本发明涉及新型多官能化硅纳米颗粒、其制备方法及包含该新型多官能化硅纳米颗粒的组合物。本发明还涉及该新型多官能化硅纳米颗粒在基于电化学发光的检测方法和被分析物的体外检测中的用途。特别地，本发明涉及通过使用该新型多官能化硅纳米颗粒的体外方法测量被分析物的方法。发明背景硅纳米颗粒具有高比表面积，提供高载...

本申请要求于2016年10月26日提交的美国临时专利申请序列号62/413,291的权益，该专利申请的公开内容通过引用明确地并入本文。关于联邦政府资助研究的声明本发明是在国家科学基金会授予的授权号ECCS1120823和EEC1160494下借助政府支持做出的。政府拥有本发明的某些权利。本...

本申请要求于2016年12月12日提交的第62/432,810号美国临时申请的权益。上述申请的全部教导通过引用并入本文。当将某些羧基化颗粒，例如羧基化聚苯乙烯颗粒、羧基化聚(乳酸-羟基乙酸)共聚物(PLGA)颗粒或羧基化金刚石颗粒施用于个体时，可以改善某些病症，例如病理性炎症免疫应答(参见...

相关申请交叉参考本申请根据35U.S.C.§120要求2011年11月29日提交的美国申请序列13/306,011号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。背景本发明总体涉及形成陶瓷锂离子固体电解质，具体来说，涉及用于形成致密、气密电解质膜的反应性烧结方法。固体电解质也称为快速离子...

本发明涉及微电子机械系统及压力传感器领域，尤其涉及一种背孔引线式压力传感器及其制备方法。随着微机电系统技术的发展，压力传感器的制造已经成为一项较为成熟的技术。压力传感器可分为压阻式、电容式、压电式等，其中压阻式压力传感器由于具有体积小、灵敏度高、线性度好等优点，被应用于航空、航海、石油化工...

本发明涉及精密制造加工，更具体的，涉及一种高深宽比倒锥型结构制造方法。随着微机电系统MEMS的发展，对微结构所提出的要求也越来越高，高深宽比微细结构(highaspectratiomicrostructure，HARMS)就是其中的关键之一。高深宽比微细结构通常指深宽比在10...

本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种MEMS桥梁结构的制造方法。MEMS器件在半导体行业中被广泛关注，尤其是在传感器方面应用广泛。MEMS器件中的电极的形成工艺时现有MEMS器件中的重要工艺步骤，MEMS电极有着极其重要的作用。在现有工艺中，采用非晶硅作为MEMS器件的电极中的主要...

本发明涉及柔性电子制造邻域，具体涉及是一种高厚宽比微纳结构的制造方法与装置。随着科技的发展，对精细化装备的需求越来越强，柔性电子技术在微纳处理方面有着广阔的应用前景，特别是在传感器、柔性显示器、智能皮肤等领域有着广泛的需求。而如今，在纳米压印、光刻、喷墨打印等技术中的表面处理中，高厚宽比的...

本发明属于射频MEMS领域，具体涉及一种星型单刀四掷射频开关。射频MEMS开关作为一种无源器件，是射频系统的基本组件之一，通过微机械结构的运动，来控制射频信号的导通与断开。与传统固态电子器件相比，具有插损小、功耗低、体积小、成本低等非常卓越的优点。它可以广泛应用在各种射频、微波和毫米波通讯...

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种MEMS感知器结构。本发明还涉及一种MEMS感知器结构的制造方法。非晶硅是硅的同素异形体形式，能够以薄膜形式沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)、太阳能电...

本发明有关一种传感器封装件，更特别有关一种将传感器设置于微机电系统致动器的可动平台的具有可动式传感器的封装件及其制作方法。微机电系统(MEMS)是通过蚀刻硅晶圆而形成的微机械结构，并可用作为将电信号转换为机械运动的微机电系统致动器(MEMSactuator)，用于控制极细微的动作。在包含...

本公开涉及一种在平面中可移动的、具有压电驱动的微机电操纵装置。微操纵装置是已知的。它们可以在接触或者非接触模式下操作，并且基于各种物理原理，例如，是光学类型、静电类型、流体静力类型(基于伯努利定理)、超声类型和/或磁性类型。每种类型都具有在特定条件下实现其有利用途而在其它条件下无法实现其有...

本发明涉及衬底材料的钝化层上的图形加工，具体是用于加工衬底材料上钝化层的探针。随着微电子工艺的快速发展，器件的小型化发展的难度也日益增大。由于三维纳米结构的广泛应用，故三维器件的构造也成为提高器件集成度的一个重要途径。目前，常见的制备三维结构的方法主要有双光子干涉曝光工艺、激光干涉曝光工艺...

本发明涉及衬底材料的钝化层上的图形加工，具体是用于在衬底材料上钝化层上形成三维图形结构的探针。本发明涉及衬底材料的钝化层上的图形加工，具体是用于加工衬底材料上钝化层的探针。随着微电子工艺的快速发展，器件的小型化发展的难度也日益增大。由于三维纳米结构的广泛应用，故三维器件的构造也成为提高器件...

本实用新型涉及传感器，特别涉及一种芯片内置电路板、应用该芯片内置电路板的组合传感器及应用该组合传感器的电子设备。传感器作为检测器件，已普遍应用在手机、笔记本电脑、平板电脑以及穿戴设备之中。近年来，随着科技的快速发展，微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanic...

本发明属于半导体纳米线器件，特别涉及一种基于桥接生长的纳米线器件。纳米技术被认为是21世纪的三大科学技术之一。其中，纳米线由于其独特的一维量子结构，被认为是纳电子器件的基本结构之一。尽管纳米线具有重要的应用前景，但是制备纳米线器件需要对极其纤细的纳米线进行操控、组装和加工。目...

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种MEMS加速器件的通孔刻蚀方法。对于微机电系统(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem)加速器件来说，在其制造过程中，对于大面积刻蚀率的硅片，整个硅片上绝大多数面积都被进行了通孔的等离子体刻蚀，刻蚀通孔(VIA)的过...

实施例涉及用于制造薄层的方法。另外的实施例涉及用于制造具有薄层的微系统的方法。一些实施例涉及用于通过高/低力区域来零力剥离较薄器件的方法。使用标准工具无法处理厚度小于100μm的晶片。因此，这些晶片被安装在载体晶片上。业界已经开发了用于处理薄晶片的整个工艺链。然而，标准薄晶片处理步骤可能损...

本发明涉及半导体，具体涉及一种MEMS器件及其制备方法。MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)技术是指一种可将机械构件、驱动部件、光学系统、电控系统集成为一个整体的微型系统，它用微电子技术和微加工技术(如硅体微加工、硅表面微加工、晶片...

本发明涉及半导体，具体涉及一种MEMS器件及其制备方法。MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)技术是指一种可将机械构件、驱动部件、光学系统、电控系统集成为一个整体的微型系统，它用微电子技术和微加工技术(如硅体微加工、硅表面微加工、晶片...