惰性填料和聚合物多元醇的特殊设计的混合物、复合类抗老化剂、締醇酸、1,2, 3-苯并=挫、3-N-水杨酷氨基一1,2,4-=挫、=嗦类衍生物聚合物、十亚甲基二簇酸双 水杨酷阱、N,N' 一双3 - 3,5 -二叔下基一4 -径基苯基丙酷阱、四亚甲基一3 - 3',5' 一二叔 下基一4'一径基苯基丙酸醋甲烧等。
[0051] 对于本发明的电子照相设备用半导电部件,只要不损失本发明的效果,能够任意 配合除上述之外的在本技术领域内使用的各种填充剂、增强剂、增塑剂、导电剂、加工助剂、 阻燃剂、颜料、交联剂、交联促进剂等配合剂。进而,在不损失本发明的特性的范围内,能够 进行在本技术领域内通常实施的其他的橡胶、树脂等的混合操作。
[0052] 上述配合剂、其他的橡胶、树脂的配合能够W下述方式进行:与具有9.9~ 39.9mol %的(a)来自环氧面丙烷的结构单元、60~90mol %的(b)来自环氧烧的结构单元、 0.1~lOmol%的(C)来自含(甲基)丙締酷基或烷氧基甲娃烷基的环酸单体的结构单元的共 聚物一起混炼。通过对混炼得到的含有共聚物和配合剂的组合物进行交联,能够得到交联 体,能够制成含有交联体的电子照相设备用半导电部件。
[0053] 作为用于制作本发明的电子照相设备用半导电部件的混炼方法,能够使用W往在 聚合物加工领域中使用的任意装置,例如能够使用混合漉、班伯里密炼机、各种捏合机类 等。
[0054] 作为本发明的电子照相设备用半导电部件的成型方法,可W例举模具压缩成型、 挤出成型、注射成型等,但优选为挤出成型、注射成型。
[0055] 在本发明的电子照相设备用半导电部件中,交联体的硬度优选在根据JIS K6253 的类型A进行的硬度试验中为10~80,更优选为20~70。
[0056] 在本发明的电子照相设备用半导电部件中,根据JIS K6271来测量23°CX50%RH (相对湿度)下的交联体的体积电阻率优选为1.OXlO6~1.0X10WQ . cm,更优选为1.OX 1〇6~1.〇X1〇9q . cm。
[0057] 本发明的电子照相设备用半导电部件,可通过在基材上层叠本发明的交联体来形 成。基材虽然根据用途而不同,但是可W例举树脂或侣、铁等金属。另外,也可W在基材和交 联体之间设置中间层,还可W在交联体上设置另外的表层。本发明的电子照相设备用半导 电部件可作为复印机、打印机等的电子照相设备中的半导电漉和半导电带等来使用。
[0058] 下面,通过实施例W及比较例进行更具体的说明
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