实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0025]上述及其它技术特征和有益效果，将结合实施例及附图2-4对本发明的HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法进行详细说明。图2是本发明中HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法的流程示意图；图3是优化高频溅射工艺参数前后的颗粒总数分布的示意图；图4是优化高频溅射工艺参数前后的颗粒区域分布数量的示意图。
[0026]如图2所示，本发明提供了一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，包括以下步骤:
[0027]步骤S01，采用第一高频溅射功率值淀积富硅氧化物薄膜，其中，所述第一高频溅射功率值为0?1000W ；
[0028]步骤S02，采用第二高频溅射功率值淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，所述第二高频溅射功率值为0?1000W ；
[0029]步骤S03，采用第三高频溅射功率值继续淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，所述第三高频溅射功率值为1000?2500W。
[0030]与现有HDP工艺相比，现有HDP工艺中通常包括两个步骤，首先高频溅射淀积富硅氧化物薄膜，其高频溅射功率值为1000?2500W，接着高频溅射淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其高频溅射功率值为1000?2500W。通过改变高频溅射的功率值可以减少高频溅射对富硅氧化物薄膜的削薄，间接增加了富硅氧化物薄膜和未掺杂的硅玻璃薄膜的厚度，增加了未掺杂的硅玻璃薄膜与工艺腔室薄弱位置的结合力，进而降低了颗粒物掉落的缺陷。
[0031]此外，还可进一步对高频溅射的时间进行优化，缩小对SR0薄膜进行高频溅射的用时比例，延长USG薄膜进行高频溅射的时间，同样可以减少颗粒物掉落的缺陷。
[0032]与现有HDP工艺相比，现有HDP工艺中高频溅射富硅氧化物薄膜与未掺杂的硅玻璃薄膜的时间比为2:8 ;本实施例中，采用第一高频溅射时间、第二高频溅射时间以及第三高频溅射时间的比值为1:8:1。具体的，步骤S01中，采用第一高频溅射淀积富硅氧化物薄膜的时间为20?40S ;步骤S02中，采用第二高频溅射淀积未掺杂的硅玻璃薄膜的时间为100?160S ;步骤S03中，采用第三高频溅射淀积未掺杂的硅玻璃薄膜的时间为20?40S。
[0033]请参阅图3和图4，图3是优化高频溅射工艺参数前后的颗粒总数分布的示意图；图4是优化高频溅射工艺参数前后的颗粒区域分布数量的示意图。本发明通过优化高频溅射的工艺参数，提高薄弱位置处USG薄膜对上顶盖的黏附性，降低颗粒物从上顶盖掉落的概率，从而成功降低了 HDP-STI工艺的颗粒。如图3所示，优化高频溅射工艺参数前，HDPSTI颗粒物总体较高，总数平均值为50颗，区域分布平均值为3颗，并且具有首片效应，优化高频溅射工艺参数后，颗粒物总体有效降低，总数平均值为3颗，区域分布平均值为0.35颗，降低到优化前的10%左右。
[0034]综上所述，本发明提供了一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，将SR0+USG薄膜结构拆分为SR0+USG+USG薄膜结构。其中，淀积SR0薄膜采用较小的高频溅射功率值，淀积USG薄膜拆分为较小的高频溅射功率值和较大的高频溅射功率值两步；此外，在时间上，缩小对SR0薄膜进行高频溅射的用时比例，延长USG薄膜进行高频溅射的时间。通过优化高频溅射工艺参数可以有效增强SR0薄膜与工艺腔室内壁的粘附性，降低薄弱位置处颗粒掉洛的概率，提尚广品良率、稳定性以及可靠性，提尚机台生广的效率和广能，同时也降低生产风险控制的难度。
[0035]上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤S01，采用第一高频溅射功率值淀积富硅氧化物薄膜，其中，所述第一高频溅射功率值为0?1000W ； 步骤S02，采用第二高频溅射功率值淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，所述第二高频溅射功率值为0?1000W ； 步骤S03，采用第三高频溅射功率值继续淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，所述第三高频溅射功率值为1000?2500W。2.根据权利要求1所述的HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，其特征在于，采用第一高频溅射时间、第二高频溅射时间以及第三高频溅射时间的比值为1:8:1。3.根据权利要求1所述的HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，其特征在于，步骤S01中，采用第一高频溅射淀积富硅氧化物薄膜的时间为20?40S。4.根据权利要求1所述的HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，其特征在于，步骤S02中，采用第二高频溅射淀积未掺杂的硅玻璃薄膜的时间为100?160S。5.根据权利要求1所述的HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，其特征在于，步骤S03中，采用第三高频溅射淀积未掺杂的硅玻璃薄膜的时间为20?40S。
【专利摘要】本发明属于半导体制造领域，公开了一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，首先采用第一高频溅射功率值淀积富硅氧化物薄膜，其中，第一高频溅射功率值为0～1000W；然后采用第二高频溅射功率值淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，第二高频溅射功率值为0～1000W；最后采用第三高频溅射功率值继续淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，第三高频溅射功率值为1000～2500W。本发明将SRO+USG薄膜结构拆分为SRO+USG+USG薄膜结构，通过优化高频溅射工艺参数可以有效增强SRO薄膜与工艺腔室内壁的粘附性，降低薄弱位置处颗粒掉落的概率，提高产品良率、稳定性以及可靠性，提高机台生产的效率和产能，同时也降低生产风险控制的难度。
【IPC分类】H01L21/316, H01L21/02, H01L21/762
【公开号】CN105304551
【申请号】CN201510621266
【发明人】谭利华, 侯多源, 王科, 韩晓刚, 陈建维
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年9月25日