磁阻元件和包括其的存储装置的制作方法

技术特征：
1.一种磁阻元件，包括：被钉扎层，具有固定的磁化方向；自由层，设置为相应于所述被钉扎层并具有可变的磁化方向；和突出元件，从所述自由层突出、具有封闭的围栏结构并具有可变的磁化方向，其中所述突出元件的相对于所述自由层突出的部分与所述被钉扎层间隔开从而没有电流在所述突出元件的所述部分与所述被钉扎层之间流动。2.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述突出元件在垂直于所述自由层的方向上突出。3.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述突出元件从所述自由层的边缘突出。4.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述突出元件朝所述被钉扎层突出。5.根据权利要求4所述的磁阻元件，其中所述突出元件具有围绕所述被钉扎层的结构。6.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述突出元件远离所述被钉扎层突出。7.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述突出元件具有均匀的突出长度。8.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述突出元件包括具有不同的突出长度的第一部分和第二部分。9.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述自由层具有矩形形状。10.根据权利要求9所述的磁阻元件，其中所述突出元件包括相应于所述自由层的短边的第一部分和相应于所述自由层的长边的第二部分，其中所述第一部分和第二部分的突出长度相同。11.根据权利要求9所述的磁阻元件，其中所述突出元件包括相应于所述自由层的短边的第一部分和相应于所述自由层的长边的第二部分，其中所述第一部分和第二部分的突出长度不同。12.根据权利要求11所述的磁阻元件，其中所述第二部分的突出长度小于所述第一部分的突出长度。13.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述自由层具有椭圆形状。14.根据权利要求13所述的磁阻元件，其中所述突出元件包括相应于所述自由层的长轴方向的两端的第一部分和相应于所述自由层的短轴方向的两端的第二部分，其中所述第一部分和第二部分的突出长度相同。15.根据权利要求13所述的磁阻元件，其中所述突出元件包括相应于所述自由层的长轴方向的两端的第一部分和相应于所述自由层的短轴方向的两端的第二部分，其中所述第一部分和第二部分的突出长度不同。16.根据权利要求15所述的磁阻元件，其中所述第二部分的突出长度小于所述第一部分的突出长度。17.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述突出元件的至少一部分具有等于或大于8nm的突出长度。18.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述自由层和所述被钉扎层具有平面内磁各向异性。19.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述自由层和所述被钉扎层具有垂直磁各向异性。20.根据权利要求1所述的磁阻元件，还包括设置在所述自由层与所述被钉扎层之间的分隔层。21.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中所述被钉扎层是第一被钉扎层，且所述磁阻元件还包括：与所述第一被钉扎层分离的第二被钉扎层；和间隔件，设置在所述第一被钉扎层与所述第二被钉扎层之间。22.根据权利要求21所述的磁阻元件，其中所述第一被钉扎层、所述第二被钉扎层和所述间隔件构成合成反铁磁结构。23.一种存储装置，包括至少一个存储单元，其中所述存储单元包括根据权利要求1所述的磁阻元件。24.根据权利要求23所述的存储装置，其中所述存储单元还包括连接到所述磁阻元件的开关元件。25.根据权利要求23所述的存储装置，其中所述存储装置是自旋转移矩磁随机存取存储器。