1.一种清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，包括：
(1)对待镀件进行镀前预处理；
(2)将所述待镀件安装到真空镀膜机上，抽真空，向所述待镀件提供保护气体，采用气体离子源装置产生气体等离子体，所述等离子体对所述待镀件进行蚀刻；
(3)向旋转硅靶提供所述保护气体和反应气体，启动离子轰击电源，以便在所述待镀件上镀二氧化硅膜；
(4)抽真空，向所述待镀件提供全氟聚合物，以便在所述待镀件上镀疏水疏油复合膜。
2.根据权利要求1所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(1)还包括：清扫所述待镀件进行除尘处理；将所述待镀件加热进行除蜡处理；对所述待镀件放入除油液中进行除油处理，然后清洗。
3.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括：所述真空镀膜机提供的真空度为1.5×10-5～5.0×10-5Torr。
4.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括：所述气体离子源装置的电压为750～800V，供气时间为8～12mim。
5.根据权利要求4所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括：所述保护气体为氩气，所述氩气的流量为500～1000sccm。
6.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括：所述离子轰击电源为中频磁控溅射装置，采用所述中频磁控溅射装置对所述待镀件以中频磁控溅射方式镀所述二氧化硅膜。
7.根据权利要求6所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括：所述中频磁控溅射装置的电源功率为4～6kW，提供的负偏压为100～150V，所述保护气体为氩气，所述反应气体为氧气，所述氩气的流量为200～300sccm，所述氧气的流量为200～300sccm，镀膜时间为3～5min。
8.根据权利要求7所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括：所述旋转硅靶的纯度为大于99.99％。
9.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括：所述二氧化硅膜的厚度为10～16nm。
10.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：所述真空镀膜机提供的真空度为1.5×10-5～5.0×10-5Torr。
11.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：所述真空镀膜机提供的蒸发电压为1.8～3.2V，蒸发电流为640～950A，蒸发时间为4～5min。
12.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：所述疏水疏油复合膜的厚度为13～26nm。
13.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：所述疏水疏油复合膜由改性的全氟聚醚制作而成。
14.一种镀膜器件，其特征在于，所述镀膜器件包括通过如权利要求1～13任一项所述的清洁膜的真空镀膜方法制作的所述清洁膜。