显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，显示装置逐渐向超窄边框化的方向发展，因此相对于传统的彩膜基板设置在外侧而阵列基板贴着背光设置的显示装置，现有的显示装置逐渐向阵列基板设置在外侧而彩膜基板贴着背光设置的方向发展。由于阵列基板设置在外侧，而且阵列基板的栅极金属线对外界光具有很强的发射作用，因此影响了显示效果。
[0003]为了解决上述问题，现有技术完成对显示面板的制作之后，再对阵列基板的外表面进行防反射处理，例如，增加玻璃粗糙度或者贴附防反射膜，但是上述防反射处理的防反射效果不佳，而且提高了生产成本。另外，现有技术在阵列基板的制备过程之中，形成栅极之前增加一层防反射膜，所述防反射膜的厚度达到150nm以上，而且所述防反射膜的反射率只有20%左右。另外，所述防反射膜的厚度过大使得显示面板的显示区域的平坦度降低，导致cell工艺之中PI涂覆不良。
【发明内容】
[0004]为解决上述问题，本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置，用于解决现有的防反射处理的防反射效果差，而且防反射膜的厚度过大使得显示面板的显示区域的平坦度低，导致PI涂覆不良的问题。
[0005]为此，本发明提供一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有至少两层折射层，在所述折射层上设置有栅极；
[0006]相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层的厚度为ηλ+λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数。
[0007]可选的，所述折射层的数量为两层，两层所述折射层分别为靠近衬底基板的第一折射层以及远离衬底基板的第二折射层。
[0008]可选的，所述第一折射层的构成材料包括氮化硅材料，所述第二折射层的构成材料包括_ _晶娃材料。
[0009]可选的，所述第一折射层的厚度范围包括50nm至60nm，所述第二折射层的厚度范围包括25nm至35nm或者55nm至65nm。
[00?0]可选的，所述第一折射层的厚度为55nm，所述第二折射层的厚度为30nm或者60nmo[0011 ]可选的，所述第一折射层的折射率范围包括1.8至2.2，所述第二折射层的折射率范围包括4.0至4.8。
[0012]可选的，所述第一折射层的折射率为2.0，所述第二折射层的折射率范围包括4.4。
[0013]本发明提供一种显示面板，包括上述任一显示基板。
[0014]本发明提供一种显示装置，包括上述显示面板。
[0015]本发明提供一种显不基板的制备方法，包括:
[0016]在衬底基板上形成至少两层折射层，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层的厚度为ηλ+λ/4，λ为入射光的波长，η为非负整数；
[0017]在所述折射层上形成栅极。
[0018]可选的，所述在衬底基板上形成至少两层折射层的步骤包括:
[0019]在衬底基板上形成第一折射层；
[0020]在所述第一折射层上形成第二折射层。
[0021]可选的，所述第一折射层的构成材料包括氮化硅材料，所述第二折射层的构成材料包括_ _晶娃材料。
[0022]可选的，所述在所述第一折射层上形成第二折射层的步骤包括:
[0023]在所述第一折射层上形成第二折射层薄膜；
[0024]在所述折射层上形成栅极的步骤包括:
[0025]在所述第二折射层薄膜上形成栅金属薄膜；
[0026]对所述第二折射层薄膜和栅金属薄膜进行刻蚀以形成第二折射层和栅极，所述第二折射层位于所述栅极的正下方。
[0027]本发明具有下述有益效果:
[0028]本发明提供的显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置之中，所述显示基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有至少两层折射层，在所述折射层上设置有栅极，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层的厚度为ηλ+λ/4，λ为入射光的波长，η为非负整数。本发明在形成栅极金属之前，首先在衬底基板上形成至少两层折射层，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层具有特定厚度以形成矢量相反的反射光，上述反射光相互叠加，从而产生光抵消作用。本发明提供的技术方案根据半波损失理论，利用多层折射层的消光作用以及不同折射层具有的不同折射率产生的全反射，最大程度的减弱了栅极金属的反光强度，提高了显示效果。
【附图说明】
[0029]图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；
[0030]图2为本发明实施例一提供的半波损失的原理图；
[0031]图3为本发明实施例四提供的一种显示基板的制备方法。
【具体实施方式】
[0032]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置进行详细描述。
[0033]实施例一
[0034]图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图。如图1所示，所述显示基板包括衬底基板101，所述衬底基板101上设置有至少两层折射层，在所述折射层上设置有栅极104。相邻两个折射层之中靠近衬底基板101的折射层的折射率小于远离衬底基板101的折射层的折射率，所述折射层的厚度为ηλ+λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数。
[0035]本实施例中，所述折射层的数量为两层，两层所述折射层分别为靠近衬底基板的第一折射层102以及远离衬底基板的第二折射层。103。第一折射层102的折射率小于第二折射层103的折射率，所述折射层具有特定厚度以形成矢量相反的反射光，上述反射光相互叠加，从而产生光抵消作用。本实施例提供的技术方案根据半波损失理论，利用多层折射层的消光作用以及不同折射层具有的不同折射率产生的全反射，最大程度的减弱了栅极金属的反光强度，提高了显示效果。
[0036]当光从光疏介质射向光密介质而在界面上反射，而且入射角接近于零度(正入射)或者90° (掠射)时，反射光要产生数值为π的相位突变，这表示在入射点的入射光与反射光的相位相差了I由于数值为η的相位差相当于半个波长的光程，因此将这种现象称为半波损失。图2为本发明实施例一提供的半波损失的原理图。如图2所示，第一折射层102的折射率为nl，第二折射层103的折射率为η2，其中nl小于η2。光束R入射到第一界面301和第二界面302，在第一界面301形成的反射光为Rl，在第二界面302形成的反射光为R2。此时，入射光的入射角i为零度。当然，入射角为90°也可以发生半波损失，但是这种情况不在本实施例的讨论范围之内。
[0037]参见图2，将折射层的厚度设置为(1= ηλ+λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数。此时，反射光Rl与反射光R2之间的光程差为AB+BC，即反射光Rl与反射光R2之间的光程差为2d，因此反射光Rl与反射光R2之间的光程差为2ηλ+λ/2，相当于半个波长，发生了半波损失。图2所示的光线上设置有箭头，所述箭头表示光的矢量方向，由于反射光Rl与反射光R2具有相反的矢量方向，因此反射光Rl与反射光R2相互叠加，从而产生抵消作用。光线在第一折射层102与第二折射层103形成的第一界面301以及第二折射层103与衬底基板101形成的第二界面302都能够产生光的抵消作用，从而减弱了栅极金属的反光强度。另外，部分光线也可以在第一界面301发生全反射，从而最大程度的减弱了栅极金属的反光强度，提高了显示效果O
[0038]本实施例中，所述第一折射层102的构成材料包括氮化硅材料，所述第二折射层103的构成材料包括非晶娃材料。可选的，所述第一折射层的厚度范围包括50nm至60nm，所述第二折射层的厚度范围包括25nm至35nm或者55nm至65nm。优选的，所述第一折射层的厚度为55nm，所述第二折射层的厚度为30nm或者60nm。可选的，所述第一折射层的折射率范围包括1.8至2.2，所述第二折射层的折射率范围包括4.0至4.8。优选的，所述第一折射层的折射率为2.0，所述第二折射层的折射率范围包括4.4。
[0039]参见图1，在所述栅极104上设置有栅绝缘层105，在所述栅绝缘层105上设置有有源层106，在所述有源层106上设置有源极107和漏极108，在所述有源极107和所述漏极108上设置有钝化层109，所述钝化层109上设置有像素电极201，所述钝化层109上设置有过孔202，所述像素电极201通过所述过孔202与所述漏极108连接。由于第一折射层102、栅绝缘层105以及钝化层109的构成材料均为氮化硅材料，因此形成栅绝缘层105和钝化层109时可以适当减少膜厚，从而可以减少生产时间，降低生产成本。
[0040]本实施例提供的显示基板衬底基板，所述衬底基板上设置有至少两层折射层，在所述折射层上设置有栅极，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层的厚度为ηλ+λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数。本实施例在形成栅极金属之前，首先在衬底基板上形成至少两层折射层，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层具有特定厚度以形成矢量相反的反射光，上述反射光相互叠加，从而产生光抵消作用。本实施例提供的技术方案根据半波损失理论，利用多层折射层的消光作用以及不同折射层具有的不同折射率产生的全反射，最大程度的减弱了栅