基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
[0003]主动矩阵式液晶显不器(ActiveMatrix Liquid Crystal Display，AMLCD)是目前最常用的显示装置，所述主动矩阵式液晶显示器包含多个像素，每个像素电性连接一个薄膜晶体管(TFT)，薄膜晶体管的栅极(Gate)连接至水平扫描线，漏极(Drain)连接至垂直方向的数据线，源极(Source)则连接至像素电极。在水平扫描线上施加足够的电压，会使得电性连接至该条水平扫描线上的所有TFT打开，从而数据线上的信号电压能够写入像素，控制不同液晶的透光度进而达到控制色彩与亮度的效果。阵列基板行驱动(GateDriver on Array，GOA)技术是利用现有的薄膜晶体管液晶显示器的阵列(Array)制程将栅极行扫描驱动电路制作在TFT阵列基板上，实现对栅极逐行扫描的驱动方式。GOA技术能减少外接集成电路板(Integrated Circuit，IC)的焊接(bonding)工序，有机会提升产能并降低产品成本，而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框或无边框的显示产品。
[0004]铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)，是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迀移率是非晶硅的20?30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。
[0005]随着IGZO等氧化物半导体薄膜晶体管的发展，基于氧化物半导体薄膜晶体管的面板周边集成电路也成为关注的焦点。虽然氧化物半导体薄膜晶体管具有较高的载流子迀移率，但是其阈值电压值在OV左右，而且亚阈值区域的摆幅较小，而GOA电路在关态时很多TFT元件的栅极与源极之间的电压Vgs通常为0V，这样就会增加基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路的设计难度，一些适用于非晶硅半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路应用到基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路时就会存在一些功能性问题。另外，在某些外在因素的诱导和应力作用下，氧化物半导体薄膜晶体管有时候也会产生阈值电压往负值减小的趋势，这样将会直接导致基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路无法工作，例如，在高温下，氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压会往负值移动，这样会导致GOA电路失效；同样，在一些光照的电应力作用下，氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压会往负值移动。因此，设计基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路必须要考虑TFT阈值电压漂移的影响。
[0006]如图1所示，一种现有可行的针对上述问题的基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路，包括级联的多个GOA单元电路，每一级GOA单元电路均包括:上拉控制模块100、上拉模块200、下传模块300、第一下拉模块400、自举电容模块500、及下拉维持模块600。但该现有的基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路仍存在一定的问题:下拉维持模块600是利用第一节点Q(N)讯号来控制其下拉关闭的能力，在元件阈值电压偏正的情况时，下拉维持模块600受第一节点Q(N)电位控制的能力减弱，无法正常有效地关闭，从而导致作用期间第一节点Q(N)无法正常抬升到高电位，进而引发整个GOA电路的功能性不良。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路，能够防止因为阈值电压偏正时导致的下拉维持模块无法正常关闭，保证GOA电路的正常输出。
[0008]为实现上述目的，本发明提供一种基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，包括级联的多个GOA单元电路，每一级GOA单元电路均包括:上拉控制模块、上拉模块、下传模块、第一下拉模块、自举电容模块、及下拉维持模块；
[0009]设N为正整数，除第一级GOA单元电路以外，在第N级GOA单元电路中:
[0010]所述上拉控制模块包括:第十一薄膜晶体管，所述第十一薄膜晶体管的栅极接收上一级第N-1级GOA单元电路的级传信号，源极电性连接于恒压高电位，漏极电性连接于第一节点；
[0011]所述上拉模块包括:第二十一薄膜晶体管，所述第二十一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第m条时钟信号，漏极输出扫描驱动信号；
[0012]所述下传模块包括:第二十二薄膜晶体管，所述第二十二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第m条时钟信号，漏极输出级传信号；
[0013]所述第一下拉模块包括:第四十薄膜晶体管，所述第四十薄膜晶体管的栅极与源极均电性连接于第一节点，漏极电性连接于第四十一薄膜晶体管的漏极；第四十一薄膜晶体管，所述第四十一薄膜晶体管的栅极电性连接于第m+2条时钟信号，源极输入扫描驱动信号;
[0014]所述自举电容模块包括:电容，所述电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于扫描驱动信号；
[0015]所述下拉维持模块至少包括:第五十一薄膜晶体管，所述第五十一薄膜晶体管的栅极与源极均电性连接于恒压高电位，漏极电性连接于第四节点；第五十二薄膜晶体管，所述第五十二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第四节点，源极电性连接于第一负电位；第五十三薄膜晶体管，所述第五十三薄膜晶体管的栅极电性连接于第四节点，源极电性连接于恒压高电位，漏极电性连接于第二节点；第五十四薄膜晶体管，所述第五十四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第五节点；第七十三薄膜晶体管)，所述第七十三薄膜晶体管的栅极电性连接于第四节点，源极电性连接于恒压高电位，漏极电性连接于第五节点；第七十四薄膜晶体管，所述第七十四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于恒压低电位，漏极电性连接于第五节点；第五十五薄膜晶体管，所述第五十五薄膜晶体管的栅极接入上一级第N-1级GOA单元电路的级传信号或上一级第N-1级GOA单元电路的扫描驱动信号，源极电性连接于第四节点，漏极电性连接于第一负电位；第四十二薄膜晶体管，所述第四十二薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第三节点；第三十二薄膜晶体管，所述第三十二薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，源极电性连接于扫描驱动信号，漏极电性连接于第一负电位；第七十五薄膜晶体管，所述第七十五薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于恒压高电位；第七十六薄膜晶体管，所述第七十六薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于恒压低电位；
[0016]所述恒压低电位低于第一负电位；
[0017]所述每一级GOA单元电路中的所有薄膜晶体管均为氧化物半导体薄膜晶体管。
[0018]所述下拉维持模块还包括:第五十六薄膜晶体管，所述第五十六薄膜晶体管的栅极接入上一级第N-1级GOA单元电路的级传信号)或上一级第N-1级GOA单元电路的扫描驱动信号，源极电性连接于第五节点，漏极电性连接于恒压低电位。
[0019]所述下拉维持模块还包括:第五十六薄膜晶体管，所述第五十六薄膜晶体管的栅极接入上一级第N-1级GOA单元电路的级传信号或上一级第N-1级GOA单元电路的扫描驱动信号，源极电性连接于第五节点，漏极电性连接于恒压低电位；第五十七薄膜晶体管，所述第五十七薄膜晶体管的栅极接入上一级第N-1级GOA单元电路的级传信号或上一级第N-1级GOA单元电路的扫描驱动信号，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第五节点。
[0020]在所述的基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路的第一级GOA单元电路中，所述第十一薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号，所述第五十五薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号。
[0021]在所述的基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路的第一级GOA单元电路中，所述第十一薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号，所述第五十五薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号，所述第五十六薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号。
[0022]在所述的基于氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路的第一级GOA单元电路中，所述第十一薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号，所述第五十五薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号，所述第五十六薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号，所述第五十七薄膜晶体管的栅极接入扫描启动信号。
[0023]所述下拉维持电路中，第五十一薄膜晶体管、第五十二薄膜晶体管、第五十三薄膜晶体管、第五十四薄膜晶体管、第七十