剂成分，例如可W使用氨氧化侣、氨氧化儀、氨氧化铁、氨氧化巧、氨氧化 锡、复合化金属氨氧化物等各种金属氨氧化物;憐腊化合物等。其中，基于阻燃性、固化后的 强度优异的理由，优选憐腊化合物。
[0102] 第二树脂层2中的炭黑及染料的合计含量越少越好，具体而言优选为0重量％。
[0103] 第二树脂层2的制造方法没有特别限定。然而，如果利用溶剂涂布来制作第二树脂 层2,则残存于第二树脂层2中的溶剂在所树脂片11热固化时会挥发，使气体进入第二树脂 层2与第一树脂层1之间，从而会有树脂片11的厚度的均匀性降低、树脂片11的表面轻微变 形而难W辨识标记的情况。
[0104] 由此，作为第二树脂层2的制造方法，优选将混炼所述各成分(例如环氧树脂、酪醒 树脂、热塑性树脂、填料及固化促进剂)而得的混炼物塑性加工为片状的方法。由此，就可W 不使用溶剂地制作第二树脂层2,因而可W消除所述的问题。而且，虽然也可能从第一树脂 层1中产生气体，然而由于通常第一树脂层1的厚度要薄于第二树脂层2,因此来自第一树脂 层1的气体不会成为问题。
[0105] 具体而言，通过将环氧树脂、酪醒树脂、热塑性树脂、填料及固化促进剂用混炼漉、 加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机进行烙融混炼而制备混炼物，将所得的混炼物塑性 加工为片状。作为混炼条件，溫度的上限优选为140°CW下，更优选为130°CW下。溫度的下 限优选为上述的各成分的软化点W上，例如为30°CW上，优选为50°CW上。混炼的时间优选 为1~30分钟。另外，混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行，减压条件下的压力例如为1 X 1〇-4~0. ：Lkg/cm2。
[0106] 烙融混炼后的混炼物优选不进行冷却而保持高溫状态不变地进行塑性加工。作为 塑性加工方法没有特别限制，可W举出平板压制法、T型模头挤出法、螺杆模头挤出法、漉压 延法、漉混炼法、吹塑挤出法、共挤出法、压延成型法等。作为塑性加工溫度优选为上述的各 成分的软化点W上，如果考虑环氧树脂的热固性及成型性，则例如为40~150°C，优选为50 ~140°C，更优选为70~120°C。
[0107] 第二树脂层2的厚度没有特别限定，然而优选为lOOymW上，更优选为150ymW上， 进一步优选为200ymW上。如果是200ymW上，则可W降低激光器对电子设备造成的不良影 响。另外，第二树脂层2的厚度没有特别限定，然而优选为lOOOymW下，更优选为800μπι W下。 如果是lOOOymW下，则可W将一般的电子设备良好地密封。
[0108] 第一树脂层1的厚度/第二树脂层2的厚度(第一树脂层1的厚度与第二树脂层2的 厚度的比)优选为1/4W下，更优选为1/6W下。如果是1/4W下，则可W降低激光器对电子设 备造成的不良影响。第一树脂层1的厚度/第二树脂层2的厚度的下限没有特别限定，例如为 1/40W 上。
[0109] 而且，虽然在图1中，表示出第一树脂层1为单层的情况，然而第一树脂层1并不限 定于此，也可W是多层。另外，虽然在图1中，表示出第二树脂层2为单层的情况，然而第二树 脂层2并不限定于此，也可W是多层。
[0110] 树脂片11被用于电子设备的密封中。作为电子设备，可W举出传感器、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器等具有中空结构的 电子设备（中空型电子设备）；半导体忍片、IC(集成电路）、晶体管等半导体元件；电容器;电 阻等。而且，所谓中空结构，是指电子设备与搭载有电子设备的基板之间是中空的结构。
[0111] 作为密封方法没有特别限定，例如可W举出将搭载于基板上的电子设备用树脂片 11覆盖的方法、将搭载于粘合片上的电子设备用树脂片11覆盖的方法等。作为基板没有特 别限定，例如可W举出印刷电路板、陶瓷基板、娃基板、金属基板、半导体晶片等。
[0112] [电子设备封装体的制造方法]
[0113] 例如可W通过进行W下的工序来获得电子设备封装体。
[0114] (电子设备搭载基板准备工序）
[0115] 电子设备搭载基板准备工序中，准备搭载有多个电子设备13的基板12(参照图2)。 在电子设备13向基板12上的搭载时，可W使用倒装忍片接合机或忍片接合机等公知的装 置。通常，电子设备13与基板12被电连接。图2中，表示出电子设备13与基板12被借助凸点等 突起电极13a电连接的例子。
[0116] 而且，在电子设备13为SAW滤波器等中空型电子设备的情况下，在电子设备13与基 板12之间，维持有中空部（中空结构）14。此时，电子设备13与基板12之间的距离一般为15~ 50皿左右。
[0117] (密封工序）
[0118] 密封工序中，W使第二树脂层2与基板12及电子设备13接触的方式，在基板12上层 叠树脂片11，将电子设备13用树脂片11密封(参照图3)。由此，得到将电子设备13加 W树脂 密封了的电子设备封装体15。
[0119] 将树脂片11层叠于基板12上的方法没有特别限定，可W利用热压或层压机等公知 的方法进行。作为热压条件，溫度例如为40~100°C，优选为50~90°C，压力例如为0.1~ lOMPa，优选为0.5~8MPa，时间例如为0.3~10分钟，优选为0.5~5分钟。另外，如果考虑树 脂片11与电子设备13及基板12的密合性及追随性的提高，则优选在减压条件下(例如0.1~ 5kPa)进行压制。
[0120] (热固化工序）
[0121] 根据需要，将电子设备封装体15的树脂片11热固化。
[0122] 作为热固化处理的条件，加热溫度优选为100°CW上，更优选为120°CW上。另一方 面，加热溫度的上限优选为200°CW下，更优选为180°CW下。加热时间优选为10分钟W上， 更优选为30分钟W上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟W下，更优选为120分钟W 下。另外，根据需要也可W进行加压，优选为O.lMPaW上，更优选为0.5MPaW上。另一方面， 上限优选为lOMPaW下，更优选为5MPaW下。
[0123] (磨削工序）
[0124] 根据需要，对电子设备封装体15的树脂片11进行磨削。作为磨削方法，例如可W举 出使用高速旋转的砂轮的磨片法等。
[0125] (布线层形成工序）
[0126] 根据需要，对电子设备封装体15的基板12进行磨削。作为磨削方法，例如可W举出 使用高速旋转的砂轮的磨片法等。然后，根据需要，在电子设备封装体15形成通孔(Via)。然 后，根据需要，在电子设备封装体15形成再布线。然后，根据需要，在再布线上形成凸点。
[0127] (切割工序）
[0128] 根据需要，进行电子设备封装体15的切割(参照图4)。由此，就可W得到忍片状的 电子设备封装体16。
[0129] (基板安装工序）
[0130] 根据需要，在电子设备封装体15或电子设备封装体16形成再布线及凸点17,将其 安装在基板18(参照图5)。
[0131] (激光标记工序）
[0132] 激光标记可W对电子设备封装体15或电子设备封装体16在任意的时刻进行。例 如，既可W对热固化前的电子设备封装体15进行激光标记，也可W对热固化后的电子设备 封装体15进行激光标记，还可W对电子设备封装体16进行激光标记。
[0133] 对电子设备封装体15或电子设备封装体16的第一树脂层1部分进行激光标记。
[0134] 由于电子设备封装体15及电子设备封装体16具有高对比度的第一树脂层1，因此 可W利用激光标记形成观察性优异的标记。
[0135] 而且，虽然在图2~5中表示出电子设备封装体16具有第一树脂层1的例子，然而电 子设备封装体的制造方法并不限定于此，例如也可W在磨削工序除去第一树脂层1。
[0136] [电子设备封装体的制造方法]
[0137] 例如，通过进行W下的工序也可W得到电子设备封装体。W下的工序适合于化n-out(扇出）型晶片级封装体(WLP)的制造。
[0138] (将电子设备固定在粘合片上的工序）
[0139] 首先，在粘合片41上固定多个电子设备13(参照图6)。此时，根据需要，W使电子设 备13的电路形成面与粘合片41相面对的方式配置固定。在电子设备13的固定时，可W使用 倒装忍片接合机或忍片接合机等公知的装置。
[0140] 粘合片41通常具有支撑体42和层叠于支撑体42上的粘合剂层43。
[0141] 作为粘合剂层43没有特别限定，然而基于可W容易地剥离的理由，通常使用热剥 离性粘合剂层、福射线固化型粘合剂层等。作为支撑体42的材料没有特别限定。例如为SUS 等金属材料、聚酷亚胺、聚酷胺酷亚胺、聚酸酸酬、聚酸讽等塑料材料等。
[0142] (密封工序）
[0143] 密封工序中，W使第二树脂层2与粘合片41及电子设备13接触的方式，在粘合片41 上层叠树脂片11，将电子设备13用树脂片11密封(参照图7)。由此，得到将电子设备13加 W 树脂密封了的密封体51。
[0144] 将树脂片11层叠于粘合片41上的方法没有特别限定，可W利用热压、层压机等公 知的方法进行。
[014引（热固化工序）
[0146] 根据需要，将密封体51热固化(将密封体51的树脂片11热固化）。
[0147] (剥离工序）
[0148] 然后，从密封体51剥离粘合片41(参照图8)。剥离方法没有特别限定，然而优选在 使粘合剂层43的粘合力降低后进行剥离。例如，在粘合剂层43为热剥离性粘合剂层的情况 下，加热粘合剂层43,使粘合剂层43的粘合力降低后进行剥离。
[0149] (磨削工序）
[0150] 然后，根据需要，磨削密封体51的树脂片11(参照图9)。作为磨削方法，例如可W举 出使用高速旋转的砂轮的磨片法等。
[0151] (布线层形成工序）
[0152] 然后，利用半加成法等，在密封体51上形成再布线52(参照图10)。
[0153] 其后，在密封体51的形成有再布线52的面上，形成聚酷亚胺或聚苯并嗯挫(PB0)等 绝缘层。绝缘层例如可W通过层压干膜抗蚀剂等的膜而形成。
[0154] 然后，进行在再布线52上形成凸点53的凸点加工。凸点加工可W利用焊料球或焊 料锻敷等公知的方法进行。
[015引（切割工序）
[0156] 也可W进行由电子设备13、第二树脂层2及再布线52