乙締：1护1，2,4-;挫:碳酸钟:氧化铜的摩尔比为 2:10-15:30:1;反应溫度100°C，反应时间48小时。在极性溶剂中，采用"一锅法"，将1，1，2， 2-四（4-漠苯基）乙締、1H-1，2,4-S挫、碳酸钟和氧化铜在加热条件下制备1，1，2,2-四[4-(1H-1，2,4-S氮挫-1-基）苯基]乙締化）。收率60%。元素分析（C34N讯24)理论值（％):C， 79.05;H，4.68;N，16.27。实测值:C，79.02;H，4.65;N，16.25。
[001引 实施例2 1，1，2,2-四[4-(lH-l，2,4-S氮挫-1-基）苯基]乙締化）（0.1 mmol)和 Cu(Cl〇4)2. 6也0 (0.1 mmol)在C肥I3 (1 mL)、C也OH (4 mL)、水（4 mL)和乙腊（10 mL)的混合溶剂中 揽拌半小时后过滤，滤液常溫挥发两周后得到适合X-射线单晶衍射的蓝色块状晶体。产率： 40%。元素分析(CiQ2也4Cu4N36〇)理论值(％):C，58.78;H，4.06;N，24.19。实测值:C，58.69;H， 4.22；N,24.34〇 [0019] 实施例3 晶体结构测定采用APEX II CCD单晶衍射仪，使用经过石墨单色化的Moka射线，入= 0.71073 A为入射福射，W CO-20扫描方式收集衍射点，经过最小二乘法修正得到晶胞参数， 从差值傅立叶电子密度图利用软件解出晶体结构，并经洛仑兹和极化效应修正。所有的H原 子由差值傅立叶合成并经理想位置计算确定。详细的晶体测定数据：
实施例4 染料或发光剂使用的实际例子 方法：染料溶液的微分脉冲伏安（DPV)曲线通过美国普林斯顿应用研究所研制的 PARSTAT 2273电化学工作站测量。溶液的DPV测试采用S电极体系，玻碳电极为工作电极， 辅助电极为销片电极，自制的Ag/AgN〇3电极为参比电极；电解液为O.lmol ? klTBAP的乙腊 溶液。W二茂铁氧化还原可逆点对为内标，得到测试体系与标准氨电极体系之间的校正值。
[0020] 单色入射光光电转换效率(IPCE)描述DSCs在单色光作用下的光电转换效率，是转 移到外电路的电子数与入射光子数之比。测量时，使用500 W氣灯作为光源，入射光经过 WDS-5型组合式多功能光栅光谱仪得到不同波长A下的单色光；单色光照射于电池的光阳 极，由Keithl巧2400数字源表读取电流值I。单色光的福照度由USB4000 plug-and-play微 型光线光谱仪测量。
[0021] 步骤:为了确切了解染料在Ti化膜上的吸附量，将实施例2制备的配合物单晶染料 敏化Ti化纳米晶膜(几何面积约为1 cm2)浸泡在10 ml 0.01 mol -[1的氨氧化钢的甲醇溶 液中过夜，待染料完全解附后测定溶液的吸光度。根据吸光度和摩尔吸光洗漱可W计算出 单位面积纳米晶膜上染料的吸附量。该配合物单晶的吸附量为1.4 X l(T3mol/cm2。
[0022] 结果：与染料的甲醇溶液相比，配合物单晶染料在Ti化膜上的吸收光谱均明显变 宽和红移。运表明染料分子在Ti化形成了首并尾的J-聚集体。从DSCs的工作原理讲，染料聚 集引起的光谱宽化和红移对于染料的光电响应范围的拓宽是十分有利的。但与此同时，染 料聚集体会大大降低其电子注入效率，从而导致DSCs的性能低下。所W，通常在染料溶液中 加入共吸附剂来抑制染料的聚集。该配合物单晶在甲醇溶液中及其在Ti化膜电极上的紫溶 液的巧光测试采用2.5X1(T 5 mol/L的甲醇溶液，最大巧光发射波长位于500 nm。
[0023] 实施例5 四苯乙締四=挫高氯酸铜配合物单晶作为制备发光材料的应用。
[0024] 方法:通过巧光分光光度计，分别进行该化合物单晶(实施例2)的激发波长和发射 波长的扫描，选择并确定最佳波长。
[0025] 结论:该化合物的激发波长和发射波长分别为340 nm和500 nm。
[0026] 步骤:将四苯乙締四=挫高氯酸铜配合物单晶研磨压片成外径为27 mm、厚度约3 mm的片状样品，放入MPF-4巧光光谱仪的样品池进行测量。
[0027] 结果:该化合物的激发波长Aex = 340皿，发射波长Aem = 500皿。
[002引 在详细说明的较佳实施例之后，熟悉该项技术人±可清楚地了解，在不脱离上述申请 专利范围与精神下可进行各种变化与修改，凡依据本发明的技术实质对W上实施例所作的 任何简单修改、等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围。且本发明亦不受说明书中 所举实例实施方式的限制。
【主权项】
1.一种四苯乙烯四三唑高氯酸铜配合物的单晶，其特征在于该单晶结构采用APEX II (XD单晶衍射仪，使用经过石墨单色化的Moka射线，λ = 0.71073 A为入射辐射，以ω-2θ扫 描方式收集衍射点，经过最小二乘法修正得到晶胞参数，从差值傅立叶电子密度图利用软 件解出单晶数据：其结构如下： [CU4(L)3(0)2] · 5H20,其中， L = 1，1，2,2-四[4-(1Η-1，2,4-三氮唑-1-基）苯基]乙烯。2. 权利要求1所述四苯乙烯四三唑高氯酸铜配合物单晶的制备方法，其特征在于它是 采用常温挥发法，即L和Cu(Cl〇4)2 · 6H20在CHC13、CH30H、水和乙腈的混合溶剂中搅拌半小时 后过滤，滤液常温挥发两周后得到适合X-射线单晶衍射的蓝色块状晶体；其中，L:Cu (Cl〇4)2 · 6H20的摩尔比为1:1; 四苯乙烯四三唑高氯酸铜配合物单晶的结构为[Cu4(L)3(0)2]*5H20,其中，L = 1，1，2， 2_四[4-( 1H-1，2，4-三氮唑-1-基）苯基]乙烯；3. 权利要求1所述四苯乙烯四三唑高氯酸铜配合物单晶作为潜在荧光材料在检测染料 或发光剂的吸附量方面的应用。
【专利摘要】本发明公开了四苯乙烯四三唑高氯酸铜配合物单晶及其制备方法与应用，其结构[Cu4(L)3(O)2]·5H2O，其中，L=1,1,2,2-四[4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯。同时还公开了单晶的制备方法。它是采用常温挥发法，即L和Cu(ClO4)2·6H2O在CHCl3、CH3OH、水和乙腈的混合溶剂中搅拌半小时后过滤，滤液常温挥发两周后得到适合X-射线单晶衍射的蓝色块状晶体。其中，L:Cu(ClO4)2·6H2O的摩尔比为1:1。本发明进一步公开了四苯乙烯四三唑高氯酸铜配合物单晶作为潜在荧光材料在检测染料或发光剂的吸附量方面的应用。
【IPC分类】C09K11/06, G01N21/64, C07F1/08
【公开号】CN105669705
【申请号】CN201610001118
【发明人】王英
【申请人】天津师范大学
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年1月5日