形成第二接触焊盘227。然而，可使 用任意其他合适的工艺形成第二接触焊盘227。可形成厚度介于约0. 5μm至约4μm之间 (诸如，约1.45μm)的第二接触焊盘227。
[0067] 第二钝化层225可在第二金属化层223和第二接触焊盘227上方形成在第二衬底 221上。第二钝化层225可由诸如氧化硅、氮化硅、低k电介质（诸如碳掺杂氧化物）、极 低k电介质（诸如多孔碳掺杂二氧化硅）的一种或多种合适的介电材料、它们的组合等制 成。可通过诸如化学气相沉积（CVD)的工艺形成第二钝化层225 (但是可使用任意合适的 工艺），并且可具有介于约〇. 5μπι至约5μπι之间的厚度，诸如，约一旦处于合适 位置，就可以通过诸如化学机械抛光（CMP)的工艺（但是也可使用任意合适的去除工艺） 去除第二钝化层225的一部分，以暴露出第二接触焊盘227。
[0068] -旦第二半导体器件211已放置在通孔209之间，第二半导体器件211和通孔209 就可由第二密封剂213密封。可在模制器件（未在图2Α中单独示出）中实施密封。例如， 第二半导体器件211和通孔209可放置在模制器件的空腔内，并且该空腔可气密密封。第 二密封剂213可在空腔气密密封之前放置在空腔内或通过喷射口将第二密封剂213喷射到 空腔内。在一个实施例中，第二密封剂213可以为模塑料树脂，如聚酰亚胺、PPS、PEEK、PES、 耐热性水晶树脂、它们的组合等。
[0069] -旦已将第二密封剂213放置在模制空腔内使得第二密封剂213密封载体衬底 201、通孔209、和第二半导体器件211，那么，第二密封剂213可固化以使第二密封剂213硬 化来实现最佳保护。尽管准确的固化工艺至少部分地取决于为第二密封剂213选择的特定 材料，但是，在选择模塑料用作第二密封剂213的实施例中，通过诸如将第二密封剂213加 热到约100°C至约130°C之间的温度（诸如，约125°C)持续约60秒至约3000秒（诸如， 600秒）的工艺可发生固化。此外，引发剂和/或催化剂可包含在第二密封剂213内以更好 地控制固化工艺。
[0070] 然而，作为本领域的技术人员会认识到，上述的固化工艺仅为示例性工艺且并不 意味限制当前实施例。可以可选地使用诸如辐射或甚至允许第二密封剂213在环境温度下 硬化的其他固化工艺。可使用任意合适的固化工艺，并且所有这样的工艺完全旨在包含于 本文所讨论的实施例的范围内。
[0071] -旦已放置第二密封剂213,使第二密封剂213变薄以暴露出通孔209和，可选地， 第二半导体器件211，以进行进一步的处理。例如使用机械研磨或化学机械抛光（CMP)工艺 可实施变薄处理，在化学机械抛光中，使用化学蚀刻剂和研磨剂来反应且研磨掉第二密封 剂213和第二半导体器件211，直至已经暴露出通孔209和第二半导体器件211。这样，第 二半导体器件211和通孔209可具有与第二密封剂213同平面的平坦表面。
[0072] 然而，尽管上述的CMP工艺表现为一个说明性实施例，但是，不应限制于这些实施 例。可以可选地使用任意其他合适的去除工艺以使第二密封剂213和第二半导体器件211 变薄和暴露出通孔209。例如，可以可选地使用一系列化学蚀刻。可以可选地使用该工艺和 任意其他合适的工艺来使第二密封剂213和第二半导体器件211变薄，并且所有这样的工 艺完全旨在包含于实施例的范围内。
[0073] 使用第一重布层215来互连第二半导体器件211、通孔209和第一封装件100 (参 见图1)。在一个实施例中，通过诸如CVD或溅射的合适的形成工艺先由例如钛铜合金形成 晶种层（未示出）从而形成第一重布层215。然后可形成光刻胶（也未示出）来覆盖晶种 层，并且然后可图案化光刻胶以暴露出位于第一重布层215的期望所处位置的晶种层的部 分。
[0074] -旦光刻胶已形成且被图案化，诸如铜的导电材料就可通过诸如电镀的沉积工艺 形成在晶种层上。可形成厚度介于约1μm至约10μm之间（诸如约5μm)且宽度介于约 5μπι至约300μπι之间（诸如约5μπι)的导电材料。然而，虽然所讨论的材料和方法适用于 形成导电材料，但是，这些材料仅为示例性的。可以可选地使用诸如AlCu或Au的任意其他 合适的材料，以及诸如CVD或PVD的任意其他合适的形成工艺，并随后进行图案化工艺来形 成第一重布层215。
[0075] -旦已形成导电材料，通过诸如灰化的合适去除工艺可去除光刻胶。此外，去除光 刻胶之后，通过（例如）使用导电材料作为掩模的合适蚀刻工艺可去除晶种层的被光刻胶 覆盖的部分。
[0076] -旦已形成第一重布层215,则形成第二接触焊盘217以将第一重布层215电互连 接至例如第二外部连接件203。在一个实施例中，第二接触焊盘217类似于第一接触焊盘 1〇9(参照图1所述），诸如作为通过使用沉积工艺（诸如，溅射）形成、然后被图案化的铝 接触焊盘。然而，可由任意合适的材料且使用任意合适的工艺形成第二接触焊盘217。
[0077] 可在第一重布层215和第二接触焊盘217上方形成第一钝化层219,以便为第一重 布层215和其他上覆结构提供保护和隔离。在一个实施例中，第一钝化层219可以为聚苯 并恶唑（ΡΒ0)，但是，可以可选地使用诸如聚酰亚胺或聚酰亚胺衍生物的任意合适的材料。 使用例如旋转涂覆工艺可将第一钝化层219设置成厚度介于约5μm至约25μm之间（诸 如约7μm)，但是，可以可选地使用任意合适的方法和厚度。一旦设置在合适位置，通过诸如 化学机械抛光（CMP)的工艺去除第一钝化层219的一部分可通过第一钝化层219暴露出第 二接触焊盘217,但是，可以可选地使用任意合适的去除工艺。
[0078] 形成与第二接触焊盘217连接的第二外部连接件203。在一个实施例中，第二外部 连接件203类似于第一外部连接件113 (参照图1所述），诸如作为接触凸块（诸如，微凸块 或可控塌陷芯片连接（C4)凸块）。然而，任意其他合适类型的电连接件可以可选地用于第 二外部连接件203。
[0079] 图2B示出了形成第二封装件200的进一步处理。在一个实施例中，使用例如热工 艺改变粘合层202的粘合属性来使载体衬底201和粘合层202与结构的剩余部分脱离粘 合。在一个特定实施例中，使用诸如紫外线（UV)激光、二氧化碳（C02)激光、或红外线（IR) 激光的能量源辐射并加热粘合层202,直至粘合层202失去其至少一些的粘合属性。一旦实 施，载体衬底201和粘合层202可物理分离且从结构上去除。
[0080] 此外，一旦已经去除载体衬底201和粘合层202,可图案化聚合物层205以暴露出 通孔209和第二接触焊盘227。在一个实施例中，通过先将光刻胶（未在图2B中单独示出） 应用于聚合物层205,然后将光刻胶暴露于图案化能量源（例如，图案化光源）以诱导化学 反应从而诱导暴露于图案化光源的光刻胶的部分的物理变化，以此来图案化聚合物层205。 然后，根据期望的图案，将显影剂应用于曝光的光刻胶以利用物理变化且选择性地去除光 刻胶的曝光部分或光刻胶的未曝光部分，并且使用例如干蚀刻工艺去除聚合物层205的下 面的暴露部分。然而，可以可选地使用用于图案化聚合物层205的任意其他合适的方法。
[0081] 图2B还示出了与通孔209和第二接触焊盘227电连接的第三金属化层233的形 成，以将通孔209和第二接触焊盘227与例如诸如第二衬底401 (未在图2B中示出，但在参 照图4的下文中给出示出和描述）的外部器件互连。第三金属化层233由介电材料235和 导电材料237的交替层形成，其中，导电材料237与通孔垂直互连且可通过任意合适的工艺 (诸如，沉积、镶嵌、双镶嵌等）形成。在一个实施例中，可具有四层金属化层，但是，第三金 属化层233的准确数量取决于第二封装件200的设计。
[0082] 在一个实施例中，第二金属化层223被划分为三个不同区：信号区243、功率区 245、和接地区247。信号区243,正如其名，包括用于携带信号至通孔209和第二半导体器 件211以及携带来自通孔209和第二半导体器件211的信号的金属和通孔。在一个实施例 中，设计和设定信号区243内的通孔和金属的尺寸以便为提供至通孔209和第二半导体器 件211以及来自通孔209和第二半导体器件211的信号提供布线。例如，信号区243内的 通孔可具有介于约5μm至约20μm之间（诸如，约20μm)的第一直径，而金属可具有介于 约1.5μπι至约5.0μπι之间（诸如，2.0μπι)的第一厚度。然而，可以可选地使用任意其他 合适的尺