[0045] 本发明于又一方面是一种连接有2个以上印刷配线板的印刷配线板的制造方法， 其包括如下步骤：将至少1个本发明的印刷配线板、与另一个本发明的印刷配线板或不相 当于本发明的印刷配线板的印刷配线板进行连接。
[0046] 本发明于又一方面是一种电子机器，其使用1个以上本发明的至少2个印刷配线 板连接而成的印刷配线板。
[0047] 本发明于又一方面是一种印刷配线板的制造方法，其至少包括将本发明的印刷配 线板、与零件进行连接的步骤。
[0048] 本发明于又一方面是一种连接有2个以上印刷配线板的印刷配线板的制造方法， 其至少包括：将至少1个本发明的印刷配线板、与另一个本发明的印刷配线板或不相当于 本发明的印刷配线板的印刷配线板进行连接的步骤；及将本发明的印刷配线板或本发明的 连接有2个以上印刷配线板的印刷配线板、与零件进行连接的步骤。
[0049] 本发明于又一方面是一种印刷配线板，其是具有绝缘树脂基板、与设置于上述绝 缘基板上的铜电路者，且于利用CCD摄影机，隔着上述绝缘树脂基板对上述铜电路进行拍 摄时，于针对通过上述拍摄获得的图像，沿着与所观察的上述铜电路延伸的方向垂直的方 向，对每个观察点的亮度进行测定而制作的观察点-亮度曲线中，将自上述铜电路的端部 至无上述铜电路的部分所产生的亮度曲线的顶部平均值设为Bt，将底部平均值设为Bb，将 顶部平均值Bt与底部平均值Bb的差设为AB(AB=Bt-Bb)，于观察点-亮度曲线中，将 表示亮度曲线与Bt的交点内最接近上述铜电路的交点的位置的值设为tl，将表示于以Bt 为基准自亮度曲线与Bt的交点至0. 1AB的深度范围内，亮度曲线与0. 1AB的交点内最接 近上述铜电路的交点的位置的值设为t2时，下述（1)式所定义的Sv为3. 5以上，
[0050] Sv= (ABXO.l)/(tl-t2) (1)。
[0051] 本发明于又一方面是一种覆铜积层板，其是具有绝缘树脂基板、与设置于上述绝 缘基板上的铜箔者，且通过蚀刻将上述覆铜积层板的上述铜箔制成线状的铜箔后，利用CCD 摄影机，隔着上述绝缘树脂基板进行拍摄时，于针对通过上述拍摄获得的图像，沿着与所观 察的上述线状铜箔延伸的方向垂直的方向，对每个观察点的亮度进行测定而制作的观察 点-亮度曲线中，将自上述线状铜箔的端部至无上述线状铜箔的部分所产生的亮度曲线的 顶部平均值设为Bt，将底部平均值设为Bb，将顶部平均值Bt与底部平均值Bb的差设为 AB(AB=Bt-Bb)，于观察点-亮度曲线中，将表示亮度曲线与Bt的交点内最接近上述 线状表面处理铜箔的交点的位置的值设为tl，将表示于以Bt为基准自亮度曲线与Bt的交 点至0. 1AB的深度范围内，亮度曲线与0. 1AB的交点内最接近上述线状表面处理铜箔的 交点的位置的值设为t2时，下述（1)式所定义的Sv为3. 5以上，
[0052] Sv= (ABXO.l)/(tl-t2) (1)。
[0053][发明的效果]
[0054] 根据本发明，可提供一种利用蚀刻去除铜箔后的树脂的透明性优异的表面处理铜 箔及使用其的积层板。
【附图说明】
[0055] 图1是定义Bt及Bb的模式图。
[0056] 图2是定义tl及t2及Sv的模式图。
[0057] 图3是表示亮度曲线的斜率评价时的摄影装置的构成及亮度曲线的斜率的测定 方法的模式图。
[0058] 图4a是Rz评价时的实验例B3-1的铜箔表面的SEM观察照片。
[0059] 图4b是Rz评价时的实验例A3-1的铜箔表面的SEM观察照片。
[0060] 图4c是Rz评价时的实验例A3-2的铜箔表面的SEM观察照片。
[0061] 图4d是Rz评价时的实验例A3-3的铜箔表面的SEM观察照片。
[0062] 图4e是Rz评价时的实验例A3-4的铜箔表面的SEM观察照片。
[0063] 图4f是Rz评价时的实验例A3-5的铜箔表面的SEM观察照片。
[0064] 图4g是Rz评价时的实验例A3-6的铜箔表面的SEM观察照片。
[0065] 图4h是Rz评价时的实验例A3-7的铜箔表面的SEM观察照片。
[0066] 图4i是Rz评价时的实验例A3-8的铜箔表面的SEM观察照片。
[0067] 图4j是Rz评价时的实验例A3-9的铜箔表面的SEM观察照片。
[0068] 图4k是Rz评价时的实验例B4-2的铜箔表面的SEM观察照片。
[0069] 图41是Rz评价时的实验例B4-3的铜箔表面的SEM观察照片。
[0070] 图5是表示铜箔表面的偏斜度Rsk为正负的各情形时铜箔蚀刻后的聚酰亚胺（PI) 的表面形态的模式图。
[0071] 图6是实施例所使用的夹杂物的外观照片。
[0072] 图7是实施例所使用的夹杂物的外观照片。
【具体实施方式】
[0073][表面处理铜箔的形态及制造方法]
[0074] 于本发明中使用的铜箔适合于用以与树脂基板附着而制作积层体，并通过蚀刻而 去除的铜箔。
[0075] 于本发明中使用的铜箔亦可为电解铜箔或压延铜箔中的任一种。通常以提高积层 后的铜箔的剥离强度为目的，亦可对铜箔的与树脂基板附着的面，即表面处理侧的表面，实 施对脱脂后的铜箔表面进行疙瘩状的电镀的粗化处理。电解铜箔于制造时具有凹凸，但通 过粗化处理，可使电解铜箔的凸部增大而使凹凸进一步变大。于本发明中，该粗化处理可通 过镀铜-钴-镍合金或镀铜-镍-磷合金、镀镍-锌合金等镀合金而进行。又，优选为可通 过镀铜合金而进行。作为镀铜合金浴，例如优选为使用含有铜与1种以上的铜以外的元素 的镀浴，更优选为含有铜与选自由钴、镍、砷、钨、铬、锌、磷、锰及钼所组成的群中的任一种 以上的镀浴。又，于本发明中，使该粗化处理的电流密度高于先前粗化处理的电流密度，而 缩短粗化处理时间。有时进行通常的镀铜等作为粗化前的预处理，有时亦为了防止电镀物 的脱落而进行通常的镀铜等作为粗化后的最终加工处理。
[0076] 再者，于本申请案发明的压延铜箔亦包括含有1种以上的Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、 Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V等元素的铜合金箔。若上述元素的浓度变高（例如合计为10 质量％以上），则有导电率降低的情形。压延铜箔的导电率优选为50%IACS以上，更优选 为60%IACS以上，进而优选为80%IACS以上。上述铜合金箔亦可含有铜以外的元素合计 为Omass%以上且50mass%以下，亦可含有0?OOOlmass%以上且40mass%以下，亦可含有 0? 0005mass%以上且30mass%以下，亦可含有0?OOlmass%以上且20mass%以下。
[0077] 于本发明中使用的铜箔亦可于进行粗化处理后，或省略粗化处理，将耐热电镀层 (耐热层）或防锈电镀层（防锈层）或耐候性层设置于表面。可使用利用下述条件的镀Ni 浴（1)或镀Ni-Zn浴（2)的电镀处理作为省略粗化处理，而将耐热电镀层或防锈电镀层设 置于表面之处理。
[0078](镀Ni浴⑴）
[0079] ?液组成：Ni20 ~30g/L
[0080] ?pH值：2 ~3
[0081] ?电流密度：6~7A/dm2
[0082] ?浴温：35~45°C
[0083] ?库伦量：1. 2~8. 4As/dm2
[0084] ?电镀时间：0? 2~1. 2秒
[0085](镀Ni-Zn浴（2))
[0086] ?液组成：镍 20 ~30g/L、锌 0? 5 ~2. 5g/L
[0087] .pH值：2 ~3
[0088] ?电流密度：6~7A/dm2
[0089] ?浴温：35~45°C
[0090] ?库伦量：1. 2~8. 4As/dm2
[0091] ?电镀时间：0? 2~1. 2秒
[0092] 再者，于省略粗化处理，通过电镀（正常电镀，并非粗化镀敷的电镀）将耐热层或 防锈层设置于铜箔的情形时，必需使该电镀的电流密度高于先前，且使电镀时间短于先前。
[0093] 再者，于本发明中使用的铜箔的厚度无需特别限定，例如为1ym以上、2ym以上、 3ym以上、5ym以上，且例如为3000ym以下、1500ym以下、800ym以下、300ym以下、 150ym以下、100ym以下、70ym以下、50ym以下、40ym以下。
[0094] 又，将用于本申请案发明的电解铜箔的制造条件示于以下。
[0095]〈电解液组成〉
[0096] 铜：90 ~110g/L
[0097] 硫酸：90 ~110g/L
[0098] 氯：50~lOOppm
[0099] 调平剂1 (双（三磺丙基）二硫化物）：10~30ppm [0100] 调平剂2 (胺化合物）：10~30ppm
[0101] 就上述的胺化合物而言，可使用以下的化学式的胺化合物。
[0102] [化 1]
[0103]
【主权项】
1. 一种表面处理铜箔，其至少一表面经过表面处理， 将上述铜箔自经过表面处理的表面侧贴合于聚酰亚胺树脂基板的两面后，