像素阵列的制作方法_3

文档序号:9523245阅读:来源:国知局
着扫描线SLl的延伸方向所相邻的像素结构的八个配向区域可呈镜像对称。
[0065]因此,在符合上述条件(即:主像素电极M2的四个配向区域M1-Miv的配向方向彼此不相同、次像素电极S2的四个配向区域S1' S ?的配向方向彼此不相同、配向定义区AD2内的四个配向区域(例如是=MmMyS1ZiS1^M1ZlVSmZiSiv)具有两种不同配向方向以垂直分布方式配置以及主像素电极M2的任一个配向区域吣?Miv的配向方向会与邻接的次像素电极S2的配向区域S1' S IV的配向方向不相同)为前提下,本发明不限定主像素电极M2的四个配向区域Mdv的配向方向以及次像素电极S2的四个配向区域S:?Siv的配向方向,其可依需求进行调整,且配向方向的调整方法与图1A的实施例的调整方法相同或相似,故不再赘述。
[0066]基于上述,本实施例的像素阵列20藉由在配向定义区AD2具有两种配向方向的四个配向区域以及让数据线DLl?DL3横跨像素结构200的主像素电极M2以及次像素电极S2的中央,使主像素电极M2的四个配向区域W?MIV的配向方向彼此不相同以及使次像素电极S2的四个配向区域S1-Siv的配向方向彼此不相同,可减少在像素结构200中不同配向区域间的交界处产生的液晶分子排列不良的现象并提高液晶分子排列的稳定性,进而避免因显示面板弯曲而在单一像素结构内产生的黑色条纹,使显示画面时具有较好的穿透率以及对比值。
[0067]图4为图3的像素阵列的像素结构的一种变化例的示意图。具体来说,图3的像素阵列20的像素结构200所具有的主像素电极M2以及次像素电极S2分别被图4所示的主像素电极M2’以及次像素电极S2’取代,其中图3的主像素电极M2以及次像素电极S2与图4的主像素电极M2’以及次像素电极S2’之间的差异之处仅在于:图4的主像素电极M2’的面积例如是等于次像素电极S2’的面积,也就是说,图3的像素阵列20中其它构件间的配置关系以及各配向区域的配向方向的相对关系没有改变。
[0068]如图4所示,本实施例的主像素电极M2’的长度Lm等于次像素电极S2’的长度L s,主像素电极M2’的宽度Wm等于次像素电极S2’的宽度Ws,因此主像素电极M2’的面积等于次像素电极S2’的面积。基于此,在正投影的视角上,主像素电极M2’与次像素电极S2’具有相同的配向区域,即配向区域M1?MIV分别对应地与配向区域S工?S IV具有相同的配向方向。
[0069]图5为依照本发明另一实施例的像素阵列的上视示意图。请参照图5,本实施例的像素阵列30包括多个扫描线SLl?SL2 (包括第一扫描线SLl与第二扫描线SL2)、多条信号线SNLl?SNL2 (包括第一信号线SNLl与第二信号线SNL2)、多条数据线DLl?DL3 (包括第一数据线DLl与第二数据线DL2)以及多个像素结构(包括第一像素结构300a与第二像素结构300b)。第一信号线SNLl及第二信号线SNL2平行第一扫描线SLl以及第二扫描线SL2而设置。其中,第一像素结构300a与第一扫描线SLl以及第一数据线DLl电性连接,第二像素结构300b与第二扫描线SL2以及第二数据线DL2电性连接,且在扫描线SLl?SL2的其中之一与邻接的一条信号线SNLl?SNL2之间且在任两条邻接的数据线DLl?DL3之间的传统像素定义区中具有配向定义区AD2。本实施例的像素阵列30与上述图3的像素阵列20相似,故相同或相似的元件以相同的或相似的符号表示,且不再重复说明。像素阵列30与像素阵列20的主要差异处在于,像素阵列30是以第一像素结构300a与第二像素结构300b取代图3的像素阵列20的像素结构200,在一实施例中,像素阵列30可同时存在第一像素结构300a及第二像素结构300b,在其他实施例中,依照设计的考量,例如走线的一致性,在像素阵列30中,也可仅存在第一像素结构300a或仅存在第二像素结构300b,本发明不以此为限。
[0070]如图5所示,第一像素结构300a具有第一控制元件Ta、第一主像素电极M3a以及第一次像素电极S3a。其中,第一像素结构300a的第一控制元件Ta与第一扫描线SLl以及第一数据线DLl电性连接。本实施例中第一像素结构300a的第一控制元件Ta与上述图3的像素结构200的控制元件T为相同或相似结构的元件,因此不再重复说明。
[0071]第一像素结构300a的第一主像素电极M3a经由开口 Cl与第一控制元件Ta电性连接,其中第一数据线DLl贯穿第一主像素电极M3a的中央,以使第一主像素电极M3a于第一数据线DLl的两侧具有四个配向区域Mai? Maiv,如图5所示。具体来说,第一主像素电极M3a是被第一信号线SNLl以及第一数据线DLl切分成四个配向区域M&1?Ma IV,且配向区域M&1?Ma IV的配向方向彼此不相同。在本实施例中,第一主像素电极M3a的四个配向区域M&1?Ma IV的配向方向分别依序例如是第三配向方向D3、第四配向方向D4、第一配向方向Dl以及第二配向方向D2,然本发明不限于此。
[0072]第一像素结构300a的第一次像素电极S3a经由开口 C2与第一控制元件Ta电性连接,且第一次像素电极S3a与第一主像素电极M3a分离开来,其中第一数据线DLl贯穿第一次像素电极S3a的中央,以使第一次像素电极S3a于第一数据线DLl的两侧具有四个配向区域Sai?SaIV,如图5所示。具体来说,第一次像素电极S3a被第一扫描线SLl以及第一数据线DLl切分成四个配向区域S&1?Sa IV,且配向区域S&1?Sa IV的配向方向彼此不相同。在本实施例中,第一次像素电极S3a的四个配向区域Sai? Saiv的配向方向分别依序例如是第二配向方向D2、第一配向方向D1、第四配向方向D4以及第三配向方向D3,然本发明不限于此。如图5所示,第一像素结构300a的第一主像素电极M3a的任一个配向区域Mbf Ma IV的配向方向会与邻接的第一次像素电极S3a的配向区域Sa Sa IV的配向方向不相同。此外,请参照图5,第一像素结构300a与相邻的像素结构电性绝缘,且相邻两像素结构具有间隙山且间隙d分别位于相邻两数据线以及相邻两扫描线的中央。
[0073]如图5所示,第二像素结构300b具有第二控制元件Tb、第二主像素电极M3b以及第二次像素电极S3b。其中,第二像素结构300b的第二控制元件Tb与第二扫描线SL2以及第二数据线DL2电性连接。本实施例中第二像素结构300b的第二控制元件Tb与上述图3的像素结构200的控制元件T为相似结构的元件,因此不再重复说明。其中,第二数据线DL2贯穿第二像素结构300b的中央,使第二像素结构300b于第二数据线DL2的两侧分别具有第二主像素电极M3b以及第二次像素电极S3b,且第二主像素电极M3b以及第二次像素电极S3b彼此分离开来。换言之,第二数据线DL2贯穿第二次像素电极S3b和第二主像素电极M3b的邻接处,也就是第二像素结构300b的中央。
[0074]第二像素结构300b的第二主像素电极M3b经由开口 C3与第二控制元件Tb电性连接,其中第二信号线SNL2贯穿第二主像素电极M3b的中央,也就是第二像素结构300b的中央,以使第二主像素电极M3b于第二信号线SNL2的两侧具有四个配向区域Mb1-Mbiv,如图5所示。具体来说,第二主像素电极M3b是被第二信号线SNL2以及第二数据线DL2切分成四个配向区域Mb^Mbiv,其中配向区域Mb^Mbiv之间具有四种不同的配向方向。本实施例中,第二主像素电极M3b的四个配向区域Mb1-Mb IV的配向方向分别依序例如是第三配向方向D3、第四配向方向D4、第二配向方向D2以及第一配向方向D1,然本发明不限于此。
[0075]第二像素结构300b的第二次像素电极S3b经由开口 C4与第二控制元件Tb电性连接,且第二次像素电极S3b与第二主像素电极M3b分离开来,其中的中央第二信号线SNL2贯穿第二次像素电极S3b的中央,也就是第二像素结构300b的中央,以使第二次像素电极S3b于第二信号线SNL2的两侧具有四个配向区域Sb1' Sb IV,如图5所示。具体来说,第二次像素电极S3b被第二信号线SNL2以及第二数据线DL2切分成四个配向区域Sb1' Sb IV,其中配向区域Sb1-Sbiv之间具有四种不同的配向方向。在本实施例中,第二次像素电极S3b的四个配向区域Sb1-Sb IV的配向方向分别依序例如是第四配向方向D4、第三配向方向D3、第一配向方向Dl以及第二配向方向D2,然本发明不限于此。其中,第二像素结构300b的第二主像素电极M3b的任一个配向区域Mb1' Mb ?的配向方向会与邻接的第二次像素电极S3b的配向区域Sbf Sb IV的配向方向不相同,如图5所示。
[0076]除此之外,在本实施例中,第一像素结构300a的第一主像素电极M3a的长度Lm等于第一次像素电极S3a的长度Ls,第一主像素电极M3a的宽度Wm等于第一次像素电极S3a的宽度Ws;且第二像素结构300b的第二主像素电极M3b的长度L M’等于第二次像素电极S3b的长度Ls’,第二主像素电极M3b的宽度WM’等于第二次像素电极S3b的宽度Ws’。换言之,第一主像素电极M3a的面积等于第一次像素电极S3a的面积,且第二主像素电极M3b的面积等于第二次像素电极S3b的面积。
[0077]因此,在符合上述条件(即:第一像素结构300a的第一主像素电极M3a的四个配向区域M&1?Ma ?的配向方向彼此不相同、第一次像素电极S3a的四个配向区域Sa工?Sa IV的配向方向彼此不相同、第二像素结构300b的第二主像素电极M3b的四个配向区域Mb1'Mbiv中具有四种不同的配向方向、第二次像素电极S3b的四个配向区域Sb:?Sb IV中具有四种不同的配向方向。配向定义区AD2内的四个配向区域(例如是=MamZiSa1ZiSbmZiSbiv(如图 5 所示)、Ma1ZiSamZiSb1ZiSb11、Ma11ZiSaivZiMlVMb1^ Ma IV/Sa?/Mbm/MbIV)具有两种不同配向方向以垂直分布方式配置、第一
当前第3页1 2 3 4 5 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1