专利名称：一种陶瓷原料粉体的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种陶瓷原料粉体，尤其是一种陶瓷原料粉体的制造方法。
背景技术：
本发明是一种陶瓷原料粉体，是在钛酸钡构成之主成分粒子之表面上，具有由副成分添加物所构成之覆膜层之陶瓷原料粉体，其特征在于前述主成分粒子之平均半径为r，前述覆膜层之平均厚度为？？ r时，将前述，控制在0.015r以上，0.055r以下之范围内。藉由此发明，可以提供可得到同时满足EIAJ规格所规定之X7R特性以及JIS规格所规定之B特性之静电容量之温度安定性良好，且绝缘电阻值、比介电率特性为良好，且绝缘电阻之加速寿命长之陶瓷电容器等之电子元件之陶瓷原料粉体。
发明内容
本发明是一种陶瓷原料粉体，是在钛酸钡构成之主成分粒子之表面上，具有由副成分添加物所构成之覆膜层之陶瓷原料粉体，其特征在于前述主成分粒子之平均半径为r，前述覆膜层之平均厚度为？？ r时，将前述，控制在0.015r以上，0.055r以下之范围内。藉由此发明，可以提供可得到同时满足EIAJ规格所规定之X7R特性以及JIS规格所规定之B特性之静电容量之温度安定性良好，且绝缘电阻值、比介电率特性为良好，且绝缘电阻之加速寿命长之陶瓷电容器等之电子元件之陶瓷原料粉体。
具体实施例方式一种介电体陶瓷器组合物，陶瓷原料粉体而制造，具有主相，主要作为由主成分所构成；及偏析相，与该主相之组合以及结晶构造相异，合有副成分以氧化物换算为10%以上之区域，其中，观察前述介电体陶瓷器组合物之断面时，前述偏析相之面积比率，系在观察视野面积之8%以下，一种电子元件，具有介电体层，其中，前述介电体层系由申请专利范围第2项之介电体陶瓷器组合物来构成，一种层积陶瓷电容器，具有内部电极层与介电质层交互复数层积之元件本体，其中，前述介电体层，一种陶瓷原料粉体之制造方法，钛酸钡构成之主成分粒子之表面上，具有由副成分添加物所构成之覆膜层，其特征在于前述陶瓷原料粉体之制造方法具有准备粉末状之主成分粒子与溶液状之副成分添加物之混合溶液之制程；以及将前述混合溶液热处理之制程；其中前述副成分添加物含有下列所组成之族群中的至少一种氧化镁、烧成后成为氧化镁之化合物、或氧化镁与烧成后成为氧化镁之化合物之组合，氧化锰、烧成后成为氧化锰之化合物、或氧化锰与烧成后成为氧化锰之化合物之组合，和氧化铬、烧成后成为氧化铬之化合物、或氧化铬与烧成后成为氧化铬之化合物之组合；及前述副成分添加物又含有下列所组成之族群中的一种R氧化物、烧成后成为R氧化物之化合物、及R氧化物与烧成后成为R氧化物之化合物之组合，其中前述R为Sc、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Dy、Ho、Tb、Gd以及Eu之至少一种；前述主成分粒子之平均半径为r、前述覆膜层之平均厚度为？？ r时，前述r在0.005 0.5 m的范围内；以及使前述热处理之处理温度与处理时间变化，相对于前述主成分粒子之平均半径r，将前述覆膜层之平均厚度，控制在0. 015r以上0. 055r以 下的范围内。
权利要求
1.一种陶瓷原料粉体，在钛酸钡构成之主成分粒子之表面上，具有由副成分添加物所构成之覆膜层，其特征在于前述副成分添加物含有下列所组成之族群中的至少一种氧化镁、烧成后成为氧化镁之化合物、或氧化镁与烧成后成为氧化镁之化合物之组合，氧化锰、烧成后成为氧化锰之化合物、或氧化锰与烧成后成为氧化锰之化合物之组合，及氧化铬、烧成后成为氧化铬之化合物、或氧化铬与烧成后成为氧化铬之化合物之组合；以及前述副成分添加物又含有下列所组成之族群中的一种R氧化物、烧成后成为R氧化物之化合物、及R氧化物与烧成后成为R氧化物之化合物之组合，其中前述R为Sc、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Dy、Ho、Tb、Gd以及Eu之至少一种；其中前述主成分粒子之平均半径为0. 015r、前述覆膜层之平均厚度为0. 015r时，前述r在0. 005 0. 5m的范围内，将前控制在0. 015r以上，-0. 055r以下之范围内。
全文摘要
本发明是一种陶瓷原料粉体，是在钛酸钡构成之主成分粒子之表面上，具有由副成分添加物所构成之覆膜层之陶瓷原料粉体，其特征在于前述主成分粒子之平均半径为0.015r，前述覆膜层之平均厚度为0.015r时，将前述，控制在0.015r以上，0.055r以下之范围内。藉由此发明，可以提供可得到同时满足EIAJ规格所规定之X7R特性以及JIS规格所规定之B特性之静电容量之温度安定性良好，且绝缘电阻值、比介电率特性为良好，且绝缘电阻之加速寿命长之陶瓷电容器等之电子元件之陶瓷原料粉体。
文档编号C04B35/468GK102731088SQ20111008555
公开日2012年10月17日 申请日期2011年4月7日 优先权日2011年4月7日
发明者徐孝华 申请人:徐孝华