有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
【背景技术】
[0002]1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)，其在1V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。
[0003]但在现有的有机电致发光器件中，电子注入层是重要的功能层之一，在制造过程中，由于电子注入层所选材料的隔绝水氧能力不强，水汽会经由裂缝渗入而影响薄膜晶体管的电性。同时所选材料也不利于有利于电子的注入，故电子的传输速率较低，比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合几率的低下，并且易使其复合的区域不在发光区域内，从而使发光效率降低。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法以提高有机电致发光器件的出光效率。
[0005]本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为:一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为:依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层与第二铷化合物层；其中，所述的第一铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷；
[0006]所述有机娃小分子掺杂层的材质为有机娃小分子与电子传输材料，所述有机娃小分子层的材质为二苯基二(O-甲苯基)娃、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基娃)苯或P-双(三苯基硅)苯，所述电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5_ (4'-联苯基)-1，3，4_恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
[0007]所述第二铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷。
[0008]所述有机娃小分子材料与所述电子传输材料的掺杂质量比为2:1?6:1。
[0009]所述第一铷化合物层厚度为10-30nm，所述有机硅小分子掺杂层厚度为30_80nm，所述第一铷化合物层厚度为5-20nm。
[0010]所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒；
[0011]所述空穴传输层的材质为1，1-二 [4-[N,N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N' -(1-萘基)_N，N' - 二苯基-4,4'-联苯二胺；
[0012]所述发光层的材质为4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-联苯或8-羟基喹啉铝；
[0013]所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；
[0014]所述阴极的材质为银、铝、钼或金。
[0015]本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，其包括如下步骤:(a)在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层；
[0016](b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的电子传输层上热阻蒸镀制备第一铷化合物层，然后在所述第一铷化合物层上热阻蒸镀制备有机硅小分子掺杂层，再在所述有机硅小分子掺杂层上热阻蒸镀制备第二铷化合物层，从而得到电子注入层；其中，
[0017]所述的第一铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷；
[0018]所述有机娃小分子掺杂层的材质为有机娃小分子与电子传输材料，所述有机娃小分子层的材质为二苯基二(O-甲苯基)娃、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基娃)苯或P-双(三苯基硅)苯，所述电子传输材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、2_(4'-叔丁苯基)-5_ (4'-联苯基)-1，3，4_恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
[0019]所述第二铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷。
[0020](C)在步骤(b)制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
[0021]在所述步骤(a)中，所述磁控溅射设备的加速电压为300?800V，磁场为50?200G，功率密度为I?40W/cm2 ;所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1 ?lnm/s。
[0022]在所述步骤(b)中，所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1?lnm/s ;所述第一铷化合物层厚度为10-30nm，所述有机硅小分子掺杂层厚度为30_80nm，所述第一铷化合物层厚度为 5_20nm。
[0023]在所述步骤(c)中,所述阴极层的蒸镀速率为I?10nm/s。
[0024]所述电子注入层的各组分的性能如下:
[0025]本发明的电子注入层包括第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层与第二铷化合物层。
[0026]第一铷化合物层的铷化合物由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入，同时第一铷化合物层的厚度为10-30nm nm，该厚度适中，即可避免第一铷化合物层过厚而形成团簇，从而形成电子缺陷而影响电荷的传输，也可避免第一铷化合物层太薄而造成电子失去了传输路径，从而降低传输速率；
[0027]而有机娃小分子掺杂层由宽能隙的有机娃小分子材料与电子传输材料组成，有机硅小分子的玻璃化转变温度都很低(50度以下)，极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，加强光的散射，提高出光效率。电子传输材料可加强电子的传输速率，从而提高激子的复合几率，同时，有机娃小分子材料与电子传输材料的掺杂质量比为2:1?6:1,在这个范围可保证有机硅小分子材料的性能，也可防止有机硅小分子材料过多使材料失去活性，从而不利于传输载流子，另外有机硅小分子材料的厚度为30?80nm，该厚度适中，即可避免有机硅小分子材料过厚而使有机硅小分子材料形成电子缺陷，也可避免有机硅小分子材料太薄而使有机硅小分子材料被电流击穿，从而使有机电致发光器件烧坏；
[0028]第二铷化合物层可降低阴极与掺杂层之间的电子注入势垒，提高注入效率，且金属离子可进一步加强电子的传输速率。同时第二铷化合物层的厚度为5?20nm，该厚度适中，即可避免第二铷化合物层过厚而使第二铷化合物层形成团簇，从而形成电子缺陷而影响电荷的传输，也可避免第二铷化合物层太薄而造成电子失去了传输路径，从而降低传输速率；
[0029]总体而言，与现有技术相比，本发明的有机电致发光器件及其制备方法，具有以下的优点:铷化合物层的铷化合物由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入，而铷化合物掺杂层有利于电子的注入，加强电子的传输速率，从而提高出光效率。有机娃小分子极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，加强光的散射，提高出光效率。电子传输材料可加强电子的传输速率，从而提高激子的复合几率。
【附图说明】
[0030]图1是本发明实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。
[0031]图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例的电流密度与电流效率的关系图。
【具体实施方式】
[0032]以下结合实施例，对本发明予以进一步地详尽阐述。
[0033]本发明的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。
[0034]对上述有机电致发光器件的制备方法，具体包括以下步骤:
[0035]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0036]2、在上述步骤清洁后的玻璃上制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，接着在阳极导电基板上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层。
[0037]3、接着在上述电子传输层上制备电子注入层，电子注入层为第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层与第二铷化合物层组成。采用热阻蒸镀所述第一铷化合物层，其材料为碳酸铷(Rb2C03)、氯化铷(RbCl)、硝酸铷(RbNO3)硫酸铷(Rb2SO4),厚度为10_30nm。再采用热阻蒸镀所述有机娃小分子掺杂层，其为有机娃小分子与电子传输材料进行掺杂。所述有机娃小分子层为能隙为-3.5?-5.5eV的有机娃小分子材料,具体为二苯基二(ο-甲苯基)硅(UGH1)、P-二 (三苯基硅)苯(UGH2)、1，3-双(三苯基硅)苯(UGH3)或P-双(三苯基硅)苯(UGH4)。所述电子传输材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(8?1^11)、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1，3，4-恶二唑(PBD)、8_羟基喹啉铝(Alq3)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)，所述的有机硅小分子材料与电子传输材料的掺杂质量比为2:1?6:1，厚度为30-80nm。最后在有机硅小分子掺杂层上采用热阻蒸镀所述第二铷化合物层，其材料为碳酸铷(Rb2CO3)、氯化铷(RbCl)、硝酸铷(RbNO3)或硫酸铷(Rb2SO4),厚度为5_20nm。
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