最后制备金属阴极。
[0039]有机电致发光器件中，其他功能层的材质和厚度如下:
[0040]所述玻璃为市售玻璃。
[0041]所述阳极导电基板为铟锡氧化物薄膜(ΙΤ0)、掺铝的氧化锌薄膜(AZO)或掺铟的氧化锌薄膜(ΙΖ0)，采用磁控溅射制备，厚度为50-300nm，优选为ΙΤ0，厚度为lOOnm。
[0042]阳极导电基板包括导电阳极薄膜和玻璃，其导电阳极薄膜的材质为导电氧化物，包括氧化铟锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺铟氧化锌(IZO)或掺氟氧化锌(FTO)的任意一种，其基板的材质可为玻璃、塑料或金属，可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板。在实际应用中，可以在阳极导电基板上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板为现有技术，在此不再赘述。
[0043]所述空穴注入层材料采用三氧化钥(MoO3),还可采用三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),厚度为20-80nm，优选为MoO3,厚度为25nm。
[0044]所述空穴传输材料采用的是I, 1-二 [4_[N,N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4,，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(1'0^)、1^-(1-萘基)州州’-二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)。厚度为20-60nm，优选为TCTA，厚度为50nm。
[0045]所述发光层为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4,-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I'-联苯(BCzVBi )、8_羟基喹啉铝(Alq3)，厚度为5_40nm，优选为BCzVBi，厚度优选为24nm。
[0046]所述电子传输层采用4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI )，厚度为40-250nm，优选为Bphen，厚度为150nm。
[0047]所述阴极为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，厚度为80_250nm，优选为Ag，厚度为 150nm。
[0048]以下以实施例1?4对本发明的有机电致发光器件及其制备方法作具体说明:
[0049]实施例1
[0050]如图1所示，本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0051]玻璃/IZO的阳极导电基板101、MoO3材质的空穴注入层102、TAPC材质的空穴传输层103、ADN材质的发光层104、TPBI材质的电子传输层105、Rb2C03材质的第一铷化合物层106、UGH2 = Alq3材质的有机硅小分子掺杂层107、RbCl材质的第二铷化合物层108以及Ag材质的阴极层109。第一铷化合物层106、有机硅小分子掺杂层107和第二铷化合物层108组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂)
[0052]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0053]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0054]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板101。
[0055]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板101转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8X KT4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为25nm的空穴注入层102、材料为1，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烧且厚度为50nm的空穴传输层103、材料为9，10- 二 - β -亚萘基蒽且厚度为24nm的发光层104、材料为N-芳基苯并咪唑且厚度为150nm的电子传输层105。
[0056]4、然后在上述电子传输层105上依次制备第一铷化合物层106、有机硅小分子掺杂层107和第二铷化合物层108:
[0057]首先采用热阻蒸镀制备第一铷化合物层106，材料为Rb2CO3,制得的厚度为13nm ；
[0058]接着在第一铷化合物层106上采用热阻蒸镀制备UGH2:Alq3材质的有机娃小分子掺杂层107，UGH2与Alq3的掺杂质量比为4:1，制得的厚度为50nm ；
[0059]然后在铷化合物掺杂层107上采用热阻蒸镀第二铷化合物层108，厚度为10nm，材料为RbCl。
[0060]5、最后蒸镀制备金属阴极层109,蒸镀速率为2nm/s,所用材质为银,厚度为80nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0061]图2为本实施例1的有机电致发光器件与一般器件的电流密度与电流效率的关系图。
[0062]测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0063]所述一般器件的结构为普通玻璃/IT0/Mo03/TCTA/BCzVBi/Bphen/Rb2C03/UGH2:Alq3/RbCl/Ag。图2中，横坐标为电流密度的大小，纵坐标为流明效率的大小，曲线I为实施例1有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系曲线，曲线2为对比例器件的电流密度与流明效率的关系曲线。
[0064]从图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，电流效率效率为8.38cd/A，而对比例的仅为6.57cd/A，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，本发明专利的电子注入层可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入，加强光的散射，提高激子的复合几率，降低阴极与掺杂层之间的电子注入势垒，提高注入效率，这种方法有利于提高器件的发光效率。
[0065]实施例2
[0066]以下实施例2-4的有机电致发光器件的层状结构与实施例1的层状结构基本相同，故在此不再加图示说明。
[0067]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0068]玻璃/IZO的阳极导电基板、MoO3材质的空穴注入层、TAPC材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、TPBI材质的电子传输层、RbCl材质的第一铷化合物层、UGHl = TPBi材质的有机硅小分子掺杂层、Rb2SO4材质的第二铷化合物层以及Pt材质的阴极层。第一铷化合物层、有机娃小分子掺杂层和第二铷化合物层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表不层状结构，冒号“:”表不相互掺杂)
[0069]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0070]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0071]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0072]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板101转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8 X 10_4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为25nm的空穴注入层、材料为1，1_ 二[4-[N，N, -二 (P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷且厚度为50nm的空穴传输层103、材料为9，10- 二 - β -亚萘基蒽且厚度为24nm的发光层、材料为N-芳基苯并咪唑且厚度为150nm的电子传输层。
[0073]4、然后在上述电子传输层上依次制备第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层和第二铷化合物层:
[0074]首先采用热阻蒸镀制备第一铷化合物层，材料为RbCl，制得的厚度为1nm ；
[0075]接着在第一铷化合物层上采用热阻蒸镀制备UGHl:TPBi材质的有机硅小分子掺杂层，UGHl与TPBi的掺杂质量比为4:1，制得的厚度为80nm ；
[0076]然后在铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀第二铷化合物层，厚度为20nm，材料为Rb2SO40
[0077]5、最后蒸镀制备金属阴极层,蒸镀速率为2nm/s,所用材质为Pt,厚度为80nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0078]实施例3
[0079]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0080]玻璃/ITO的阳极导电基板、WO3材质的空穴注入层、TAPC材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、TPBI材质的电子传输层、RbNO3材质的第一铷化合物层、UGH3: Bphen材质的有机硅小分子掺杂层、RbNO3材质的第二铷化合物层以及Pt材质的阴极层。第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层和第二铷化合物层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表不相互掺杂)
[0081]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0082]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0083]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁