，并且本发明不限定于此。
[0059] 聚合催化剂的合成
[0060] 在装配有溫度计和揽拌装置的S 口烧瓶中，加入10 . Og的二下基氧化锡、23.4g的 憐酸=下醋，在氮气流下揽拌的同时在260°C下加热15分钟并蒸发掉馈出物，得到作为残留 物的固体状缩合物质。将该缩合物质作为聚合催化剂来使用。
[0061] 实施例1
[0062] 对内容量为20L的SUS反应器(带有溫度计和揽拌装置)的内部进行氮气置换，装入 7.2g的上述缩合物质催化剂、4500g的含水量IOppmW下的正己烧、607g的环氧氯丙烷、820g 的60%量的环氧乙烧、61g的3-缩水甘油酸氧基丙基=甲氧基硅烷，在35°C下反应20小时。 而且，在反应时间的第1.5小时和第2.5小时分别添加820g的25%量、15%量的环氧乙烧。去 除反应溶液后，在减压下40°C下干燥8小时，得到共聚物。
[0063] 实施例2
[0064] 对内容量为20L的SUS反应器(带有溫度计和揽拌装置)的内部进行氮气置换，装入 7.2g的上述缩合物质催化剂、4500g的含水量1〇99111^下的正己烧、587肖的环氧氯丙烷、839邑 的60%量的环氧乙烧、74g的甲基丙締酸缩水甘油醋，在35°C下反应20小时。而且，在反应时 间的第1.5小时和第2.5小时分别添加839g的25%量、15%量的环氧乙烧。去除反应溶液后， 在减压下40°C下干燥8小时，得到共聚物。
[0065] 比较例1
[0066] 对内容量为20L的SUS反应器(带有溫度计和揽拌装置)的内部进行氮气置换，装入 7.2g的上述缩合物质催化剂、4500g的含水IOppmW下的正己烧、3(Mg的环氧氯丙烷、661g的 60%量的环氧乙烧、53?的3-缩水甘油酸氧基丙基=甲氧基硅烷，在35°C下反应20小时。 而且，在反应时间的第1.5小时和第2.5小时分别添加661 g的25 %量、15 %量的环氧乙烧。去 除反应溶液后，在减压下、40°C下干燥8小时，得到共聚物。但是，由于比较例1的共聚物的粘 度大大降低，变成粘附性高的糊状，因此难W从反应器中取出，无法进行W下的评价。
[0067] 根据Ih-NMR分析、氯含量来求出实施例1得到的共聚物的共聚组成，根据氯含量、 舰值来求出实施例2得到的共聚物的共聚组成。
[0068] 按照JIS K7229中记载的方法，通过电位差滴定法来求出氯含量。电位差滴定法是 使用在电极中包括复合电极C-878的京都电子工业株式会社制造的AT-420N电位差测量 装置来进行的，从得到的氯含量算出来自环氧氯丙烷的结构单元的摩尔分数。
[0069] 舰值是用根据JIS K6235的方法来测量的。在带塞的烧瓶中加入约0.70g的样品和 80ml的=氯甲烧，在40°C下加热溶解样品后，加入20ml的韦氏试剂和IOml的醋酸钢水溶液 并充分摇匀，在暗处静置20分钟。接着，加入5ml的20%舰化钟水溶液后充分摇匀。此后，使 用具备微量复合白金电极(氧化还原滴定)的自动滴定装置，用0.1 N的硫代硫酸钢水溶液来 进行电位差滴定，根据所得到的舰值计算来自甲基丙締酸缩水甘油醋的结构单元的摩尔分 数。
[0070] 通过使用Ih-醒R分析，算出来自3-缩水甘油酸氧基丙基；甲氧基硅烷的结构单 元的摩尔分数。测量设备是使用日本电子株式会社制造的J醒一GSX270。
[0071] 来自环氧烧的结构单元的摩尔分数，是W使其与来自其他单体单元的结构单元的 摩尔分数共计为IOOmol %的方式来算出。
[0072] 对上述实施例1~2得到的共聚物在开放式漉(open roll)上进行片状化，在170°C 下进行15分钟的加压交联，得到交联片。
[0073] 体积电阻率
[0074] 对通过上述制成的交联片在23°C/50%RH的环境下进行状态调整后，根据JIS K6271，使用对双环电极加 W利用的S菱油化株式会社制造的化resta(/、^レス夕），外加 10V，测定了在1分钟后的体积电阻率。
[0075] 硬度
[0076] 使用上述所制备的交联片，实施根据JIS K6253的类型A的硬度试验，测定了硬度。 将结果示于表2中。
[0077] 污染性
[0078] 将制备的交联片按每2cm进行裁断，对每1平方厘米施加5g的负荷，压贴在感光体 上，在40°CX90%RH的环境下放置一周，确认感光体上的附着物，进行W下的评价。将结果 示于表2中。
[0079] 〇:在使用试验后的感光体进行印刷时，在图像上没有印刷污染痕迹。
[0080] X :在使用试验后的感光体进行印刷时，在图像上印刷有污染痕迹。
[0081] 在表1中示出了实施例1~2、比较例1得到的共聚物的组成比例，在表帥示出了使 实施例1~2得到的共聚物进行交联所得到的交联片的体积电阻率。
[0082] 表 1
[0083]
[0086] 实施例1是具有由26mol%的（a)来自环氧氯丙烷的结构单元、73mol%的（b)来自 环氧乙烧的结构单元、Imol%的（C)来自3-缩水甘油酸氧基丙基S甲氧基硅烷的结构单元 所形成的共聚物的交联体的电子照相设备用半导电部件，实施例2是具有由含有24mol%的 (a)来自环氧氯丙烷的结构单元、74mol %的（b)来自环氧乙烧的结构单元、2mol %的（C)来 自甲基丙締酸缩水甘油醋的结构单元的共聚物的交联体的电子照相设备用半导电部件。比 较例IW使(C)来自3-缩水甘油酸氧基丙基S甲氧基硅烷的结构单元成为llmol%的状态 进行聚合，但是，由于共聚物的粘度大大降低且变成粘附性高的糊状，因此难W从反应器中 取出，无法进行评价。
[0087] 另外，如表2所示，可知作为本发明的电子照相设备用半导电部件的实施例1~2的 共聚物的交联体，在23°C/50 % RH下体积电阻率保持1.1 X IO8、1.3 X IO8的半导电性，同时电 子照相设备用半导电部件，特别地作为构成半导电漉的弹性材料具有合适的硬度。进而可 知，由于共聚物的交联体的污染性显著降低，因此，能够适合用作电子照相设备用半导电部 件。
[008引工业实用性
[0089]另外，本发明的电子照相设备用半导电电子部件，具有半导电性且在复印机、打印 机等的电子照相设备中的半导电漉和半导电带等的用途上非常有用。
【主权项】
1. 一种电子照相设备用半导电部件，其中，其含有交联体，所述交联体是利用具有9.9 ~39.9mol %的（a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol %的（b)来自环氧烷的结构单 元、0.1~1 Omo 1 %的（c)来自含（甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元 的共聚物中的来自含（甲基）丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性 进行交联而形成的。2. 如权利要求1所述的电子照相设备用半导电部件，其中，所述(c)来自含（甲基）丙烯 酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元，是来自从丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸 缩水甘油酯、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷以及3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲 氧基硅烷所构成的组中选出的至少一种的结构单元。3. 如权利要求1或2所述的电子照相设备用半导电部件，其中，所述(a)来自环氧卤丙烷 的结构单元，是来自从环氧氯丙烷和环氧溴丙烷所构成的组中选出的至少一种的结构单 J L· 〇4. 如权利要求1~3中任一项所述的电子照相设备用半导电部件，其中，所述(b)来自环 氧烷的结构单元，是来自从环氧乙烷、环氧丙烷以及环氧丁烷所构成的组中选出的至少一 种的结构单元。5. 如权利要求1~4中任一项所述的电子照相设备用半导电部件，其中，在根据 JISK6253的类型A的硬度试验中，所述交联体的硬度为10~80。6. 如权利要求1~5中任一项所述的电子照相设备用半导电部件，其中，其是在基材上 层叠有交联体的半导电辊，所述交联体是利用具有9.9~39.9mol%的所述(a)来自环氧卤 丙烷的结构单元、60~90mol%的所述(b)来自环氧烧的结构单元、0· 1~lOmol%的所述(c) 来自含（甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物中的来自含（甲 基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性进行交联而形成的。7. -种电子照相设备，其中，使用了权利要求1~6中任一项所述的电子照相设备用半 导电部件。
【专利摘要】本发明提供了一种电子照相设备用半导电部件，其含有交联体，所述交联体是利用具有9.9～39.9mol％的(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60～90mol％的(b)来自环氧烷的结构单元、0.1～10mol％的(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物中的来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性进行交联而形成的。
【IPC分类】F16C13/00, G03G15/00
【公开号】CN105531630
【申请号】CN201480049393
【发明人】宇野和树, 大贯孝司, 宇渡真一, 安田和敬
【申请人】株式会社大阪曹达
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2014年10月14日
【公告号】WO2015056670A1