控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0084]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.lnm/s的蒸镀速率和5 X KT5Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板依次蒸镀材料为WO3,厚度为20nm的空穴注入层、材料为TAPC，厚度为60nm的空穴传输层、材料为ADN，厚度为1nm的发光层、材料为TPBi，厚度为200nm的电子传输层。
[0085]4、然后在上述电子传输层上依次制备第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层和第二铷化合物层:
[0086]首先采用热阻蒸镀制备第一铷化合物层，材料为RbNO3,制得的厚度为30nm ；
[0087]接着在第一铷化合物层上采用热阻蒸镀制备UGH3:Bphen材质的有机娃小分子掺杂层，UGH3与Bphen的掺杂质量比为6:1，制得的厚度为30nm ；
[0088]然后在铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀第二铷化合物层，厚度为5nm，材料为RbNO30
[0089]5、最后蒸镀制备金属阴极层,蒸镀速率为2nm/s,所用材质为Pt,厚度为10nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0090]实施例4
[0091]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0092]玻璃/IZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、TCTA材质的空穴传输层、Alq3材质的发光层、TAZ材质的电子传输层、RbNO3材质的第一铷化合物层、UGH4: PBD材质的有机娃小分子掺杂层、Rb2CO3材质的第二铷化合物层以及Al材质的阴极层。第一铷化合物层、有机娃小分子掺杂层和第二铷化合物层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表不层状结构，冒号“:”表不相互掺杂)
[0093]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0094]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0095]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为600V的加速电压、100G的磁场以及30W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为ISOnm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0096]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.5nm/s的蒸镀速率和2 X 10_4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板依次蒸镀材料为V2O5，厚度为80nm的空穴注入层、材料为TCTA，厚度为60nm的空穴传输层、材料为Alq3，厚度为40nm的发光层、材料为TAZ，厚度为35nm的电子传输层。
[0097]4、然后在上述电子传输层上依次制备第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层和第二铷化合物层:
[0098]首先采用热阻蒸镀制备第一铷化合物层，材料为RbNO3,制得的厚度为25nm ；
[0099]接着在第一铷化合物层上采用热阻蒸镀制备UGH4:PBD材质的有机硅小分子掺杂层，UGH4与PBD的掺杂质量比为3:1，制得的厚度为35nm ；
[0100]然后在铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀第二铷化合物层，厚度为18nm，材料为Rb2CO30
[0101]5、最后蒸镀制备金属阴极层,蒸镀速率为2nm/s,所用材质为Al,厚度为250nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0102]与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点:第一铷化合物层的铷化合物由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势鱼，有利于电子的注入，而有机娃小分子掺杂层由宽能隙的有机娃小分子材料与电子传输材料组成，有机娃小分子的玻璃化转变温度都很低(50度以下)，极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，加强光的散射，提高出光效率。电子传输材料可加强电子的传输速率，从而提高激子的复合几率，而第二铷化合物层可降低阴极与掺杂层之间的电子注入势垒，提高注入效率，且金属离子可进一步加强电子的传输速率。
[0103]上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，其特征在于，该层状结构为:依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层与第二铷化合物层；其中，所述的第一铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷； 所述有机娃小分子掺杂层的材质为有机娃小分子与电子传输材料，所述有机娃小分子层的材质为二苯基二(ο-甲苯基)娃、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基娃)苯或p-双(三苯基娃)苯，所述电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、2-(4’ -叔丁苯基)-5-(4’ -联苯基)-1, 3，4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑； 所述第二铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机硅小分子材料与所述电子传输材料的掺杂质量比为2:1?6:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一铷化合物层厚度为10-30nm，所述有机硅小分子掺杂层厚度为30_80nm，所述第一铷化合物层厚度为5_20nmo
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒； 所述空穴传输层的材质为1，1_ 二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N' -(1-萘基)-1& - 二苯基-4，4'-联苯二胺； 所述发光层的材质为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-联苯或8-羟基喹啉铝； 所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑； 所述阴极的材质为银、铝、钼或金。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (a)在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层； (b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的电子传输层上热阻蒸镀制备第一铷化合物层，然后在所述第一铷化合物层上热阻蒸镀制备有机硅小分子掺杂层，再在所述有机硅小分子掺杂层上热阻蒸镀制备第二铷化合物层，从而得到电子注入层；其中， 所述的第一铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷； 所述有机娃小分子掺杂层的材质为有机娃小分子与电子传输材料，所述有机娃小分子层的材质为二苯基二(ο-甲苯基)娃、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基娃)苯或p-双(三苯基娃)苯，所述电子传输材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、2-(4’ -叔丁苯基)-5-(4’ -联苯基)-1, 3，4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑； 所述第二铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷； (C)在步骤(b)制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(a)中，所述磁控溅射设备的加速电压为30(T800V，磁场为5(T200G，功率密度为I?40 ff/cm2 ;所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.rinm/s0
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.l^lnm/s ;所述第一铷化合物层厚度为10_30nm,所述有机娃小分子掺杂层厚度为30-80nm，所述第一铷化合物层厚度为5_20nm。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，所述阴极层的蒸镀速率为I?10nm/s。
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层与第二铷化合物层。本发明有机电致发光器件的电子注入层中，第一铷化合物层的铷化合物由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入。
【IPC分类】H01L51-56, H01L51-52, H01L51-54, H01L51-50
【公开号】CN104638143
【申请号】CN201310574116
【发明人】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月14日