专利名称：结晶设备和方法、电子器件的制造方法、电子器件以及光学调制元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种利用光线使结晶靶区如经过处理的衬底的多晶半导体膜熔融和结晶的结晶设备和方法、电子器件的制造方法和电子器件。
背景技术：
例如，作为在不给玻璃衬底造成热损伤的情况下使非晶半导体例如形成在液晶或电致发光(EL)显示装置的玻璃衬底上的非晶硅薄膜结晶的方法，已经研制了一种准分子激光器结晶方法。这项技术通过使用均匀化光学系统使准分子激光的光照射横截面的强度均匀，使准分子光经过具有细长矩形开口的金属掩模而形成矩形形状(例如，横截面形状为150mm×200μm)并投射所获得的准分子光。扫描是通过使用被投射的光在预先淀积在玻璃衬底上的非晶硅薄膜表面的一个方向上线性地相对移动来实现的，并且以10μm的间隔在短轴方向间歇地施加激光。
结果是，吸收这个施加的激光的非晶硅薄膜被熔化，当中断激光的入射时其温度下降，并且非晶硅被转换成多晶硅。在这项技术中，即使使用由例如具有对于高热的弱点的一般玻璃或塑料等材料形成的衬底，也不会在衬底中产生热损伤。这是因为准分子激光器是大约为20nm的脉冲激光器，并且结晶处理时间大约在50-100ns内完成。通过这种方式结晶的多晶的晶体粒径取决于激光能密度，并且颗粒或晶粒尺寸大约为0.1到1μm，由此形成由具有这种粒径的晶粒形成的多晶硅薄膜。
作为从准分子激光退火发展的技术，已知一种所谓连续横向固化(SLS)模式(例如，参见Journal of the Surface Science Society ofJapan，Vol.21，No.5，pp278-287，2000)的技术。根据这项技术，其光强通过均匀化光学系统被均匀的准分子激光穿过提供金属窄缝的掩模，其中金属窄缝大约为2微米，由此将其横截面形成为矩形形状。
当已经经过窄缝的激光的通量(能量密度)设置成使得非晶硅薄膜在厚度方向完全熔化时，横向生长从窄缝的外区域向内侧进行，由此形成结晶硅。然后，当将样品在一个方向移动两微米和给其施加激光时，熔化的硅在横向方向生长，其中通过施加激光形成的结晶硅的一个端部用作籽晶。重复施加激光和样品移动工艺可形成具有大粒径的多晶硅薄膜。
作为通过进一步发展准分子激光器结晶法所获得的方法，公知一种相位调制准分子激光器结晶法(例如，PCT国家公布No.2000-505241)。这种方法的特点在于通过经所谓移相器(例如，具有形成在两种区域之间的线性移相部分的移相器，其中所述线性移相部分的相位通过相对于四分之一板进行阶梯加工和形成这两种区域而相位差180度)的光学部件来传输准分子激光，调制准分子激光使其具有激光强度分布，该激光强度分布具有反向峰值图形，在该反向峰值图形中，最小光强部分对应移相部分。脉冲施加是通过使用如此调制的激光相对于例如形成在衬底上的非晶硅薄膜进行的，并且照射区根据每次照射而结晶。
作为不同于准分子激光结晶法和SLS模式的方法，这种方法不使用均匀化光强分布，并且不必用激光多次照射同一区域。在这种方法中，根据反向图形而倾斜的温度分布在用激光照射的非晶硅薄膜中产生，这是由于具有反向图形的被调制光强分布造成的，并且晶核即晶籽形成在能量很小的位置上。此外，由于以这个晶核为基础的横向生长而增加了生长距离，由此获得具有大粒径的晶粒。因此形成具有大粒径的晶粒，同时控制晶粒的位置。
关于前面首先说明的准分子激光器结晶法，晶粒尺寸在最大数量级上大约为1-2微米，在最小数量级上大约为0.05微米，并且晶粒尺寸主要取决于激光的通量。因此，晶粒尺寸变得不均匀，除非激光强度被均匀化。结果是，在晶体管特性(阈值电压、subshred系数，迁移率)中产生不规则性。一般情况下，MOS晶体管的沟道区不能只形成在以最大为大约1-12微米的晶粒尺寸为基础的一个晶粒中，并且必须穿过晶粒形成，其中所述沟道区需要不小于4μm的长度。因此，存在的问题是在每个沟道区中形成多个晶粒边界和晶粒边界数量上的差异导致特性上的差异，由此形成各种晶体管。此外，当电极(空穴)穿过晶粒边界移动时，结晶边界成为障碍，这将影响迁移率。
关于在准分子激光器结晶法之后说明的SLS模式，由于通过使用金属掩模遮蔽了接近一半的激光，因此不能有效地利用激光能量。而且，由于结晶是用晶粒尺寸1μm或以下进行的，因此存在的问题是在晶体管特性(阈值电压、subshred系数、迁移率)上产生不规则性，如第一现有技术那样。
关于最后介绍的相位调制准分子激光器结晶技术，这是一项能用例如大约6μm或以上的晶粒尺寸进行广泛结晶的技术，并且它是能在一个晶粒边界中制造晶体管的沟道区的一项优异的结晶技术。本发明人和其他人利用这种结晶技术已经研制了一种利用高性能显示设备的工业化技术。在这项工艺中，需要在以μm为单位的结晶区中精确地制造晶体管，以便具有不小于4μm长度的至少一个沟道区可以设置在每个晶粒中。即使形成具有大粒径的晶粒，也不会在曝光步骤中在晶粒中形成沟道区，特别是在不能获得每个晶体管和每个晶粒的沟道区的定位精度时。具有这种沟道区的每个薄膜晶体管不能获得所希望均匀特性，例如高电子迁移率。例如，如果通过使用上述技术形成显示装置的每个像素开关晶体管的沟道区，则响应速度根据每个位置而变化，由此导致显示不均匀。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种能进行结晶的结晶方法和结晶设备，以便通过利用光线如光学调制激光的结晶技术使经过处理的衬底的预定区以优异位置精度成为大晶粒，本发明还提供一种能在这种晶粒中精确地形成电子器件如晶体管的必须区例如沟道区的电子器件的制造方法以及电子器件。
在本发明的一个方案中，提供一种在通过结晶设备结晶的经过处理的衬底的区域中制造电子器件的方法，该结晶设备包括照射系统，投射使经过处理的衬底熔化的光束；光学调制元件，将光束调制成具有至少一个光强分布的光束，其中所述光强分布从最小光强变化到最大光强；和衬底台，设置在穿过光学调制元件传输的光束照射在其上的位置上，并支撑经过处理的衬底，该制造方法包括相对于结晶设备的衬底台定位经过处理的衬底，并用作为参考物的预先设置在经过处理的衬底上的至少一个定位标记支撑它；向被衬底台支撑的经过处理的衬底的预定区施加调制光束和使该区结晶；和在利用用作参考物的定位标记进行定位了的经过处理的衬底的结晶区中形成至少一个电路元件。
在本发明的另一方案中，提供一种结晶方法，包括向经过处理的衬底连续投射脉冲激光束；将激光束光强调制成具有预定图形的光强分布的激光束，照射经过处理的衬底的区域，并使该区结晶；在光强调制之前和/或过程中检测光学调制元件的位置；和在第三步的检测结果基础上控制光学调制元件的位置。
根据这项技术，所希望的区域可以以优异的位置精度被结晶成具有大粒径的晶粒。另外，可以获得一种电子器件，其中在如此形成的晶粒中精确地形成预定区如沟道区。
此外，可以获得一种能以相对的位置精度形成结晶区的结晶设备和方法，所述相对位置精度相对于参考调整标记是精确的，通过该标记可以在下一步中在设备中进行定位。
当光学调制元件可以替换或通过使用掩模中的其它图形来结晶处理时，具有所希望图形的光强分布的光可以以优异的位置精度施加于经过处理的衬底的预定区上。结果是，可以形成被进行了位置控制的结晶区或经过处理的衬底。
本发明的附加的目的和优点将在下面进行说明，其中部分地将从文字说明中明显看出，或者可以通过实施本发明而学习到。本发明的目的和优点可以借助以下特别指出的手段和组合来实现和获得。
附图结合在说明书中并构成说明书的一部分，并与上面给出的一般性说明和下面给出的实施例的详细说明一起用于解释本发明的原理。
图1是表示根据本发明实施例的结晶设备的结晶原理的整个设备的示意图；图2是表示图1中所示的设备的照射系统的示意图；图3是表示作为经过处理的衬底的液晶显示器玻璃衬底的一部分的剖面图；图4是特别表示根据本发明实施例的结晶设备的位移的示意图；图5是示意性地表示根据本发明实施例的结晶设备的透视图；图6是上述结晶设备的方框图；
图7A是表示移相器支撑机构的示意图；图7B是表示移相器支撑机构的另一例子的示意图；图8是表示图6中所示的移相器的位置关系的示意图；图9是表示移相器和经过处理的衬底之间的位移的示意图；图10是表示经过处理的衬底的位置关系的示意图；图11是表示集成电路制造方法的例子的流程图；图12A是表示使用非晶硅薄膜进行结晶的结晶区的设置图形的示意图，图12B是表示在图12A中所示的结晶区中形成MOS晶体管的状态；图13A是表示移相图形的实施例1的示意图，图13B是表示被在图13A中所示的移相器调制的光强分布的示意图；图14是表示移相图形的实施例2的示意图；图15A是表示移相图形的实施例3的示意图，图15B是表示被图15A中所示的移相器调制的光强分布的示意图；图16A是表示在每个单元中形成第一区和第二区的状态下在图15A中所示的移相图形的一部分的示意图，图16B是表示在图16A中所示的每个单元中的第二区的占据表面测量的示意图；图17是示意性地表示包括图13A、14和15A中所示的移相图形的移相器的图；图18是示意性地表示包括图13A、14和15A中所示的移相图形的另一移相器的图；图19是表示用在根据本发明实施例的电子器件制造方法中的移相器的具体例子的平面图；图20是表示在使用图19所示的移相器时的电子器件制造方法的例子的方框图；和图21A和21B是表示给其提供使用图19中所示的移相器形成的对准标记的经过处理的衬底的不同例子的平面图。
具体实施例方式
下面将参照图1和2大致介绍一下根据本发明实施例的结晶设备和方法的原理。
如图1和2所示，根据本例的结晶设备包括照射光学调制元件如移相器1的照射系统2，所述移相器1具有移相部分。如图2所示，这个照射系统2包括；例如，XeCl准分子激光光源2a，投射具有308nm波长的激光束(或提供具有248nm波长的激光的KrF准分子激光光源)；光束扩展器2b；第一蝇眼透镜2c；第一聚光光学系统2d；第二蝇眼透镜2e；和第二聚光光学系统2f，这些部件依次设置在这个光源的投射侧上。
具有类似于来自光源2a的脉冲所投射的矩形横截面的激光束经过光束扩展器2b被扩展成预定尺寸，然后进入第一蝇眼透镜2c。因而，多个小光源形成在第一蝇眼透镜2c的后聚焦面上，并用来自这些小光源的光线经过第一聚光光学系统2d以叠加方式照射第二蝇眼透镜2e的入射面。结果是，在第二蝇眼透镜2e的后聚焦面上形成的光源比第一蝇眼透镜2c的后聚焦面上形成的光源更小，并且投射具有均匀强度的激光束。利用来自这些小光源的光线经过第二聚光光学系统2f以叠加方式照射光学调制元件如移相器1。
第一蝇眼透镜2c和第一聚光光学系统2d构成第一均化器，涉及移相器1上的入射角的强度被这个第一均化器均匀化。此外，第二蝇眼透镜2e和第二聚光光学系统2f构成第二均化器，涉及移相器上的面内位置的强度被这个第二均化器均匀化。通过这种方式，照射系统2向移相器1施加具有基本上均匀光强分布的光束。
光学调制元件是将入射光束调制成具有从最小光强变化到最大光强的光强分布的光束的光学部件，并且移相器1是最合适的例子。被移相器1进行相位调制的激光束如图1所示经过包括图像形成透镜的图像形成光学系统3施加于经过处理的衬底4上。在这个例子中，移相器1和经过处理的衬底4设置在图像形成光学系统3的光学共轭位置上。移相器1在透明介质如石英板上具有阶梯，在这些阶梯的边界处产生激光光线的衍射和干涉，并给激光光强提供周期性的空间分布。对于移相器1希望提供例如180度的相位差。假设λ是激光的波长，通过设置具有折射率n的透明介质的膜厚t为t＝λ/2(n-1)，形成180度的相位差。假设石英板的折射率为1.46和XeCl准分子激光的波长为308nm，为了提供180度的相位差需要334.8nm的阶梯。
如图3所示，通过利用化学汽相淀积法在衬底例如用于液晶显示器的玻璃衬底7上依次形成下层薄膜例如氧化硅薄膜7b、非晶半导体如非晶硅薄膜7c、和覆盖膜如氧化硅薄膜(覆盖膜)7d，获得经过处理的衬底4。经过处理的衬底4不限于此，可以是例如半导体晶片，如硅。经过处理的衬底4通过真空吸盘、静电吸盘等保持在衬底台5上的预定位置上。可以利用下述驱动机构使这个衬底台5在X、Y、Z和θ方向移动。可形成被位置控制到经过处理的衬底4的结晶区的机构提供给这个衬底台5和移相器1。
在本例中，优选对于照射经过处理的衬底4上的激光束具有矩形横截面，为了减少衬底上返回照射的次数和增加通量，与正方形横截面(例如，每个边为2-)相比，更优选在Y方向较长的矩形横截面。在这种情况下，必须设置一边的长度Y≥另一边X的长度(其中X是连续馈送方向)。就是说，对应X方向(为了结晶，在该方向上利用驱动机构移动经过处理的衬底4)的激光束的矩形横截面的一边优选以如下方式设置它比通过除以衬底台5在下述范围内在X方向移动的最大平均速度所获得的值小，其中在所述范围内可以通过激光束的循环频率进行定位。通过这种方式，构成投射型结晶设备6。不同于此的光学系统在日本的Journal of SurfaceScience Society、Vol.21，No.5，第278-287页，2000中有介绍，是一种投射型结晶设备6，该照射光学系统是均化器光学系统，进行位置控制的结晶区提供给经过处理的衬底。
在这种结晶设备6中，激光被移相器1相位调制成具有光强分布的激光，该光强分布具有反向峰值图形，并且用这种激光照射非晶硅薄膜7c。结果是，给晶硅薄膜7c上被激光照射的区域被熔化。在中断相位调制激光束的入射之后，熔融区的温度下降。在这个温度下降步骤中，高温部分的温度趋于相对快速地降低，而该温度被覆盖膜的热储存效应缓慢地降低。
通过温度的这个缓慢降低，固化在横向方向上在大距离上移动，并且可以进行大粒径的晶体生长。关于这个固化的开始位置，在对应反向峰值图形的最小光强位置的非晶硅薄膜7的位置上形成晶核，并且在横向方向从这个晶核进行结晶，由此形成大晶粒。当通过在X方向依次移动衬底台5而进行在操作上述非晶硅薄膜的结晶位置的步骤、施加具有反向峰值图形的光强分布的光束的步骤、降低温度的步骤以及其它步骤中的操作时，由此将提供给经过处理的衬底4的非晶硅薄膜7c结晶成多晶硅。然而，在现有技术中，在如图4所示的有些情况下，经过处理的衬底中希望被结晶的区域R和实际结晶的区域r彼此偏移，这种偏移的产生可能在未结晶区中形成晶体管的沟道区等。在图4中，由R表示的固体线的区域对应要结晶的区域，由r表示的虚线的区域是施加结晶区。在这种情况下，当沟道形成在由固体线所示的区域中的由虚线所示的区域外部时，不能获得具有所希望特性的晶体管。
下面将参照图5-11介绍基于结晶原理的根据本发明一个实施例的结晶设备和结晶方法。相同的参考标记表示与图1-4中基本上相同的部件，并且为了避免重复而省略了其详细说明。
下面将介绍检测光学调制元件的绝对位置的第一位置检测系统(装置)以及检测经过处理的衬底的绝对位置的第二位置检测系统(装置)。这里，衬底的“绝对位置”和光学调制元件的“绝对位置”指的是从固定到结晶设备上的位置检测系统看到的经过处理的衬底和光学调制元件的绝对位置。
作为光源的照射系统2，使用XeCl准分子激光器光源，在预定频率例如100Hz的循环频率下照射能量密度为例如280mJ、波长例如为308nm的激光束。就是说，该光源照射例如具有一定光强的光束，例如，循环频率为100Hz的脉冲激光束，用该光强的光束可以使非晶硅薄膜7c熔化。从这个光源照射的脉冲光束通过第一和第二均化器获得基本上均匀的光强分布，并进入移相器1。这个移相器1是光学调制元件，对均化的入射激光束进行相位调制并将其转换成具有用于生长大粒径晶粒的光强分布的激光束。移相器1例如具有矩形形状，并且如上所述，给其形成移相部分(未示出)。除此之外，如图6所示，在激光入射表面一侧上的两端附近形成一对定位标记1a和1b。每个定位标记1a和1b可以通过例如在石英玻璃移相器1的情况下形成凹或凸形的十字形图形来获得。
此外，如图5所示，当一对标记检测器例如与这些定位标记1a和1b相关设置的CCD照相机10a和10b检测(成像)定位标记1a和1b时，实现了定位标记1a和1b的检测。定位标记1a和1b与CCD照相机10a和10b之间的关系将在后面更详细地说明。
在移相器1的投射侧上提供使入射激光束以180度偏转并允许它进入图像形成光学系统3的反射镜11(在图1中未示出)。这个图像形成光学系统3在经过处理的衬底4上形成移相器1的图像，并且它是1/5功率的双面远心图像形成光学系统或单面远心图像形成光学系统(只在经过处理的衬底一侧上的远心光学系统)，并且具有例如0.12的数值孔径NA，例如2μm的分辨率。根据需要对图像形成光学系统3进行变形校正和像差校正。当然，这种图像形成光学系统3只是一个例子，也可以采用任何类型的图像形成光学系统，只要能在经过处理的衬底4的预定图像形成表面上形成移相器1的图像即可。例如，减小率不限于1/5，放大功率或相等功率也可以采用。
经过处理的衬底4以如下方式设置，使得经过处理的衬底4的上表面(在这个衬底上形成的非晶硅薄膜的下表面)放置在投射侧的这个图像形成光学系统3的聚焦位置的散焦位置上。当这个经过处理的衬底4包括例如矩形液晶显示装置的玻璃衬底7a、非晶硅薄膜7c以及如图3所示的其它部件时，在玻璃衬底泥7a的上表面上的两端附近形成一对定位标记4a和4b，如图10所示。
经过处理的衬底4固定地被支撑在衬底台5上。这个衬底台5设置在支撑工作台12上，使它能在X、Y、Z和θ方向移动，以便水平地支撑经过处理的衬底4和在相同的方向移动经过处理的衬底4。这个衬底台5通过例如XYZθ驱动机构14(图5中未示出，并在图6中的方框图中示出了)来移动，该机构包括可以是滚珠丝杠和电动机的组合机构。而且，对XYZθ驱动机构14移动衬底台5的运动的控制是通过X轴位置传感器16和Y轴位置传感器(未示出)来进行的，这些传感器分别设置在关于XYθ的衬底台5的X方向和Y方向的外部。这些传感器是通过组合具有0.027μm的传感器分辨率的干涉计和激光振荡器来构成的。这个XYZθ驱动机构14设置成在X方向和Y方向以不大于2μm的定位精度移动衬底台5。另外，当在X方向或Y方向连续移动衬底台5同时以固定周期给经过处理的衬底4施加激光束时，优选这种XYZθ驱动机构14在移动速度上具有较少的不规则性。关于这些不规则性，优选它们使得衬底台5即经过处理的衬底4可以以例如不大于2μm的定位不均匀性移动。
衬底台5的在Z方向上的运动由衬底高度检测机构(Z检测装置)22控制，该衬底高度检测机构22是通过将向经过处理的衬底4的上表面上倾斜地投射激光束的光源18与从经过处理的衬底4接收反射的激光束的光传感器20组合起来形成的。在这种情况下，作为XYZθ驱动机构14，优选能以不大于10μm的定位精度在Z方向移动衬底台5。通过这些检测机构22和XYZθ驱动机构14的组合操作，形成图像形成光学系统3的透镜的图像和经过处理的衬底的上表面之间的间隙在结晶处理期间可以总是保持恒定。
一对标记检测器例如CCD照相机24a和24b设置成与经过处理的衬底4的定位标记4a和4b相关，以便检测这些定位标记4a和4b。支撑工作台12由有效振动除去机构26支撑，因此可以放置外部振动传输给支撑衬底12，即经过处理的衬底4。顺便提及，作为外部振动，有来自其它相邻装置的振动。
应该注意的是，参考标记28表示载体机械手，在负载锁定室30、预对准台32和衬底台5之间运载经过处理的衬底4，如图5中的箭头所示。载体机械手2 8在预先由未示出的计算机储存的程序基础上自动地运载经过处理的衬底4。负载锁定室30是在处理之前和之后自动地载进/载出每个经过处理的衬底4的储存机构。预对准台32是对将要运载到衬底台5的经过处理的衬底4进行初级定位的工作台。这个初级定位检测被圆整的经过处理的衬底4如半导体晶片的取向平坦的边缘，并进行位置调整，用于使其在预先储存的标准位置上定位。
如图7A所示，移相器1由支撑机构34可拆卸地支撑。这个支撑机构34构成为以如下方式保持和支撑移相器1，例如，使得移相器1可以根据需要很容易地用其它移相器1替换。在本例中，支撑机构34包括设有沟槽的基底部分34a，其中移相器1的下端嵌入到所述沟槽中；一对横向支撑部分34 b和34c，从基底部分34a的两端向上突出；以及穿入一个支撑部分34c的固定螺丝34d。在这种支撑机构34中，可以通过将移相器1的下端部插入基底部分34a的沟槽中并通过拧紧固定螺丝34d将其保持在固定螺丝34d和其它支撑部分34d之间，由此固定移相器1。
这种支撑机构34以如下方式被XYθ工作台36支撑，使得它能在与这个工作台36相同的方向移动。这个XYθ工作台36可以通过驱动源38如电动机在XYθ方向被控制和移动。这个XYθ工作台36和驱动源38构成XYθ驱动机构4 0。这里，如图8所示，X和Y方向是平行于移相器1的平坦表面并彼此垂直的方向，即垂直于激光束的光轴P的方向，并且θ方向是关于光轴P的旋转方向。
上述支撑机构只是一个例子，也可以采用其它类型的支撑机构，只要它能固定移相器1使移相器1在本发明的使用中不移动即可，例如可以使用具有图7B所示结构的支撑机构34。
这种支撑机构34包括固定到XYθ工作台上并具有L形横截面的固定基座34f以及通过保持螺丝34e可拆卸地固定到固定基座34f上并具有倒L形横截面的附属衬底34g。此外，多个例如三个定位钉(未示出)在附属衬底34g的移相器固定表面(与其上定位固定基座34f的一侧相反的一侧上的前表面)上突出。这些定位钉是在水平方向、其间有预定间隙的在附属衬底34g的下部垂直突出的两个垂直定位钉以及以如下方式在中部突出的一个水平定位钉，其中该水平定位钉在水平方向和垂直方向与垂直定位钉有一定距离。此外，保持框架体34i以如下方式通过固定螺丝34h设置在附属衬底34g的前表面上，使得它可以通过其旋转而在光轴方向移动。例如在保持框架体34i、固定基座34f和附属衬底34g的每个的中部形成对应移相器1的移相部分的矩形通孔。
在具有这种结构的支撑机构34中，通过使下端面和一侧的端面接触定位钉可以将移相器1设置在附属衬底34g的前表面上，然后使用固定螺丝34h将保持框架体34g向移相器1加压。结果是，通过定位钉将移相器1定位在垂直方向和水平方向，并且在定位状态下保持在附属衬底34g和保持框架体34i之间。然后，使用保持螺丝34将附属衬底34g固定到固定基座34f上，由此牢固地将移相器1固定到支撑机构34上。
下面将参照图6介绍用于移相器1和经过处理的衬底4的定位系统和方法。图6是用于定位移相器1和经过处理的衬底4的系统结构图。在对提供给移相器1的各个定位标记1a和1b进行照相的位置上提供用于移相器的CCD照相机10a和10b。这个关系由虚线表示。用于移相器的CCD照相机10a和10b与XYθ工作台36是分开的/独立的，并且固定到例如结晶设备6的支撑机构(未示出)上。
用于移相器的CCD照相机10a和10b的输出侧连接到第一存储器42，该第一存储器42由储存来自这些照相机10a和10b的位置信息的计算机的CPU 46来控制。
用于经过处理的衬底的CCD照相机24a和24b设置在给经过处理的衬底提供的各个定位标记4a和4b被成像的位置上。这个关系由虚线所示。用于经过处理的衬底的CCD照相机24a和24b与衬底台5独立地分开并固定到结晶设备6上。用于经过处理的衬底的CCD照相机24a和24b的输出侧连接到存储来自这些照相机24a和24b的位置信息的第二存储器44上。存储器42和44的输出侧都连接到CPU46。处理电路48连接到这个CPU46。处理电路48将来自存储器42和44的位置信息转换成合适的信息并处理它。CPU46在例如来自处理电路48的预先储存程序的信息基础上以控制方式驱动用于移相器的XYθ驱动机构40和用于衬底台的XYZθ驱动机构14。
下面将介绍对具有上述结构的结晶设备中的移相器1和经过处理的衬底4的定位控制。
如上所述，定位标记1a和1b设置在移相器1的两端或其附近。每个定位标记1a和1b包括例如通过合适方法在移相器1上形成的十字标记，CCD照相机10a和10b对这些标记1a和1b进行成像并作为移相器1的位置信息。这个位置信息依次被储存在第一存储器42中，在需要时读取，并输出给处理电路48。处理电路48在定位标记1a和1b的成像信息基础上计算如图9中的虚线1c所示的这种线性位置信息。图9示出了如下例子，其中线性位置信息1c相对于作为由实线4c表示的标准信息的预先储存的参考线性信息在θ方向以+α角位移。CPU 46按照如下方式控制XYθ驱动机构40，使得移相器1在θ方向以对应这个位移角-α的量旋转。结果是，移相器1设置为光学系统的预置平坦表面状态。
尽管上述例子已经在移相器1在θ方向位移时关于自动位置校正进行了说明，但是通过CPU46也同样可以自动校正XY方向上的位移。当替换移相器1时，也可以进行这种移相器1的位移的位置校正，或者在结晶处理期间也可以进行位置校正。
尽管参考线性信息4c可以预先设置和储存在处理电路48中，但是经过处理的衬底4的定位标记4a和4b可以由CCD照相机24a和24b来成像，并且参考线性信息可以在这个成像信息的基础上形成，类似于移相器1的例子。在这种情况下，移相器1的相对位置可以按照如下方式相对于经过处理的衬底4的位置而改变，用预先设置的任意图形从包含在移相器1中的定位标记照射已知相对位置，由此将任意图形施加于经过处理的衬底4。应该注意的是，Z方向的经过处理的衬底4的位移的校正可以在来自Z检测装置22的位置信息基础上响应来自CPU46的命令通过XYZθ驱动机构14在早期台和/或在处理期间来进行。结果是，可以有利于通过施加具有反向峰值图形的光强分布的激光而在焦深内对经过处理的衬底上进行位置控制，由此进一步保证结晶。
下面将介绍经过处理的衬底4的定位。经过处理的衬底4的定位标记4a和4b由CCD照相机24a和24b成像，在成像信息的基础上，定位标记4a和4b的十字信息与预先储存的标准初始位置信息相比较，以便计算在X、Y、Z、和θ方向的每个方向的部件的位移量，并且通过按照如下式控制XYZθ驱动机构14来控制衬底台5，使得这些方向上的每个方向上的位移量为零。在利用这种方式定位了移相器1和经过处理的衬底4之后，通过使用预先储存的信息在经过处理的衬底4的预置位置上自动执行结晶步骤。
在结晶步骤中，利用衬底台5使经过处理的衬底4在X方向间隙地移动，从光源2a照射脉冲激光束并且通过照射系统2的均化器使激光束均化，然后通过移相器1将激光调制成具有反向峰值图形的温度梯度的照射光束，并且将被调制的光束施加于经过处理的衬底4的结晶区(非晶硅薄膜7c)的预置位置上。结果是，用光照射的经过处理的衬底4的一部分非晶硅薄膜7c被熔化。当经过处理的衬底4移动和中断脉冲激光的入射时，熔化部分改变到温度减小状态并随着温度梯度而固化，并且在非晶硅薄膜7c的部分上形成在X方向(横向方向)生长的细长晶粒(实际上，在X方向和Y方向对准的很多晶粒是通过脉冲激光束的一次发射同时形成的。同时(光束的一次发射)形成晶粒的区域将被称为结晶区并在后面说明。这种区域是例如2mm×2mm的正方形)。然后，当经过处理的衬底停止移动时，脉冲激光束再次施加于与非晶硅薄膜7c的最终结晶区相邻的区域上，并且对这部分进行结晶。当按照这种方式重复经过处理的衬底4的移动和脉冲激光的施加时，非晶硅薄膜7c的所有结晶目标区都被结晶(从非晶硅变为多晶硅)。此时，根据经过处理的衬底的移动间距控制结晶区的间隔，并且可以形成连续或不连续的结晶区。通过依次在Y方向位移经过处理的衬底4然后进行相同的结晶，具有大宽度(在Y方向较大)的经过处理的衬底也同样可以完全被结晶。
下面参照图11的流程图介绍通过使用结晶设备和方法来形成集成电路如MOS晶体管的方法的具体例子。应该注意的是，在下面的说明中，相同的参考标记表示与图1-10中所述的基本相同的部件，并且省略了它们的详细说明。首先，利用未示出的载体臂将如图3所示的被处理的衬底4(以下将称为经过处理的衬底)设置在投射型结晶设备6的负载锁定室30(图5)中。然后，利用载体机械手28从负载锁定室30自动地取出经过处理的衬底4，并且将其运载到/安装在预对准台32上的预定位置上。利用未示出的已知预对准机构对被运载到预对准台32上的经过处理的衬底4进行预对准(F-1)。
用载体机械手28将被预对准的经过处理的衬底4运载到/安装到衬底台5的预定位置上(F-2)。在这个步骤之前和之后，利用用作参考标记的定位标记1a和1b对移相器1在上述X、Y和θ方向的每个方向上进行部件的定位(F-3)。步骤F-2之后，利用用作参考标记的定位标记4a和4b对经过处理的衬底4在上述X、Y、Z和θ方向的每个方向上进行部件的定位(F-4)。通过这种方式，完成经过处理的衬底4的定位步骤。
然后，在预先储存的程序中由投射型结晶设备6自动地执行结晶步骤。具体地说，首先用从照射系统2穿过移相器1照射的脉冲激光束照射经过处理的衬底4的非晶硅薄膜7c的预先确定部分。连续重复激光束的照射和经过处理的衬底4的移动，将预先确定部分结晶成结晶区的图形，该区域将在后面参照图1 2A进行说明，由此终止结晶步骤(F-5)。利用未示出的载体臂将进行了结晶步骤的经过处理的衬底4被运载到例如集成电路的处理线经过处理的衬底4被运载到处理线，例如刻蚀处理线，并且除去表面上的盖膜7d。具有在其中对准的很多结晶晶粒51的结晶区在X方向和Y方向对准的图形形成在除去了盖膜7d的非晶硅薄膜7c上，如图12A所示。图12A所述的图形表示利用中心部分上的每个籽晶(晶核)51a在X方向(横向方向)生长的晶粒51在X方向和Y方向以优异的位置精度形成。在晶粒51的每个或预定一个中形成用于获得前面表示的特性的电子部件的预定区，例如MOS晶体管的沟道区。不形成晶粒51的区域对应非晶硅或形成小晶粒的区域。在图12A中，尽管相邻的晶粒51彼此分开，但是它们如上所述那样彼此连接。按照这种方式已经经历了结晶步骤的经过处理的衬底4被运载到曝光装置(F-6)。
在曝光装置中，对被运载的经过处理的衬底4进行预对准(F-7)。被预对准的经过处理的衬底4在运载到曝光装置的衬底台的先前确定的位置上(F-8)。利用设置在该经过处理的衬底4上的定位标记4a和4b对被运载到衬底台的经过处理的衬底4进行精细的对准(F-9)。
曝光装置对掩模执行曝光步骤，对该掩模形成精细对准的经过处理的衬底的对应集成电路图形。该掩模被编程以便按照如下方式相对于经过处理的衬底4进行定位，例如，使得集成电路的每个MOS晶体管的沟道区在晶粒51的每个中定位。对通过这种方式定位的经过处理的衬底4进行曝光步骤(F-10)。利用不同掩模重复进行这步骤，可以进行公知的集成电路制造工艺，例如曝光工艺，如CVD步骤、刻蚀步骤和/或形成源和漏区52和53的杂质注入步骤，并且通过如下方式形成源区52和漏区53这些区域之间的沟道区设置在晶粒51中，如图12B所示，由此形成如MOS晶体管等的集成电路(F-11)。
由于MOS晶体管的详细制造步骤是公知的，因此不再详细说明，但是这些步骤可以例如用以下方式来实现。
终止结晶步骤，并且在非晶硅薄膜7c暴露在其中的经过处理的衬底4的结晶区中的每个晶粒51的表面上形成栅极绝缘膜，例如氧化硅薄膜。在这个氧化硅薄膜上叠置形成栅电极的导电膜，例如W-Mo膜。然后，通过用栅电极图形作掩模选择地刻蚀导电膜，形成栅电极。然后，用栅电极作掩模，将用于形成源区和漏区的杂质离子注入到结晶区中，由此形成源区52和漏区53。
在上述实施例中，尽管已经关于将作为移相器1的定位标记1a和1b的两个十字标记设置在矩形移相器1的左右两端侧上的例子，但是本发明不限于此，可以采用任何构造，只要它们是能获得如图9所示的用于与XYθ方向上的参考线性信息4c相比较的信息的定位标记即可。例如，一个定位标记1a可以是在X方延伸的线性标记，另一个定位标记1b可以是在Y方向延伸的线性标记。此外，定位标记的数量不限于两个，可以根据其形状采用一个或多个定位标记。而且，移相器1的一部分或多个部分，例如一个边缘或多个边缘可用作定位标记，而不用特别地提供定位标记。这些结构同样适用于经过处理的衬底4的定位标记4a和4b。
在上述实施例中，尽管CCD照相机10a、10b；24a、24b用作读取定位标记1a、1b；4a、4b的检测装置，但是本发明不限于此，可以采用任何其它光学检测装置或以其它原理为基础的检测装置。例如，当光学调制元件如作为定位标记的移相器形成有三角形切口时，可以使用光耦合器，检测通过这个切口的光量的变化并将其转换成位置信息。另外，当对用作定位标记的移相器形成超声波反射表面时，可采用超声波传感器。
当用其检测垂直于移相器1的光轴的表面上的位置的位置精度为0.5μm时，使用1/5功率的光学系统作为图像形成光学系统3以0.1μm的参考衬底表面中的位置精度相对于经过处理的衬底4设置移相器1的位置。
在前述实施例中，尽管具有线性移相部分的移相器1用作光学调制元件，其中所述线性移相部分将入射激光束调制成具有反向峰值图形的光强分布的激光束，但是移相器1不必限于将入射激光束调制成这种构形的这种移相器。例如，可以采用具有点型移相部分的移相器。此外，光学调制元件不限于移相器1，可以采用任何种类的光学调制元件，只要它能将入射光束调制成具有预定光强分布的光束即可。例如，即使使用具有不同透射率的面积的掩模，通过适当地选择透射率和面积，穿过这个掩模的光束也可以被调制成具有任何光强分布的光束。
在前述实施例中，已经关于通过形成预定移相图形的移相器1结晶的例子进行了说明。如图5所示，在前述实施例中提供位置调整机构。因此，作为移相器1，可以采用形成多种类型移相图形的一个移相器，并且该移相图形可以适当地选择。下面将在下面进行介绍。
对移相器1所形成的移相图形的第一构形是图13中所示的图形B。在下列说明中，相同的参考标记表示与图1-5中所示相同的部件，并且将省略它们的详细说明。图13A中所示的移相图形B是线型移相图形，其中具有例如0度移相值的矩形区1A和具有180度移相值的矩形区1B沿着一个方向交替地重复。在两个矩形区1A和1B之间形成180度的相位差线(相位边界移相线)。此外，在整个移相图形中，以预定间距形成一个或多个相位差线1C。当使用这种移相器1，在经过处理的衬底4的表面上形成具有反向峰值图形的光强分布，其中在对应移相图形的相位差线1C的线性区域中提供光强基本上为零或最小的峰值，并且光强朝向周边急剧增加，如图1 3B所示。关于需要形成具有所希望的相位差的移相图形的阶梯，假设λ是激光的波长，n是透明基板的折射率，可以在t＝λ/2(n-1)的基础上计算透明基板的膜厚t。为了用折射率为1.46石英基板和为308nm的XeCl准分子激光波长提供180度的像差，可以通过如刻蚀等方法形成334.8nm的阶梯。
移相图形的第二构形是图14所示的图形C。这个图形C采取如下构形其中具有不同相位值的四种类型的矩形区10A、10B、10C和10D在预定点10E上彼此相邻，如图14所示。这个图形具有例如具有0度相位值的第一矩形区10A、具有90度相位值的第二矩形区10B、具有180度相位值的第三矩形区10C、以及具有270度相位值的第四矩形区10D。此外，在点10E上十字交叉的四条直线是第一矩形区10A和第二矩形区10B之间的边界、第二矩形区10B和第三矩形区10C之间、第三矩形区10C和第四矩形区10D之间以及第四矩形区10D和第一矩形区10A之间的边界。实际图形具有如下构形包括如上述例子那样的四个矩形区的很多单元对准并且可同时形成很多晶粒。
移相图形的第三种构形是图15A和16A中所示的图形D。在图15A所示的图形D中，具有第一相位值的很多第一区62b在透明基板例如玻璃基板62上的具有第二相位值的第二区62a中以点状形式分布，以便获得图15B所示的所希望的反向峰值图形。这些第一区62b以如下方式设置它们的面积共享比在X方向从中心部分朝向两侧变小。最小光强峰值由中心部分形成，在中心部分中第一区62b的面积共享比很大。
图16A是表示图15A中所示的移相图形中的基本图形。参见图16A，移相图形的基本图形具有多个单元(由图中形成矩形的虚线所表示的)，其尺寸光学地小于图像形成光学系统3的点扩散分布范围的半径。
在每个单元62c中形成具有例如-90度相位值(第一相位值)的第一区(图中的阴影部分所表示的)62b和具有例如0度相位值(第二相位值)的第二区(图中的空白部分)。如图16A所示，每个单元62c中的第一区62b和第二区62b的面积共享比(area share ratio)根据每个单元而改变。
换言之，这个图形具有如下相位分布其中具有-90度相位值的第一区62b和具有0度相位值的第二区62a的面积共享比根据X方向上的每个位置而改变。更具体地说，每个单元中的第二区62a的面积共享比在图中左侧单元中接近于50％，而在图中右侧单元中接近于100％，并且在这些单元之间沿着X方向单调地变化。
如上所述，移相器1具有以相位调制单位(单元)62c为基础的相位分布，其中其尺寸光学地小于图像形成光学系统4的点扩散分布范围的半径。因此，通过适当地改变每个相位调制单元62c中的第一区62b和第二区62a的面积共享比，即两个相位矢量的总和，可以根据分析和简单的计算自由地控制形成在经过处理的衬底4上的光强分布。
具体而言，如具体16B所示，可以获得一维(在X方向具有梯度)的V形光强梯度分布，其中在第二区62a的面积共享比接近100％的两侧位置上光强最大，在第二区62a的面积共享比接近50％的中心位置上光强最小。通过这种方式，双折射元件的光束分开方向(Y方向)垂直于光强梯度分布的梯度方向(X方向)。通过在例如石英玻璃基板上形成对应所需相位差的厚度分布，可以制造移相器1。石英玻璃基板的厚度的变化可以通过选择地刻蚀或聚焦离子束(FIB)处理来形成。
图17和图18表示具有分别示于图13A、14和15A中的移相图形B、C和D的移相器1的实施例。分别示于图17和18中的每个移相器1具有形成在一个基板上的多种类型例如三种类型的移相图形B、C和D，并且它用作图5中所示结晶设备6的移相器，以便可以选择所希望的移相图形。给这种移相器1形成下述的对准标记形成图形101和对准标记形成图形101的定位标记101a和101b。尽管图17中所示的移相器1具有对应每个移相图形B、C和D设置的一对定位标记101a和101b，但是只有一对定位标记101a和101b可适用于任何一个移相图形。
下面参照图19介绍对移相器1形成上述移相图形B、C和D以及对准标记形成图形101的另一例子。这个移相器1具有透明基板102，移相图形B、C和D以及对准标记形成图形101在其上以等尺寸和相邻地对准。对这个透明基板102形成对准标记形成图形101的定位标记101a和101b。这些标记101a和101b可以与移相器的定位标记1a和1b基本相同(详细地说，这是移相图形)，因此可以在相同的步骤中在透明基板102上形成这些标记1a、1b；101a、101b。对准标记形成图形101可以采取各种构形，但是它由分别在X和Y方向延伸的一对透明矩形缝隙101c和101d和这些缝隙101c和101d周围的不透明区101e形成。下面参照图20和21介绍使用这种移相器1的电子器件的制造方法的例子。
这种方法与参照图11所述的制造方法基本相同，除了用于形成对准标记的方法之外，因此只解释这种方法。通过使用图19所示的移相器1的移相图形，投射型结晶设备6将激光束施加于预定位置上，从而在经过处理的衬底4上形成很多结晶区，如图21所示(F-5)。应该注意的是，用图21中的参考标记表示。顺便提及，尽管在图21中结晶区99相对于经过处理的衬底4而言是非常大的，但是这有利于观看该图。实际上，在例如730mm×920mm的矩形液晶显示器玻璃基板用作经过处理的衬底4的情况下，如果在整个经过处理的衬底上形成各具有2mm×2mm尺寸的结晶区99，则可以形成167900个结晶区(实际上，由于在经过处理的衬底的外周边部分不形成结晶区，因此结晶区的数量比这个值小)。
之后，利用XYθ驱动机构40(图7)使移相器1在X方向移动，并且将对准标记形成图形101放置在设置移相图形的位置上。然后，使用定位标记101a和101b将这个图形101相对于经过处理的衬底4进行定位(G-1)。此时的定位可以用与上面详细说明的移相器(更详细地说，这是移相图形)的定位基本相同的方式来进行。然后，从光源向移相器1投射激光束。这种激光束穿过对准标记形成图形101的对准标记101c和101d，并照射在经过处理的衬底4的预定区上。结果是，对经过处理的衬底的这个激光束入射部分进行了热处理，并且在经过处理的衬底4上形成一对对准标记104c和104d，如图21所示。这种热处理是使经过处理的衬底的材料变形或者转变并在物理上变得不同于其它区域，使得进行了热处理的区域可以区分于其它区域。
然后，经过处理的衬底4偏移一个间距，进行相同的处理，并且在经过处理的衬底4上的多个预定区上形成多对对准标记104c和104d。在本例中，尽管在经过处理的衬底4上形成三对对准标记104c和104d，但是本发明的不限于这个数值。此外，形成对准标记104c和104d的位置是任意的。作为一个例子，在图21A中在结晶区形成范围内形成这些标记，并且在图21B中它们形成在结晶区形成范围外部。
如上所述，在步骤F-7和F-8之后，在步骤F-9中使用对准标记104c和104d对形成了对准标记104a和104d的经过处理的衬底4进行精细对准。
尽管在根据前述实施例的制造方法中在结晶之后在经过处理的衬底上形成对准标记，但是顺序可以反过来。
附加优点和修改对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，本发明在其较宽的方案中不限于具体细节和这里所述和所示的代表性的实施例。因而，在不脱离由所附权利要求及其等效形式所限定的一般发明概念的精神或范围的情况下可以做各种修改。
权利要求
1.一种在利用结晶设备结晶的经过处理的衬底的区域中制造电子器件的方法，该结晶设备包括照射系统，投射使经过处理的衬底熔化的光束；光学调制元件，将光束调制成具有至少一个光强分布的光束，其中所述光强分布从最小光强变化到最大光强；和衬底台，设置在穿过光学调制元件传输的光束照射在其上的位置上，并支撑该经过处理的衬底，该制造方法包括相对于该结晶设备的衬底台定位经过处理的衬底，并用作为参考物的、预先设置在经过处理的衬底上的至少一个定位标记支撑它；向该衬底台支撑的经过处理的衬底的预定区施加所述调制光束和使该区结晶；和在利用用作参考物的定位标记进行定位了的经过处理的衬底的结晶区中形成至少一个电路元件。
2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于经过处理的衬底包括具有将被结晶的区域的非单晶半导体膜。
3.一种电子器件，由根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法制造。
4.一种结晶设备，其特征在于包括照射系统，投射用于照射经过处理的衬底的光束；光学调制元件，设置在来自照射系统的光束的光轴上，并将入射光束进行光强调制成具有至少一个预定图形的光强分布的光束；支撑部件，用于按照使被光强调制的光束照射到经过处理的衬底上的方式支撑经过处理的衬底；第一位置检测组件，用于检测光学调制元件的绝对位置；第二位置检测组件，用于检测经过处理的衬底的绝对位置；和位置控制组件，用于在第一和第二位置组件的检测结果基础上控制光学调制元件和经过处理的衬底中的至少一个的位置。
5.根据权利要求4所述的结晶设备，其特征在于照射系统具有投射做为所述光束的激光束的激光光源和光学单元，所述光源单元用于均化从激光光源投射的激光束的光强分布和使激光束进入光学调制元件，并且光学调制元件具有光学调制图形，该光学调制图形将入射激光束调制成具有光强分布的激光束，所述光强分布带有具有最小强度峰值的至少一个反向峰值图形。
6.根据权利要求4或5所述的结晶设备，其特征在于第一位置检测组件在垂直于该光轴并且彼此垂直的X方向和Y方向以及相对中心处的该光轴θ方向中的至少一个方向上检测光学调制元件的位置，当检测到的位置偏离预定位置时，位置控制组件移动光学调制元件，以便校正被检测位置的位移。
7.根据权利要求4-6任一项所述的结晶设备，其特征在于第一位置检测组件在垂直于光轴且彼此垂直的X方向和Y方向以及相对于中心处的光轴θ方向上检测光学调制元件的位置，当检测到的位置偏离预定位置时，位置控制组件移动光学调制元件，以便校正该位移。
8.根据权利要求4-7任一项所述的结晶设备，其特征在于第一位置检测组件具有提供给光学调制元件的至少一个定位标记以及检测该定位标记和输出位置信息的定位标记检测装置，位置控制组件将位置信息与参考位置信息进行比较，如果两组位置信息之间存在差异，则移动光学调制元件，以便校正位移。
9.根据权利要求8所述的结晶设备，其特征在于所述至少一个定位标记包括一对定位标记，所述一对定位标记按照它们彼此隔开一定距离的方式提供给光学调制元件，所述定位标记检测装置具有独立地检测定位标记的一对检测单元，位置控制组件具有一单元和驱动机构，所述单元用于在该对检测单元的检测信息基础上产生线性位置信息，将其与参考线性位置信息进行比较和输出光学调制元件在XYθ方向上的位移的信息，所述驱动机构在来自这个装置的信息的基础上在XYθ方向移动光学调制元件。
10.根据权利要求9所述的结晶设备，其特征在于所述位置控制组件包括支撑机构，该支撑机构可替换地支撑光学调制元件并利用驱动机构在XYθ方向移动光学调制元件。
11.根据权利要求9或10所述的结晶设备，其特征在于该对定位标记具有设置在光学调制元件两端附近的十字标记，该对检测单元具有独立地对十字标记进行成像的一对CCD照相机。
12.根据权利要求8-11任一项所述的结晶设备，其特征在于参考位置信息被预置。
13.根据权利要求8-11任一项所述的结晶设备，其特征在于进一步包括用于检测由支撑部件支撑的经过处理的衬底的位置和在检测结果基础上产生参考位置信息的组件。
14.一种结晶方法，其特征在于包括向经过处理的衬底连续投射脉冲激光束；将激光束光强调制成具有预定图形的光强分布的激光束，照射经过处理的衬底的一区域，并使该区域结晶；在光强调制之前和/或过程中检测光学调制元件的位置；和在第三步检测的检测结果基础上控制光学调制元件的位置。
15.根据权利要求14所述的结晶方法，其特征在于光学调制元件是具有至少一个线性或点状移相部分的移相器，使得入射激光束被光强调制成具有至少一个反向峰值图形的光强分布的激光束，所述光强分布具有最小光强峰值，并且用被调制的激光束照射经过处理的衬底。
16.一种光学调制元件，具有移相图形、对准标记图形和用于相对于经过处理的衬底对这些图形进行定位的定位标记。
17.一种光学调制元件，具有带有至少一个线性或点状移相部分的移相器部分和至少一个定位标记，所述移相部分对入射激光束形成最小强度峰值，所述定位标记用于移相器部分的定位。
全文摘要
一种电子器件的制造方法，包括相对于结晶设备的衬底台(5)对经过处理的衬底(4)进行定位和用预先设置在经过处理的衬底上的用作参考物的至少一个定位标记(4a、4b)支撑它，向由衬底台支撑的经过处理的衬底的预定区域施加被调制光束并使该区域结晶，以及在用作为参考物的定位标记定位的经过处理的衬底的结晶区中形成至少一个电路元件。
文档编号H01L21/302GK1649083SQ20041010367
公开日2005年8月3日 申请日期2004年12月24日 优先权日2003年12月25日
发明者秋田典孝, 高见芳夫 申请人:株式会社液晶先端技术开发中心