Oled基板镀膜检测装置、方法及镀膜设备的制造方法
【专利说明】OLED基板镀膜检测装置、方法及镀膜设备
[0001]
技术领域
[0002]本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种OLED基板镀膜检测装置、方法及镀膜设备。
【背景技术】
[0003]有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de)，简称0LED，是通过有机发光材料在电流的驱动下发光来实现显示。OLED的发光原理是在阳极和阴极之间插入有机功能层，该有机功能层通常包括电荷注入层、电荷传输层以及发光层，在电极之间施加适当的电压，器件就能发光。有机材料发光有两种，一种是电致发光，即OLED的发光原理；一种是光致发光，是通过光激发有机材料使其发光，光源一般为UV紫外光和蓝紫光，波长范围约为300nm?500nmo
[0004]目前，现有的OLED生产线，尤其是AMOLED生产线生产过程中，由于基板置于真空腔体中，无法观察到所镀膜层情况，需要完成封装后取出点亮检测，缺陷无法及时发现，有很大的滞后性，从而造成生产过程稳定性差，良率低，增大了生成成本。
【发明内容】
[0005]本发明提出一种OLED基板镀膜检测装置、方法及镀膜设备，能通过CXD直观及时判断出存在缺陷的OLED基板镀膜，提高OLED产品生产稳定性及合格率，降低生产成本。
[0006]为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案:
一种OLED基板镀膜检测装置，包括:UV光源、CXD成像设备及显示设备，所述UV光源及CCD成像设备设于待检测的OLED基板的同侧，通过所述UV光源发出光线照射该OLED基板的镀膜检测区，通过所述CCD成像设备接收所述镀膜检测区产生的激发光信号并将所述激发光信号转换成基板图像，并通过所述显示设备显示所述基板图像。
[0007]进一步地，在上述的OLED基板镀膜检测装置中，所述镀膜检测区为所述OLED基板的部分检测区域或全部检测区域。
[0008]进一步地，在上述的OLED基板镀膜检测装置中，所述基板图像内包括多个检测区域，该检测区域与镀膜检测区相对应，所述检测区域内包括多个显示基板单元，该多个显示基板单元依次排列。
[0009]进一步地，在上述的OLED基板镀膜检测装置中，所述UV光源包括波长范围为300nm~500nm的UV紫外光及蓝紫光的光源。
[0010]进一步地，在上述的OLED基板镀膜检测装置中，所述UV光源包括但不限于汞灯、LED灯或准分子灯。
[0011]进一步地，在上述的OLED基板镀膜检测装置中，所述UV光源的照射方向与OLED基板100的夹角为O° -90°。
[0012]另，本发明还提供一种上述的OLED基板镀膜检测装置的检测方法，包括以下步骤:
步骤SlOl:调整所述UV光源的照射范围及CCD成像设备的视场范围，使得所述UV光源的照射范围及CCD成像设备的视场范围均为所述OLED基板的镀膜检测区；
步骤S102:启动所述UV光源产生光线照射至所述OLED基板的镀膜检测区，并通过所述CCD成像设备接收所述镀膜检测区产生的激发光信号；
步骤S103:通过所述CCD成像设备将所述激发光信号转换成基板图像，并将所述基板图像发送给所述显示设备；
步骤S104:通过所述显示设备显示该基板图像，并通过所述基板图像与预设的标准基板图像进行比对，以判断所述基板图像是否存在缺陷。
[0013]进一步地，在上述的OLED基板镀膜检测装置的检测方法中，所述步骤S103包括: 在所述镀膜检测区为所述OLED基板的部分检测区域的情况下，通过所述CCD成像设备将所述激发光信号转换成基板部分检测区域的图像，并将所述基板部分检测区域的图像发送给所述显示设备；
或者，通过所述CCD成像设备将所述激发光信号进行累积后转换成基板全部检测区域的图像，并将所述基板全部检测区域的图像发送给所述显示设备。
[0014]另，本发明还提供一种OLED基板镀膜设备，其包括:可旋转的至少一传递腔体及设于所述传腔体四周的至少一蒸镀腔体及过渡腔体，所述过渡腔体内设有上述的OLED基板镀膜检测装置，所述传递腔体的侧壁固定有用于放置OLED基板的至少一旋转臂，通过所述传递腔体及旋转臂的转动，带动OLED基板转动至所述蒸镀腔体中，以对所述OLED基板进行镀膜，以及带动OLED基板转动至所述过渡腔体中，以对已镀膜的OLED基板进行检测。
[0015]进一步地，在上述的OLED基板镀膜设备中，所述至少一传递腔体为两个，每一传递腔体的两侧均设有一蒸镀腔体，所述过渡腔体设于该两个传递腔体之间，且每一传递腔体的侧壁固定有一旋转臂。
[0016]本发明OLED基板镀膜检测装置、方法及镀膜设备通过CCD直观及时判断出存在缺陷的OLED基板镀膜，提高OLED产品生产稳定性及合格率，降低生产成本。
【附图说明】
[0017]图1为本发明OLED基板镀膜检测装置的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明OLED基板镀膜检测装置的第二实施例的结构示意图；
图3为图1或图2中显不设备中基板图像的不意图；
图4为本发明OLED基板镀膜检测方法的流程示意图；
图5为本发明OLED基板镀膜设备的示意图。
【具体实施方式】
[0018]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0019]请参阅图1，本发明第一实施例的OLED基板镀膜检测装置包括:UV光源1、C⑶成像设备2及显示设备(图未示)，所述UV光源I及CCD成像设备2设于待检测的OLED基板100的同侧，通过所述UV光源I发出光线照射该OLED基板100的镀膜检测区4，通过所述CCD成像设备2接收所述镀膜检测区4产生的激发光信号并将所述激发光信号转换成基板图像，并通过所述显示设备显示所述基板图像。这样，利用光致发光的原理，通过UV光的照射激发OLED基板100镀膜区的有机发光材料发光，再通过CCD成像设备2接收激发光信号，并通过显示设备呈现OLED面板显示情况，从而可以检测处生产线OLED大板的镀膜缺陷，包括点缺陷、线缺陷，并且可以检测基板破片。
[0020]本实施例中，所述待检测的OLED基板100尺寸较大，即所述镀膜检测区4为所述OLED基板100的部分检测区域，所述UV光源I的照射范围及C⑶成像设备2也只是该OLED基板100的部分检测区域，即可通过使得该OLED基板100相对UV光源I及CXD成像设备2移动，来实现对整个OLED基板100镀膜区的检测。可以理解，还可以通过移动UV光源I及CCD成像设备2的方法来达到对整个OLED基板100镀膜区的检测，其中，所述UV光源I与CCD成像设备2需要相配合同步移动。
[0021 ] 所述OLED基板100为PMOLED背板，也可以为AMOLED背板。所述OLED基板100上可以蒸镀一层有机发光材料薄膜，也可以蒸镀多层有机发光材料薄膜，多层有机发光薄膜可通过光谱的差异区分。所述有机发光材料包括空穴注入层材料、空穴传输层材料、电子阻挡层材料、红色发光层材料、绿色发光层材料、蓝色发光层材料、空穴阻挡层材料、电子传输层材料、电子注入层材料、覆盖层材料。所述有机发光材料的发光光谱和强度因材料而异，其包含可见光范围380nm~780nm。
[0022]所述UV光源I包括波长范围为300nm~500nm的UV紫外光及蓝紫光的光源，包括但不限于汞灯、LED灯、准分子灯等UV光源。本实施例中，所述UV光源I设于OLED基板100的侧下方，使得其发出UV光线以一定角度照射到OLED基板100上镀膜区的有机材料，其中，所述UV光源I的照射方向与OLED基板100的夹角为O ° -90°。
[0023]本发明中通过所述UV光源I产生UV紫外光或蓝紫光照射所述镀膜检测区4，所述镀膜检测区4受到照射后激发其有机发光材料发光，通过所述CCD成像设备2接收该有机发光材料发出的激发光信号，并将所述激发光信号转换成基板图像，并将所述基板图像经过线路传输到外部显示器等显示设备中进行显示。其中，所述CCD成像设备2可以接收OLED基板100的一部分镀膜检测区发光就传输到显示设备，也可以接收OLED基板100全部完整的镀膜检测区的有机材料的激发光信号，汇总后再传输到显示设备进行显示。
[0024]所述显示设备中预设有标准基板图像，通过比对显示的基板图像与标准基板图像(可通过有经验的技术人员或电脑自动比对)，以判断所述基板图像是否存在缺陷。所述缺陷指由有机材料蒸镀机构引起的OLED基板100镀膜的有机材料与设计不符造成的显示缺陷，包括但不限于由于面积镀多、面积镀少、镀膜位置偏差、镀膜薄、镀膜厚等引起的点缺陷、线缺陷、对位偏差、线性度等。
[0025]所述基板破片是指由蒸镀机构和传送结构运行过程中不当造成基板的破裂，如果破裂影响到显示区域，则可以通过CCD成像设备2及显示设备判断出来，以及时对破片基板进行处理，避免其给生产设备和生产效率造成更大损失。
[0026]请参阅图3，图3为显示设备中基板图像的示意图。其中，基板图像31为整个基板的图像，所述基板图像31内包括多个检测区域32 (虚线框标