二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种式(I)的聚合物，其中M1为式(II)的任选取代的二噻吩并邻苯二甲酰亚胺，其中X为N或C-R，其中R为H或C1-C40烷基，R1在每次出现时独立地选自H、C1-40烷基、C2-40链烯基、C1-40卤代烷基和单环或多环结构部分，其中C1-40烷基、C2-40链烯基和C1-40卤代烷基各自可以任选被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO2、OH、NH2、-NH(C1-20烷基)、N(C1-20烷基)2、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-C(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-OC1-20烷基、-SiH3、-SiH(C1-20烷基)2、-SiH2(C1-20烷基)和-Si(C1-20烷基)3的取代基取代；以及该单环或多环结构部分可以经由任选的连接基与酰亚胺氮共价键合且任选可以被1-5个独立地选自卤素、氧代、-CN、-NO2、OH、=C(CN)2、-NH2、-NH(C1-20烷基)、N(C1-20烷基)2、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)OH、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-C(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-SiH3、-SiH(C1-20烷基)2、-SiH2(C1-20烷基)、-Si(C1-20烷基)3、-O-C1-20烷基、-O-C1-20链烯基、-O-C1-20卤代烷基、C1-20烷基、C1-20链烯基、C1-20卤代烷基、C7-20芳基烷基、C6-20芳氧基和C7-20芳基羰基的取代基取代。M2为包含一个或多个环状结构部分的重复单元；以及n为2-5,000的整数。
【专利说明】二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物
[0001]本发明涉及二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物以及包含一种或多种该聚合物的制造品。
[0002]新一代光电器件如有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机发光二极管(OLED)、可印刷电路、有机光伏(OPV)器件、电化学电容器和传感器在作为其有源组件的有机半导体上制成。为了能够获得晶体管/电路操作所需高器件效率如大的电荷载流子迁移率(μ )，或者获得0LED/0PV操作所必需的有效激子形成/分裂，希望可以得到P-型和η-型有机半导体材料二者。此外，这些基于有机半导体的器件应在环境条件下呈现令人满意的稳定性且应可以成本有效方式加工。
[0003]几种P-和η-通道分子半导体已经实现可接受的器件性能和稳定性。例如，基于某些并苯类(acenes)、低聚噻吩(p-通道)和茈类(n_通道)的OTFT可以在环境条件下显示出大于约0.5cm2/Vs的载流子迁移率(μ )。然而，分子半导体通常没有聚合物半导体容易加工，并且通常由于溶液粘度要求而不能经由印刷方法加工。
[0004]Zhang, M.；Tsao, H.N.；Pisula, ff.；Yang, C.；Mishra, A.K.；Miillen,K.J.Am.Chem.Soc.2007，129，3472-3473描述了用于有机场效应晶体管(OFET)中的下式聚合物:
[0005]
【权利要求】
1.一种下式聚合物:
2.根据权利要求1的聚合物,其中M2选自:
3.根据权利要求1或2的聚合物，其中R1选自HXp4ci烷基、C2_4(l链烯基、C2_4(l炔基、C^4ci卤代烷基、-L-Ar1-Ar1、-L-Cy1、-L-Cy1-Cy1, 其中 L在每次出现时独立地选自-Y-O-Y-、-Y-C (O) -Y-、二价C1^烷基、二价C1^链烯基、二价C1J卤代烷基和共价键； Ar1在每次出现时独立地为一价或二价C6_14芳基或5-14员杂芳基，它们各自任选被1-5个独立地选自卤素、-CN、C1^6烷基、CV6烷氧基和CV6卤代烷基的取代基取代； Cy1在每次出现时独立地为一价或二价C5_14环烷基或5-14员环杂烷基，它们各自任选被1-5个独立地选自卤素、-CN、C1^6烷基、C1^6烷氧基和CV6卤代烷基的取代基取代； Y在每次出现时独立地选自二价Cu烷基、二价Cu卤代烷基和共价键。
4.根据权利要求2或3的聚合物，其中Ar在每次出现时独立地选自:
5.根据权利要求4的聚合物，其中Ar在每次出现时独立地选自二价苯基、噻吩基、吡咯基、异噻唑基、噻唑基、1，2，4-噻二唑基、1，3，4-噻二唑基和1，2，5-噻二唑基，它们任选被I或2个R3基团取代，其中R3如权利要求4所定义。
6.根据权利要求5的聚合物，其中(Ar)n^P(Ar)m’选自:
7.根据权利要求2-6中任一项的聚合物，其中Z选自:
8.根据权利要求2-7中任一项的聚合物，其中为选自如下的任选取代的8-24员芳基或杂芳基:
9.根据权利要求2-8中任一项的聚合物，其中JI选自:
10.根据权利要求8或9的聚合物，其中M2选自:
11.根据权利要求1-10中任一项的聚合物，其中M2包含一个或多个任选被1-2个R3基团取代的5员杂芳基，其中R3在每次出现时独立地选自卤素、-ClCV2ci烷基、C1J烷氧基和C1^20卤代烷基。
12.根据权利要求1-11中任一项的聚合物，其中M2选自:
13.根据权利要求1-12中任一项的聚合物，其中η为4-1000的整数。
14.一种选自电子器件、光学器件和光电子器件的制造品，包含一种或多种根据权利要求1-13中任一项的聚合物。
15.根据权利要求14的制造品，其中所述制造品为包含一种或多种根据权利要求1-13中任一项的聚合物的薄膜半导体。
16.根据权利要求14的制造品，其中所述制造品为包含根据权利要求15的薄膜半导体的场效应晶体管器件。
17.根据权利要求14的制造品，其中所述制造品为包含根据权利要求15的薄膜半导体的光伏器件。
18. 根据权利要求14的制造品，其中所述制造品为包含根据权利要求15的薄膜半导体的有机发光器件。
【文档编号】C08G61/12GK103635505SQ201280033182
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年7月4日 优先权日:2011年7月5日
【发明者】野口博义, F·德兹, A·K·米什拉, S·瓦伊迪耶纳森, M·明-蒂恩 申请人:巴斯夫欧洲公司