专利名称：基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及对半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子体显示用玻璃基板、光盘用基板的各种基板(以下简称为“基板”)进行各种表面处理(显像处理、蚀刻处理、清洗处理、冲洗处理、干燥处理等)的基板处理装置。
在如上所述地构成的基板处理装置中，在盒11内容纳的基板W通过分度器自动机14搬出后，再交付给主运送自动机22。然后，接受未处理的基板W的主运送自动机22移动直到处理单元231～233，241～243之中的任一处理单元之前，把基板搬入该处理单元。对处理后的基板W，通过主运送自动机22从该处理单元搬出，运送直到下一处理单元。
重复这样的动作，对基板W进行一系列处理后，主运送自动机22支持基板W原样地在主运送路21上移动，把该基板W交付给分度器自动机14。分度器自动机14收装在原来收容交付的基板W的盒11内。根据这样的构成，因为主运送自动机22可以在处理单元231～233，241～243上按照任意顺序接近，所以可以任意设定对基板W应进行的处理顺序。
可是，近年来急速发展半导体器件的微细化，伴随该微细化，在基板处理方面产生了新的问题。例如把基板W上涂布的抗蚀剂作成图形，形成微细图形时，顺序进行显像处理、冲洗处理以及干燥处理。在这里，对基板上涂布的抗蚀剂显像，除去不要的抗蚀剂的显像处理时使用碱性水溶液等显像液，为了用冲洗处理除去显像处理后的显像液，使用纯水等冲洗液，在干燥处理时，通过使基板W旋转使离心力作用在基板W上残存的冲洗液上，从基板W除去冲洗液、进行干燥(旋转干燥)。这时在干燥中，随着干燥的进展，冲洗液与气体之间的界面在基板上显现，一旦在半导体器件的微细图形的间隙上出现该界面，则通过冲洗液的表面张力，微细图形彼此之间相互拉近，出现倒塌问题。
讨论对该问题的若干个解决方案，作为其一，例如特开平8-250464号公报提出用超临界液体的装置，上述处理单元231～233，241～243的全部或一部分由该公报记载的装置(以下称为“提案装置”)构成。该提案装置是在该容器内对运送到容器内的基板W连续进行使用液状的化学药品的湿式表面处理和超临界干燥，如下所示地在同一装置内进行连续处理。
首先，通过主运送自动机22把基板W搬入容器内。然后，在容器内供给显像液，进行显像处理后，按顺序进行用纯水的冲洗处理、用乙醇置换液的置换处理的湿式处理。其后，导入液体二氧化碳置换乙醇，使通过液体二氧化碳置换后的温度上升，使二氧化碳形成超临界状态，其后通过减压，进行超临界干燥。这样，通过超临界干燥，防止微细图形倒塌。
但是，在由提案装置构成处理单元的一部分或全部时，产生如下所示的问题。首先，用超临界流体的处理单元，与现有多用的处理单元，即在常压下进行表面处理的处理单元比较，有更多的制约。首先就是作为容器必须用压力容器，不能导入为了表面处理而使用的强酸或强碱的腐蚀性药剂，大幅度限制了药剂的选择范围。其理由是压力容器从耐压性这一点出发，主要用金属材料构成，强酸、强碱会腐蚀压力容器的接触面。这里，当然考虑在压力容器内面用氟树脂等进行耐蚀涂覆，然而在高压下长时间继续发挥其功能，事实上是困难的。此外，即使在压力容器内面进行了耐蚀涂覆，而在细配管或接头(接缝)、高压阀等部件的所有内面进行耐腐涂覆也是极其困难的。
为了解决这个问题，区分从耐蚀性方面来说成为问题的湿式表面处理和用超临界流体进行表面处理，考虑前者用现有的处理单元进行，而后者用提案装置构成的处理单元构成，不过在采用这样构成的情况下会发生如下所示的别的问题。
首先，构成图9的基板处理装置的处理单元的一部分用提案装置构成的同时，从耐蚀性方面来说成为问题的湿式表面处理用现有的处理单元进行时，进行湿式表面处理的处理单元(以下称为「湿式处理单元」)和由提案装置构成的处理单元(以下称为「高压处理单元」)共同面对主运送路21配置，有必要通过主运送自动机22从湿式处理单元把基板W运送到高压处理单元。这样一来，通过湿式单元进行湿式表面处理后的基板W被冲洗液或置换液的处理液浸湿，该基板W直接接触主运送自动机22。然后，其晶片运送期间，处理液浸湿主运送自动机22的基板支持部(省略图示)。其结果，在该浸湿的基板支持部支持其它干燥后的基板时，会发生所谓再浸湿该基板、引起产品成品率低下的问题。
考虑在湿式处理单元和高压处理单元之间配置专用的运送自动机，不过由于两处理单元均面向主运送路21配置，专用运送自动机也不得不接近主运送路配置，在通过该专用运送自动机从湿式处理单元运送基板W到高压处理单元期间，在基板W上附着的处理液等飞散到主运送路21两侧，处理液的一部分蒸发，泄漏到主运送路21侧，浸湿、污染主运送自动机22，同样导致产品成品率低下。
本发明的基板处理装置，为了达到上述目的，具有面向主运送路配置的、通过把处理液提供给基板，对该基板进行预定的湿式表面处理的湿式处理单元；在前述主运送路上配置的、将基板搬入或搬出前述湿式处理单元的主运送机构；与前述主运送路隔开、夹持前述湿式处理单元配置的、在通过前述湿式处理单元进行湿式表面处理的基板表面上以高压流体或高压流体与药剂的混合物作为处理流体进行接触，对该基板的表面进行表面处理的高压处理单元；以及在前述湿式处理单元和前述高压处理单元之间配置的、从前述湿式处理单元把基板运送到前述高压处理单元的专用运送机构。
在这样构成的基板处理装置中，高压处理单元与主运送路隔开、夹持湿式处理单元配置的同时，在湿式处理单元和高压处理单元之间配置专用运送机构。因此，专用运送机构夹持湿式处理机构，与主运送路隔开，在把接受湿式表面处理的基板从湿式处理单元运送到高压处理单元期间，基板上附着的液体(处理液等)飞散到主运送路一侧，或其液体的一部分蒸发泄漏到主运送路侧，直到主运送路为止要经过湿式处理单元，防止了主运送机构的浸湿或污染。
在上述发明中，因为通过专用运送机构从湿式处理单元把基板运送到高压处理单元，所以不必要考虑主运送机构的停机时间，使时间管理作业简易化。
在这里，如果主运送路、湿式处理单元、专用运送机构以及高压处理机构按此顺序直线状配置，则湿式处理单元位于从专用运送机构到主运送路的最短路程上，可以有效地防止由湿式处理单元引起的、对主运送机构的污染，是合适的。
如果在从湿式处理单元运送基板到高压处理单元期间，进行基板干燥，在基板上显现处理液和气体之间的界面，则产生与旋转干燥时同样的问题。即，如果在基板运送中基板上形成的微细图形的间隙上显现其界面，则通过冲洗液的表面张力，微细图形彼此之间往往相互拉近、倒塌。因此，为了消除这样的问题，希望在保持基板浸湿状态的原样，通过专用运送机构把基板从湿式处理单元运送到高压处理机构。例如希望保持处理液在基板上盛满状态的原样，专用机构把基板运送到高压处理单元，或保持加入保湿用液的运送用容器内收容基板状态的原样，专用运送机构把基板运送到高压处理单元。
在本发明，作为使用的高压流体，从安全性、价格、容易形成超临界状态的方面来看，优选二氧化碳。二氧化碳以外，也可以使用水、氨、亚氧化氮、乙醇等。用高压流体是因为扩散系数高、溶解的污染物质可以在介质内分散，在形成更高压的超临界流体时具有气体和液体的中间性质，能更加浸透到微细图形部分中去。此外，高压流体的密度与液体相近，与气体相比，可以包含极大量的添加剂(药剂)。
在这里，本发明的高压流体指的是压力在1Mpa以上的流体。优选使用的高压流体是确认具有高密度、高溶解性、低粘度、高扩散性性质的流体，此外，更优选是超临界状态或亚临界状态的流体。以二氧化碳作为超临界流体时取31℃、7.1Pa以上即可。清洗及清洗后的冲洗工序或干燥·显像工序等优选用5～30MPa的亚临界(高压流体)或超临界流体，在7.1～20MPa下进行这些处理更好。在后面的“发明的实施方式”中作为通过高压流体的表面处理进行湿式显像处理后的干燥处理的情况予以说明，然而表面处理并不只限于干燥处理。
如上所述，根据本发明，使高压处理单元与主运送路隔开，夹持湿式处理单元配置的同时，因为专用运送机构配置在湿式处理单元和高压处理单元之间，所以通过专用运送机构运送基板时，在基板上附着的液体(处理液等)在主运送路侧飞散，该液体的一部分蒸发、漏到主运送路一侧的，可通过湿式处理单元阻止，可以有效地防止主运送机构的污染。不考虑主运送机构的空置(停机)时间，通过专用运送机构可以适宜地把基板从湿式处理单元运送到高压处理单元，可以使时间管理作业简易化。
图2是从
图1的A-A线箭头方向看的视图。
图3是图1的基板处理装置的高压处理单元概略构成的方框图。
图4是本发明的基板处理装置的另一实施方式的图。
图5是本发明的基板处理装置的另一实施方式的图。
图6是本发明的基板处理装置的另一实施方式的图。
图7是从显像处理单元到高压处理单元的基板运送形态一例的图。
图8是本发明的基板处理装置的其它实施方式的图。
图9是现有的基板处理装置的图。
符号说明21主运送路，22主运送自动机(主运送机构)，26高压处理单元，27专用运送自动机(专用运送机构)，231，232，233，234，243显像处理单元(湿式处理单元)，W基板。
处理模块2与图9的现有装置同样地包含可沿着与Y方向垂直的X方向在长的主运送路21上移动的主运送自动机22和在主运送路21的两侧上配置的单元列23，24。单元列23，24分别由面向主运送路21配置的处理模块231～233，241～243构成。在该实施方式，处理单元231、232、243由进行显像处理的显像处理单元构成，剩余的处理单元233，241，242由在基板W表面涂覆抗蚀剂的抗蚀剂涂覆处理单元构成。
如图2所示，在主运送路21及单元列23，24上方位置上配置用于对基板进行加热处理或冷却处理的单元群。
与显像处理单元231，232，243分别对应，设置高压处理单元26及专用运送自动机27。即，夹持显像处理单元231，在与主运送路21的相反侧上配置高压处理单元26的同时，在显像处理单元231和高压处理单元26之间配置在两处理单元231、26之间进行基板W运送的专用运送自动机27。这样，在本实施方式，主运送路21、显像处理单元231，专用运送自动机27及高压处理单元26按此顺序呈直线状配置。即使对剩余的显像处理单元232，243也与显像处理单元231同样地邻接高压处理单元26及专用运送自动机27配置。
图3是示出图1的基板处理装置的高压处理单元的概略构成的方框图。该高压处理单元26是向压力容器261内部形成的处理室中从乙醇供给部260经高压阀V5以乙醇作为置换液导入，在该处理室对支持的基板W进行乙醇置换的同时，以超临界二氧化碳(高压流体)作为处理液导入，对该乙醇置换的基板W进行预定干燥处理的处理单元。
如果在该高压处理单元26反复循环使用超临界二氧化碳，并且通过处理室向大气压开放等，系统内的二氧化碳减少了，则从气瓶262补给液化二氧化碳。该气瓶262与由冷凝器等构成的液化部263连接，经该液化部236向系统内部补给。液化部263，如后述所示，对循环使用的系统内的二氧化碳冷凝、液化。
在该液化部263的输出侧上连接加压泵等的升压器264，该升压器264对液化二氧化碳加压，得到高压液化二氧化碳的同时，经加热器265及高压阀V1把高压液化二氧化碳压送到压力容器261内。
这样，压送的高压液化二氧化碳通过加热器265加热，加热到适合于表面处理(干燥处理)的温度，形成超临界二氧化碳，经高压阀V1送入压力容器261。
在该压力容器261的内部，即在处理室中，设置支持基板的基板支持部(省略图示)，打开在压力容器261侧面上设置的插板阀(省略图示)，通过专用运送自动机27，借助插板阀取未处理的基板1片搬入基板支持部后，关闭插板阀，如后述所示进行表面处理，在表面处理后打开插板阀，可以通过专用运送自动机27搬出处理过的基板W。这样，在本实施方式中，各支持1片基板W，进行预定的表面处理形成所谓单片方式的高压处理单元26。
在该压力容器261中，移送的处理液流体向着通过基板支持部支持的基板W表面提供。其结果，接触处理流体，执行对该基板W表面的表面处理。
在压力容器261上设置排气孔(省略图示)、伴随处理室内的处理流体或表面处理发生的污染物质等可能排气到压力容器261之外。在该排气孔上经高压阀V2连接由减压器等构成的气化部268，通过减压处理经排气孔使得从处理室排气的流体完全气化、送入分离回收部269。在该分离回收部269，以二氧化碳作为气体成分，以药液成分作为液体成分，进行气液分离。作为分离回收部269可以使用单蒸馏、蒸馏(精馏)、急骤分离等能进行气液分离的种种装置或离心分离机等。
这样，在本实施方式，用气化部268，使从处理室排气的流体送回分离回收部269前预先完全气化，其理由是由于减压的二氧化碳等的流体通过温度关系考虑形成气体状流体(二氧化碳)和液体状流体(液化二氧化碳)的混合物的情况下，在分离回收部269的分离效率及二氧化碳的再循环效率上升。
由分离回收部269分离的药液成分形成的液体(或固体)成分从分离回收部269排出，根据需要，进行后处理。一方面，将作为气体成分的二氧化碳，送入液化部263，提供再利用。在本实施方式，形成再利用二氧化碳的构成，作为一次性使用时也可以通过分离回收部269排出。
其次，说明如上所示构成的基板处理装置。在盒11内收容的基板W通过分度器自动机14搬出后，接着交付给主运送自动机22。接受该基板W的主运送自动机22移送直到构成接口3或处理单元231～233，241～243及单元群25的处理单元中任一处理单元之前，搬入基板W。处理后的基板W通过主搬运自动机22搬出，运送直到下一处理单元或接口3为止。这里，如果着眼于1片基板W运送顺序，则主运送自动机22例如按下述顺序进行基板运送。
(1)抗蚀剂涂布处理单元抗蚀剂涂布处理，(2)单元群25中的加热处理单元烘烤处理，(3)单元群25中的冷却处理单元冷却处理，(4)接口3向曝光处理单元交付基板，(5)单元群25中的加热处理单元烘烤处理，(6)单元群25中的冷却处理单元冷却处理，(7)显像处理单元显像处理，(8)单元群25中的加热处理单元后期烘烤，(9)单元群25中的冷却处理单元冷却处理，在这里，是示出过程一例，也有通过其它的过程进行基板运送及处理的情况。
可是，如果通过主送运自动机22把基板运送到显像处理单元231，232，243，则与现有装置同样，把显像液提供给基板W表面，开始显像处理。这样，在本实施方式，显像处理单元相当于本发明的“湿式处理单元”。在本实施方式，与本发明的“专用运送机构”相当的专用运送自动机27与主运送自动机22的动作完全没有关联，从显像处理单元取出通过合适的计时，显像处理及继续进行的冲洗处理结束的基板W，保持在基板W上盛满处理液(主要是冲洗液)状态的原样，运送到与该显像处理单元对应的高压处理单元26。
然后，在接受该基板W的高压处理单元26，是按照控制部的存储器(省略图示)预先储存的程序，控制部对装置部进行控制，作为高压处理进行干燥工序的装置。其动作如以下所示。
首先打开在压力容器261的侧面上设置的插板阀。然后，如果通过专用运送自动机27，经插板阀，搬入1片未处理的基板W，在基板支持部上载置，则通过基板支持部支持基板W。这样一来，基板支持完了的同时，专用运送自动机27从处理室退避，关闭插板阀，进行高压处理。
由于通过基板支持部支持的基板W在显像处理单元接受用纯水冲洗处理，所以其基板表面处于纯水浸湿状态。因此，在本实施方式，在该基板W上作为置换液把来自乙醇供给部260的乙醇导入处理室内，用纯水置换乙醇。
然后，在其置换后，把超临界二氧化碳提供给压力容器261。即，通过升压器264对系统内的液化二氧化碳加压，形成高压液化二氧化碳、接着通过加热器265对该高压液化二氧化碳加热，形成超临界二氧化碳。
然后，超临界二氧化碳向着由基板支持部支持的基板W的表面喷出，与基板W表面接触，进行预定的干燥处理，在干燥工序中，关闭处理室下流的高压阀V2。或者调整打开程度，以便保持压力容器261内在预定的压力，也可以构成高压阀V2，以便完成调压阀功能。
通过该高压处理使基板W浸湿的处理液成分(主要为冲洗液)应扩散、溶解入处理室内的超临界二氧化碳内。
然后一旦经过预定时间、干燥处理结束，则将处理室内的流体排出。这可以通过打开高压阀V1、V2提供超临界二氧化碳而挤压排出，也可以关闭高压阀V1，打开高压阀V2而排出。
接着，关闭高压阀V1，减压，一旦处理室返回到大气压，打开在压力容器261侧面上设置的插板阀。然而，通过专用运送自动机27，经插板阀搬出处理过的基板W，一连串的处理(干燥处理)终止。
从高压处理单元26搬出的基板W不进行处理地通过显像处理单元231，232，234，交付给主运送自动机22。
如上所述，在本实施方式，针对显像处理单元231、232、243的任一单元，主运送路21、显像处理单元(231、232、243)，专用运送自动机27及高压处理单元26按此顺序呈直线状配置。然而，三个专用运送自动机27分别夹持显像处理单元231、232、243与主运送路21离开地配置。因此，把在该状态下通过处理液浸湿其表面的基板运送到高压处理单元26期间，基板W上附着的处理液飞散在主运送路21侧，其处理液的一部分蒸发，即使要泄漏在主运送路21侧，在直至到达主运送路21之前也会经过显像处理单元231，232，243。其结果，可以有效地防止污染设置在主运送路21上的主运送自动机22。
在上述实施方式，主运送路21，各显像处理单元231，232，243，专用运送自动机27及高压处理单元26按此顺序直线状配置，各显像处理单元231，232，243应位于从专用运送自动机27到主运送路21的最短路线上，可以有效地防止通过各显像处理单元231，232，243引起主运送自动机22的污染。
虽然如现有技术所示，考虑通过主运送自动机22在全部处理单元间运送基板时主运送自动机22的空置时间，有必要进行时间管理，然而，根据上述实施方式，由于通过专用运送自动机27从各显像处理单元231，232，243到对应的高压处理单元26的基板W的运送，关于显像处理无须考虑主运送自动机22的空置时间，对显像处理而言，可以用最佳的计时从显像处理单元231、232、243把基板W运送到高压处理单元26，可以使时间管理作业简易化。
本发明并不限于上述实施方式，只要不脱离其宗旨，进行上述以外的种种变更是可能的。例如，在上述实施方式，对于分度器运送路13和主运送路21形成T字型的基板处理装置适用本发明，然而，如图4或图5所示，在主运送路21外设置副运送路28，即使是分度器主运送路13，主运送路21及副运送路28形成大体ヒ字型的基板处理装置也适用本发明。
即，在该基板处理装置中，在主运送路21的Y方向侧上两个抗蚀剂涂布处理单元231，232和两个显像处理单元233，234面向主运送路21配置，构成单元列23的同时，在夹持主运送路21和副运送路28的区域上配置用于进行加热处理或冷却处理的单元群25。而且，在主运送路21上沿X方向移动的主运送路自动机22对单元列23的各处理单元231～234进行基板运送，另一方面，在副运送路28上沿X方向移动的副运送自动机29对构成单元群25的各处理单元进行基板运送。
而且，即使在这样构成的基板处理装置中，夹持各显像处理装置233、234，在主运送路21的对置侧配置高压处理单元26的同时，通过在各显像处理单元233，234和与其对应的高压处理单元26之间配置专用运送自动机27，可以获得与上述实施方式完全相同的效果。
在上述实施方式，作为本发明的“湿式处理单元”，本发明适用于具有显像处理单元的基板处理装置，然而，本发明的适用对象并不限于此，对设置用蚀刻液或清洗液等的处理液，进行蚀刻处理或清洗处理等的湿式表面处理的湿式处理单元和通过该处理单元接受湿式表面处理的基板、接触高压流体对该基板表面进行表面处理的高压处理单元的基板处理装置的全体也可以适用本发明，可以得到与上述实施方式同样的作用效果。
作为本发明的“湿式处理单元”包含显像处理单元、蚀刻处理单元、清洗处理单元、涂布处理单元等，然而并不是说要常时对通过所述湿式处理单元进行了湿式处理的基板通过高压处理单元进行表面处理，只要根据需要相对于湿式处理单元配置高压处理单元即可。例如，在图6所示的基板处理装置中，沿主运送路21设置多个湿式处理单元231、232及243，然而只与特定的湿式处理单元231、232对应设置高压处理单元26。对这样构成的基板处理装置，也可以适用本发明，可以获得与上述实施方式同样的作用效果。
以下说明本发明的应用。
第1，例如设置有在MEMS装置的湿式蚀刻处理后进行干燥处理的高压处理单元的基板处理装置。
第2，显像处理、例如将通过有机溶剂而显像处理结束的基板从显像处理单元取出，保持基板上盛满处理液状态的原样搬入到高压处理单元，按照顺序进行清洗工序、冲洗工序及干燥工序的装置。
考虑到在该清洗工序，为了也除去在基板上附着的抗蚀剂或蚀刻聚合物等高分子污染物质，在只用二氧化碳的高压流体构成的处理流体时清洗力不充分，添加药剂进行清洗处理。作为药剂优选用碱性化合物作为清洗成分。对抗蚀剂内多用的高分子物质加水分解有作用，可提高清洗效果。作为碱性化合物的具体例可以列举选自季铵氢氧化物，季铵氟化物，烷基胺、烷醇胺、羟胺(NH2OH)及氟化铵(NH4F)中的1种以上化合物。清洗成分优选相对高压流体含有0.05～8质量％。为了基板干燥，在用本发明的高压处理装置的图1所示的实施方式的情况下，根据应干燥的抗蚀剂性质，作为药剂也可以添加二甲苯、甲基异丁基甲酮、季铵化合物、氟系聚合物等。
上述碱性化合物等清洗成分对高压流体不相溶时，优选把该清洗成分溶解在二氧化碳内或形成均匀分散的辅助剂，得到的互溶剂作为第2药剂用。该互溶剂在清洗工序终止后的冲洗工序也起作用，以便不使污染物再附着。
作为互溶剂，如果清洗成分能与高压流体互溶化，则没有特别的限制，优选列举甲醇、乙醇、异丙醇等醇类或二甲基亚砜等的烷基亚砜。在清洗工序，也可以合适地选择互溶剂在高压流体的10～50质量％的范围。因此，高压处理单元，如图8所示，在压力容器261和高压阀V1之间配置混合器266。
在该混合器266上各自经高压阀V3及V4连接贮藏·提供适合基板W表面处理的药剂的两种药剂供给部，即第1药剂供给部267a及第2药剂供给部267b。因此，通过高压阀V3、V4的开闭控制，第1药剂供给部267a的第1药剂或第2药剂供给部267b的第2药剂只按照开闭控制的量分别提供给混合器266，对超临界二氧化碳调整药剂的混合量。这样，在本实施方式，作为处理流体有选择地调制“超临界二氧化碳”、“超临界二氧化碳+第1药剂”、“超临界二氧化碳+第2药剂”以及“超临界二氧化碳+第1药剂+第2药剂”，可供给压力容器261的处理室，根据表面处理内容，装置全体通过控制部(省略图示)适宜地开闭控制高压阀V3、V4选择处理流体种类的同时，构成为可以控制药剂浓度。
在该高压处理单元的清洗处理和冲洗处理如以下所示进行。
即，通过该清洗工序在基板上附着的污染物质溶解在处理室内的处理流体(超临界二氧化碳+第1药剂+第2药剂)中。这里，例如把第1药剂作为清洗成分，把第2药剂设定为互溶剂，则因为污染物质通过清洗成分(第1药剂)及互溶剂(第2药剂)的作用，溶解在超临界二氧化碳内，所以如果在处理室内只流通过超临界二氧化碳，则溶解的污染物质有可能析出，所以希望在清洗工序后，由超临界二氧化碳和互溶剂形成的第1冲洗用处理流体的第1冲洗工序和只由超临界二氧化碳形成的第2冲洗用处理流体的第2冲洗工序按此顺序进行。
因此，在本实施方式，如果从第1及第2药剂的供给开始，即从清洗工序开始经过预定时间，关闭高压阀V3，形成第1药剂供给部267a供给停止模式，来自第1药剂供给部267a的第1药剂(清洗成分)向混合器266的压送停止，在混合器266内，混合超临界二氧化碳和互溶剂，调制第1冲洗用处理流体，提供给处理室。与此同时，打开高压阀V2，由此第1冲洗用处理流体在处理室内流通，处理室内的清洗成分及污染物质逐渐减少，最终应当被第1冲洗用处理流体(超临界二氧化碳+互溶剂)充满。
这样一来，一旦第1冲洗工序结束，接着进行第2冲洗工序。在该第2冲洗工序，再关闭高压阀V4，形成第2药剂供给部267b停止供给模式，来自第2药剂供给部267b的第2药剂(互溶剂)向混合器266的压送停止，只有超临界二氧化碳作为第2冲洗用处理流体供给处理室。由此，第2冲洗用处理流体在处理室内流通，处理室应当被第2冲洗用处理流体(超临界二氧化碳)充满。
接着，关闭高压阀V1，减压，对基板W进行干燥处理。然后，一旦处理室恢复至大气压，则打开压力容器261侧面上设置的插板阀。而且通过专用运送自动机27，借助插板阀，搬出处理过的基板W，一连串的处理(清洗处理+第1冲洗处理+第2冲洗处理+干燥处理)结束。
在上述实施方式，两种药剂在超临界二氧化碳(高压流体)内混合，调制处理流体，药剂种类或数目等是任意的。不使用药剂进行表面处理时，则不要药剂供给部。
在上述实施方式，作为表面处理，进行清洗处理、第1冲洗处理、第2冲洗处理、干燥处理，然而，其处理内容并不限于此，通过湿式处理单元的湿式表面处理后继续进行在高压单元的表面处理也可以。
第3，清洗处理、例如将干蚀刻结束的基板从清洗单元取出，在被纯水或有机溶剂浸湿基板表面的状态下运送，在高压处理单元按此顺序进行清洗工序、冲洗工序及干燥工序的装置。
在上述实施方式，专用运送自动机27接受通过显像处理单元的显像处理和冲洗处理，保持由冲洗液浸湿基板W状态的原样，运送到高压处理单元26，然而，如图7所示，把基板W收容在运送用容器100内的同时，也可以在该运送用容器100内加入纯水或有机溶剂等的保湿用液101，使基板表面处于浸湿状态下进行基板运送。
权利要求
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有面向主运送路配置的、通过把处理液提供给基板，对该基板进行预定的湿式表面处理的湿式处理单元；在所述主运送路上配置的、将基板搬入或搬出所述湿式处理单元的主运送机构；与所述主运送路隔开，夹持所述湿式处理单元配置的、在通过所述湿式处理单元进行湿式表面处理的基板表面上，以高压流体或高压流体与药剂的混合物作为处理流体进行接触，对该基板表面进行表面处理的高压处理单元；以及在所述湿式处理单元和所述高压处理单元之间配置的、将基板从所述湿式处理单元运送到所述高压处理单元的专用运送机构。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述主运送路、所述湿式处理单元、所述专用运送机构及所述高压处理单元按此顺序呈直线状配置。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述高压处理单元作为所述表面处理的最终处理，进行使所述基板干燥的干燥处理。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述专用运送机构在保持基板浸湿的状态下，运送到所述高压处理单元。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述运送机构在保持基板上盛满处理液的状态下，运送到所述高压处理单元。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述专用运送机构在保持加入保湿用液的运送用容器内收装基板的状态下，运送到所述高压处理单元。
7.一种基板处理装置，其特征在于，具有面向主运送路配置的、通过把处理液提供给基板，对该基板进行预定的湿式表面处理的多个湿式处理单元；在所述主运送路上配置的，将基板搬入或搬出所述多个湿式处理单元的主运送机构；与所述主运送路隔开、夹持所述多个湿式处理单元之中特定的湿式处理单元配置的、在通过所述特定的湿式处理单元进行湿式表面处理的基板表面上，以高压流体或以高压流体与药剂的混合物作为处理流体进行接触，对该基板表面进行表面处理的高压处理单元；以及在所述特定的湿式处理单元和所述高压处理单元之间配置的、将基板只从所述特定的湿式处理单元运送到所述高压处理单元的专用运送机构。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述主运送路、所述特定的湿式处理单元、所述专用运送机构以及所述高压处理单元按此顺序呈直线状配置。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述高压处理单元作为所述表面处理的最终处理，进行将所述基板干燥的干燥处理。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述专用运送机构在保持基板浸湿的状态下，运送到所述高压处理单元。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述专用运送机构在保持基板上盛满处理液的状态下，运送到所述高压处理单元。
12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述专用运送机构在保持加入保湿用液的运送用容器内收装基板的状态下，运送到所述高压处理单元。
13.一种基板处理装置，其特征在于，具有面向主运送路配置的、通过把处理液提供给基板，对基板进行预定的湿式表面处理的多个湿式处理单元；在所述主运送路上配置的、将基板搬入或搬出多个所述湿式处理单元的主运送机构；与所述主运送路隔开，夹持所述湿式处理单元配置的、在通过所述湿式处理单元进行湿式表面处理的基板表面上，以高压流体或以高压流体与药剂的混合物作为处理流体进行接触，对该基板表面进行表面处理的多个高压处理单元；以及在所述湿式处理单元和所述高压处理单元之间配置的、把基板从所述湿式处理单元运送到所述高压处理单元的专用运送机构，将所述高压处理单元并列配置。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述主运送路、所述湿式处理单元、所述专用运送机构以及所述高压处理单元按此顺序呈直线状配置。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述高压处理单元作为所述表面处理的最终处理，进行将所述基板干燥的干燥处理。
16.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述专用运送机构在保持基板浸湿的状态下，运送到所述高压处理单元。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，所述专用运送机构在保持基板上盛满处理液的状态下，运送到所述高压处理单元。
18.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，所述专用运送机构在保持加入保湿用液的运送用容器内收装基板的状态下，运送到所述高压处理单元。
全文摘要
本发明涉及在个别地配置了向通过主运送机构运送的基板提供处理液进行湿式表面处理的湿式处理单元和向通过湿式处理单元进行湿式表面处理的基板表面通过处理流体进行表面处理的高压处理单元的基板处理装置中，防止将基板从湿式处理单元运送到前述高压处理单元期间处理液对主运送机构的浸湿和污染。对于显像处理单元的任一单元，主运送路，显像处理单元，专用运送自动机及高压处理单元按此顺序在Y方向呈直线状配置。在将被处理液浸湿的基板运送到高压处理单元期间，即使基板上附着的处理液或其蒸发物移动到主运送路侧，直到主运送路为止要经过显像处理单元。
文档编号G03F7/40GK1400635SQ0212700
公开日2003年3月5日 申请日期2002年7月25日 优先权日2001年7月27日
发明者岩田智巳, 村冈祐介, 齐藤公续, 沟端一国雄, 三宅孝志, 北门龙治 申请人:大日本网目版制造株式会社