每种切割方式表示出器件侧面的表面粗糙度Rz和粘接剂攀爬至器件上表面所需的时间的表。在激光切割的情况下，器件侧面的表面粗糙度Rz大，因而粘接剂攀爬至器件上表面所需的时间短。另一方面，在刀片切割或划线折断中，器件侧面的表面粗糙度Rz小，因而粘接剂攀爬至器件上表面所需的时间长。
[0036]根据本发明的实施方式I所涉及的半导体装置10，器件的侧面上部16A的表面粗糙度Rz变为小于或等于1.0 μ m。由此，即使延长从芯片键合工序结束至粘接剂固化工序的待机时间，也能够防止粘接剂14在器件侧面上攀爬并到达器件上表面。通过将待机时间设得较长，从而能够采用生产效率好的批量处理。
[0037]另外，由于减小了侧面上部16A的表面粗糙度Rz，因此即使粘接剂14的量大幅地波动，也能够防止粘接剂14到达器件上表面。如上述所示，由于能够利用侧面上部16A防止粘接剂14的攀爬，所以粘接剂14的选项增多。例如，能够采用高性能的导热粘接剂、能够提尚接合强度的粘接剂、润湿性尚的粘接剂、或者低粘性的粘接剂。
[0038]如果要利用刀片切割对晶片进行完全分割，则无法加快刀片的进给速度，无法提高生产率。但是，在本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法中，首先利用能够进行高速切割的激光切割对晶片进行完全分割，然后利用刀片100将熔融物20A的一部分去除。由此，与利用刀片对晶片进行完全分割相比，能够以短时间结束切割，因而能够提高生产率。此外，仅将侧面上部的熔融物去除，是为了与将熔融物全体去除的情况相比使处理高速化，并且为了降低刀片的磨损量和刀片更换作业的频率。
[0039]另外，在刀片切割方式的情况下，所需的切割路径的宽度往往为50?ΙΟΟμπι左右。但是，在本发明的激光切割中，能够将刀片的宽度xl设为10?20 μπι中的任一者，因而能够缩小切割路径的宽度而增加器件获得数。
[0040]侧面上部16Α和侧面下部16Β的表面粗糙度Rz并不限定于上述值。只要使用本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法，使得侧面上部16A的表面粗糙度小于侧面下部16B的表面粗糙度，就能够防止粘接剂14的攀爬。
[0041]本发明的实施方式I所涉及的器件并不限定于GaAs，能够采用各种材料。例如，也可以由陶瓷形成器件。熔融物20利用刀片100去除，但也可以利用湿蚀刻或干蚀刻去除。在去除工序中，将器件的侧面上部的熔融物去除，但也可以将器件的侧面整体的熔融物去除。粘接剂只要能够将安装基板与器件粘接即可，并不限定于导电性的材料。此外，这些变形也能够应用于下面的实施方式2。
[0042]实施方式2
[0043]本发明的实施方式2所涉及的半导体装置和半导体装置的制造方法与实施方式I的共通点较多，因而以与实施方式I的不同点为中心进行说明。图7是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的剖视图。在该半导体装置中，利用粘接剂14将器件200的下表面固定于安装基板12。
[0044]器件200的侧面上部200A成为斜面。在侧面上部200A处形成有表面粗糙度Rz小于或等于1.0 μπι的切割痕。在侧面下部200Β处形成有GaAs由于激光切割而熔融所形成的熔融物20。熔融物20是由激光切割产生的切割痕。因此，侧面下部200Β成为表面粗糙度Rz大于或等于4.0 μπι的粗糙面。
[0045]对本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的制造方法进行说明。首先对晶片形成槽。图8是表示对晶片形成槽这一操作的晶片剖视图。利用刀片100对晶片60形成槽102。槽102沿着切割路径形成。
[0046]接着，进行激光切割。图9是表示激光切割的状况的晶片剖视图。对于在俯视观察时形成有槽102的部分，以留下槽102的一部分的方式进行激光切割而形成贯穿孔201、202。由此，将晶片分离为各个器件200、204、206。将该工序称为激光切割工序。利用激光切割，在侧面下部200Β处形成熔融物20。
[0047]接着，利用粘接剂14将安装基板12与器件200的下表面进行粘接。将该工序称为芯片键合工序。接着，经过待机时间后，转移至粘接剂固化工序。在粘接剂固化工序中，利用加热或UV照射使粘接剂14固化。接着，适当实施导线键合工序。
[0048]在本发明的实施方式2所涉及的半导体装置中，首先利用刀片100形成槽102，由此形成表面粗糙度小的侧面上部200Α。接着，以留下侧面上部200Α的方式，利用激光切割分离为各个器件。因此，能够降低侧面上部200Α的表面粗糙度，因而能够防止粘接剂的攀爬。此外，也可以不利用刀片100形成槽102，而利用蚀刻来形成槽102。
[0049]标号的说明
[0050]10半导体装置，12安装基板，14粘接剂，14a粘接剂的一部分，16器件，16A侧面上部，16B侧面下部，18电极焊盘，20、20A熔融物，50激光装置，52激光，54、56贯穿孔，60晶片，70切割带，100刀片，102槽，200器件，200A侧面上部，200B侧面下部，201,202贯穿孔。
【主权项】
1.一种半导体装置，其特征在于， 具备: 安装基板； 粘接剂，其涂敷于所述安装基板；以及 器件，其利用所述粘接剂将下表面与所述安装基板粘接， 所述器件的侧面上部与所述器件的侧面下部相比表面粗糙度较小。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于， 在所述器件的侧面上部处形成有表面粗糙度Rz小于或等于1.0 μπι的切割痕， 在所述器件的侧面下部处形成有表面粗糙度Rz大于或等于4.0 μπι的切割痕。3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备: 激光切割工序，在该激光切割工序中，利用激光切割在晶片中形成贯穿孔，分离为各个器件； 去除工序，在该去除工序中，利用刀片或蚀刻，将在所述激光切割工序中在所述器件的侧面处形成的熔融物去除； 芯片键合工序，在该芯片键合工序中，在所述去除工序后，利用粘接剂将安装基板与所述器件的下表面进行粘接；以及 粘接剂固化工序，在该粘接剂固化工序中，使所述粘接剂固化。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 在所述去除工序中，仅将在所述器件的侧面上部处形成的熔融物去除。5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备: 利用刀片或蚀刻对晶片形成槽的工序； 激光切割工序，在该激光切割工序中，对于在俯视观察时形成有所述槽的部分，以留下所述槽的一部分的方式进行激光切割而形成贯穿孔，将所述晶片分离为各个器件； 芯片键合工序，在该芯片键合工序中，利用粘接剂将安装基板与所述器件的下表面进行粘接；以及 粘接剂固化工序，在该粘接剂固化工序中，使所述粘接剂固化。
【专利摘要】本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具备：安装基板；粘接剂，其涂敷于该安装基板；以及器件，其利用该粘接剂将下表面与该安装基板粘接，该器件的侧面上部与该器件的侧面下部相比表面粗糙度较小。
【IPC分类】H01L21/52, H01L21/301
【公开号】CN105103278
【申请号】CN201380075504
【发明人】吉田一男, 根岸将人
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2013年10月15日
【公告号】WO2014167745A1