1.一种铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法, 其特征在于，步骤为：
第一步，在包覆生长在铜箔上下表面的石墨烯膜上旋涂有机溶剂涂层；
第二步，烘干有机溶剂涂层、裁剪包覆石墨烯的铜箔；
第三步，腐蚀溶剂溶解铜箔基体，对腐蚀溶剂施加轻微扰动，使两片石墨烯之间的间隙增大，进而分离铜箔上下两面生长的两片石墨烯膜；
第四步，用两块叠加在一起的载玻片或硅片缓慢插入两片石墨烯膜之间的间隙中，分离上下两片石墨烯，并将上下两层石墨烯薄膜同步转移到载玻片或硅片基底上；
第五步，对转移好的石墨烯膜进行漂洗、烘干；
第六步，将烘干的转移有石墨烯的玻璃片或硅片放入热丙酮溶液中,去除有机溶剂涂层, 同步得到两块转移到玻璃片或硅片基底上的石墨烯。
2.如权利要求1所述的铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法, 其特征在于，所述的有机溶剂涂层包括PMMA、热释胶带、硅胶中的任意一种。
3.如权利要求1所述的铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法, 其特征在于，所述的旋涂有机溶剂涂层采用匀胶机旋涂，涂层厚度大于等于50nm。
4.如权利要求1所述的铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法, 其特征在于，第二步烘干有机溶剂涂层的温度为80-150℃。
5.如权利要求1所述的铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法, 其特征在于，腐蚀溶剂为浓度比为0.5-3mol/L:0.1-2mol/L的FeCl3/HCl溶液。
6.如权利要求1所述的铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法, 其特征在于，第五步烘干温度30~80℃。