度为a，第二轻掺杂区354的长度为b，a>b，其中，b>0或者b = O (即不设置第二轻掺杂区354)。
[0033]现有技术中的普通的晶体管a = b且b>0，在本发明中，当第η-1条扫描线(Gn-1)输入高电位时，第三晶体管30处于开态，如果a>b且b = 0，那么第三晶体管30具有较高的开态电流，且b = O时，即不设置第二轻掺杂区354，其可大大减小此颗晶体管长度或宽度，从而有利于显示器的窄边框设计。而第三晶体管30处于关态时，第六通路端33为低电位，第五通路端32作为第三晶体管30的漏极，第六通路端33始终作为第三晶体管30的源极，第三晶体管30具有较低的关态电流，即使第六通路端33 —侧设有第二轻掺杂区354 (b>0)，第三晶体管30仍然保持较低的状态电流，而在a>b，同时b>0的情况下，第三晶体管30的开态电流会较普通的晶体管抬高，a>b，相较普通的晶体管同样有利于减小此颗晶体管长度或宽度。
[0034]进一步地，如图2所示，本发明的第三晶体管30还包括金属层37和第二绝缘层38，衬底34层叠于金属层37上，其可作为第三晶体管30，第二绝缘层38层叠于第一绝缘层36上并覆盖第一控制端11。第五通路端32和第六通路端33设于第二绝缘层38上并穿过第二绝缘层38分别向第一重掺杂区351、第二重掺杂区352延伸且连接。本发明的第三控制端31与第二轻掺杂区354在垂直方向上的投影部分重叠，第三控制端31与第一轻掺杂区353的垂直方向上的投影平齐。其中，衬底34、第一绝缘层36、第二绝缘层38由S1x、SiNx材料中的一种或两种制成。半导体层35由非晶Si或者多晶Si材料制成。金属层37由钼等遮光材料制成。
[0035]请一并参阅图3，进一步地，移位寄存电路还包括第四晶体管60，本实施例的第四晶体管60包括第四控制端61、第七通路端62以及第八通路端63，第四控制端61接收第η-1条扫描线(Gn-1)所对应的扫描项，第七通路端62连接至第三晶体管30的第六通路端33，第八通路端63接收第二电压信号(LGL)。
[0036]本发明的第一电压信号(VGH)为高电平，第二电压信号(LGL)为低电平。第一晶体管10、第二晶体管20和第三晶体管30分别为η型晶体管。
[0037]本发明还提供了一种显示装置，其包括上述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路。
[0038]本发明的显示装置及其应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路中的第三晶体管30中的第三控制端31连接至第一节点S，第五通路端32接收时钟信号(CK)，而其第六通路端33作为移位寄存电路的输出端以输出第η条扫描线(Gn)所对应的扫描信号，且其第一轻掺杂区353的长度大于第二轻掺杂区354，以使得处于关态的第三晶体管30可降低的漏电，同时提高第三晶体管30的开态电流。
[0039]需要指出的是，在本发明实施例中如果提到“第一”、“第二”、“第N”、“上”、“下”、
“左”、“右”等用语，其仅是根据需要采用的文字符号，在实务中并不限于此，并且该文字符号可以互换使用。
[0040]以上仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，用于为对应的第η条扫描线提供对应的扫描信号，其特征在于，所述移位寄存电路包括: 第一晶体管，包括第一控制端、第一通路端以及第二通路端，其中，所述第一控制端接收第η-1条扫描线所对应的扫描信号，所述第一通路端接收第一电压信号； 第二晶体管，包括第二控制端、第三通路端以及第四通路端，其中，所述第二晶体管的第二控制端接收所述第η-1条扫描线所对应的扫描信号，所述第二晶体管的第三通路端连接至所述第一晶体管的第二通路端，且其连接处定义为第一节点，所述第二晶体管的第四通路端接收第二电压信号； 第三晶体管，包括第三控制端、第五通路端以及第六通路端，所述第三晶体管的第三控制端连接至所述第一节点，所述第三晶体管的第五通路端接收时钟信号，而其第六通路端作为所述移位寄存电路的输出端以输出所述第η条扫描线所对应的扫描信号； 电容，连接在所述第一节点与所述第六通路端之间；其中， 所述第三晶体管还包括依次层叠的衬底、半导体层，第一绝缘层，所述半导体层依次设有第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区以及第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和第二轻掺杂区设于所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区之间，所述第三控制端设于所述第一绝缘层上并位于所述第一轻掺杂区与所述第二轻掺杂区之间，第五通路端和第六通路端分别设在所述第三控制端的两侧并穿过所述第一绝缘层而分别与所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区连接，其中，所述第一轻掺杂区的长度大于所述第二轻掺杂区。2.根据权利要求1所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，其特征在于，所述第三晶体管还包括: 金属层，所述衬底层叠于所述金属层上； 第二绝缘层，所述第二绝缘层层叠于所述第一绝缘层上并覆盖所述第一控制端。3.根据权利要求2所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，其特征在于，所述第五通路端和所述第六通路端设于所述第二绝缘层上并穿过所述第二绝缘层分别向所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区延伸且连接。4.根据权利要求3所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，其特征在于，所述第三控制端与所述第二轻掺杂区在垂直方向上的投影部分重叠，所述第三控制端与所述第一轻掺杂区的垂直方向上的投影平齐。5.根据权利要求1所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，其特征在于，所述移位寄存电路还包括: 第四晶体管，所述第四晶体管包括第四控制端、第七通路端以及第八通路端，所述第四控制端接收所述第η-1条扫描线所对应的扫描项，所述第七通路端连接至所述第三晶体管的第六通路端，所述第八通路端接收所述第二电压信号。6.根据权利要求1所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，其特征在于，所述第一电压信号为高电平，所述第二电压信号为低电平。7.根据权利要求2所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，其特征在于，所述衬底、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层由S1dP /或SiNx材料制成。8.根据权利要求2所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，其特征在于，所述半导体层由非晶Si或者多晶Si材料制成。9.根据权利要求1所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管分别为η型晶体管。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-9任意一项所述的应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路。
【专利摘要】本发明提供一种显示装置及其应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路，移位寄存电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及电容，第一晶体管接收第n-1条扫描线的扫描信号与第一电压信号，第二晶体管第n-1条扫描线的扫描信号与第二电压信号并与第一晶体管连接，第三晶体管中的第三控制端连接至第一晶体管，第五通路端接收时钟信号，而其第六通路端作为移位寄存电路的输出端以输出第n条扫描线所对应的扫描信号，其中，第三晶体管的第一轻掺杂区的长度大于第二轻掺杂区，以使得处于关态的第三晶体管可降低漏电，同时提高第三晶体管的开态电流。
【IPC分类】G11C19/28, G09G3/20
【公开号】CN105206216
【申请号】CN201510700000
【发明人】曹尚操, 龚强
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年10月23日