溶液中静置，采用循环伏安法对结合了 L-/D-半胱氨酸的修饰电极进行电化学检测。
[0027]为了考查沉积纳米金的时间对L-/D-半胱氨酸识别效率的影响，因此，分别采用100s、200s、300s、400s、500s、600s的沉积时间对最终识别的影响，结果如图1所示，400s时的识别效率达到最高，随着沉积时间超过400s时，纳米金的量继续增加，这导致吸附L-半胱氨酸的量过多而难以脱出，从而降低了识别效率。
[0028]实施例二:
[0029 ]分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极的制备过程和对半胱氨酸的识别方法与实施例一相同。
[0030]为了考查步骤b中分子印迹膜的厚度对L-/D-半胱氨酸识别效率的影响，因此，分别采用循环伏安聚合5圈、10圈、15圈、20圈、25圈对最终识别的影响，结果如图2所示，分子印迹膜的厚度与聚合的圈数息息相关，虽然随着膜的厚度增加掺杂量也会增加，但是当聚合圈数超过15圈时，过于厚的膜反而使得模板分子难以脱出而降低了识别效率。
[0031]实施例三:
[0032 ]分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极的制备过程和对半胱氨酸的识别方法与实施例一相同。
[0033]为了考查步骤c中富集时间对L-/D-半胱氨酸识别效率的影响，因此，分别采用6min、8min、1min、12min、14min的富集时间对最终识别的影响，结果如图3所示，随着富集时间的增加，目标分子会进入印迹膜的空腔内部，当富集时间为1min时的识别效率达到最高，随着富集时间多于1min时，更多的目标分子会被吸附在膜的表面而使得分离效率降低。
[0034]对比例一:
[0035]制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金、分子印迹过氧化聚吡咯、非印迹过氧化聚吡咯/纳米金三种修饰电极，比较对L-半胱氨酸的亲和能力，结果如图4，可以发现，分子印迹过氧化聚吡咯修饰的电极要高于非印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰的电极，那是由于在非印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极的表面L-半胱氨酸难以进入膜的内部而只是纯粹的物理吸附过程;而分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰的电极要高于印迹过氧化聚吡咯修饰的电极，那是由于纳米金的引入增加了膜的印迹位点的数量，这使得L-半胱氨酸能够更多的进入膜的内部。
[0036]对比例二:
[0037]制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金、分子印迹过氧化聚吡咯两种修饰电极，比较对半胱氨酸对映体的识别效率，结果如图5以及图6，可以发现，分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰的电极的识别效率(Il/ID = 3.2)要高于印迹过氧化聚[!比略的修饰电极(Il/ID =1.9)，那是由于纳米金的引入增加了膜的印迹位点的数量，这使得印迹膜对于半胱氨酸对映体具有更尚的识别效率。
[0038]本发明制备得到的分子印迹过氧化聚啦略/纳米金修饰玻碳电极，制备过程简单，快速;首先通过引入纳米金对模板分子的吸附来增加模板分子的掺杂量，相比于不引入纳米金的分子印迹聚合物修饰电极，此修饰电极具有更多的识别位点，而多出来的识别位点将会显著地提高对半胱氨酸对映体的识别效率。
【主权项】
1.制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极及其应用于电化学识别半胱氨酸对映体，其特征在于:步骤如下: a、制备纳米金修饰电极:配制包括0.05?0.2mM氯金酸、0.05?0.2M氯化钾的电解质溶液，采用恒电位还原氯金酸的方法，从而得到纳米金修饰电极。 b、制备分子印迹过氧化聚啦略/纳米金修饰电极:将步骤a制得的纳米金修饰电极放入预先配制好的包括I?3mM L-半胱氨酸、0.05?0.2M吡咯、0.05?0.2M氯化钾的混合溶液中5?20min，然后在-0.6?0.8V的电位区间内采用循环伏安的方法聚合单体吡咯，聚合结束之后，在磷酸盐缓冲溶液中，采用循环伏安一步法进行脱掺杂，得到分子印迹过氧化聚吡略/纳米金修饰电极。 C、电化学识别半胱氨酸对映体:将步骤b中制得的分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极置于含有0.5?2mM L-/D-半胱氨酸的磷酸盐缓冲溶液中富集一段时间之后，取出该电极插入到磷酸盐缓冲溶液中，采用循环伏安法对结合了L-/D-半胱氨酸的修饰电极进行电化学检测。2.根据权利要求1所述制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极及其应用于电化学识别半胱氨酸对映体，其特征是:所述步骤a中氯金酸浓度为0.12mM，氯化钾浓度为0.1M，恒电位为-0.2V，恒电位还原氯金酸的时间为400s。3.根据权利要求1所述制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极及其应用于电化学识别半胱氨酸对映体，其特征是:所述步骤b中L-半胱氨酸浓度为2mM，吡咯的浓度为0.1M，放置时间为1min，氯化钾浓度为0.1M，循环伏安脱掺杂的磷酸盐缓冲溶液pH = 7.0，浓度为0.1M，电位区间为O?1.6V，扫速为0.1V s—1。4.根据权利要求1所述制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极及其应用于电化学识别半胱氨酸对映体，其特征是:所述步骤c中L-/D-半胱氨酸浓度为ImM，磷酸盐缓冲溶液ρΗ=4.5，浓度为0.1M。
【专利摘要】本发明涉及一种采用分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极及其应用于电化学识别半胱氨酸对映体的方法，包括以下步骤：制备纳米金修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极、电化学识别半胱氨酸对映体。本发明的有益效果是：分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极的制备方法简便易行，制备过程环保无污染，通过纳米金对L-半胱氨酸的吸附来增加印迹位点的数量，使得这种材料相比于不引入纳米金的分子印迹聚合物修饰电极对于半胱氨酸对映体具有更高的识别效率。
【IPC分类】G01N27/327
【公开号】CN105510421
【申请号】CN201610028092
【发明人】孔泳, 顾嘉卫
【申请人】常州大学
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2016年1月16日