技术总结
本发明提供了一种硅锰酸锂/碳复合材料及制备方法，材料中掺有硼元素，碳占材料总质量的5％～20％；材料为正交晶系，晶格常数b值大于基本采用溶胶—凝胶法制备得到前驱体材料，之后再热处理该前驱体材料得到，在制备溶胶过程中将硼的化合物加入。与现有技术相比，本发明制备的硼掺杂硅酸锰锂/碳复合正极材料，在硅酸锰锂中掺杂硼系聚阴离子，使得晶体结构发生择优生长，由于硼系聚阴离子的支柱效应使准层状材料硅酸锰锂的电化学循环稳定性得到了大幅提升。
技术研发人员：韦伟峰;冀然;丁正平;冯伊铭
受保护的技术使用者：中南大学
文档号码：201610771910
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2016.11.16